本申请实施例公开了一种处理数据的方法、装置以及存储介质。其中，该方法包括：通过根据每两个第一特征参数的稳态值得到至少一个存储能力值，解决了手动处理第一特征参数的繁琐性，使处理第一特征参数更为简单，而针对所述至少一个存储能力值中任一存储能力值，当所述存储能力值大于预设存储能力值时，确定所述存储能力值为待处理参数值，得到至少一个待处理参数值，从而提高了处理第一特征参数的效率，根据所述电学特征参数和所述磁学特征参数获得存储性能值，所述存储性能值用于确认所述MTJ的性能是否达到预期，进而提高了处理第一特征参数的准确性和效率。特征参数的准确性和效率。特征参数的准确性和效率。
【技术实现步骤摘要】
一种处理数据的方法、装置以及存储介质
[0001]本申请涉及存储领域，具体涉及一种处理数据的方法、装置以及存储介质。
技术介绍
[0002]计算机目前被广泛应用于人们生产生活的各种领域。计算机包括存储器，存储器的性能对计算机运行速度、处理速度、计算能力起到至关重要的作用。其中，磁随机存储器(Magnetic Random Access Memory，MRAM)为存储器的一种，MRAM的优点在于，在设备断电的情况下能够避免数据的丢失，以及读取速度快、耐擦写和功耗低等。
[0003]典型的MRAM中的存储单元是磁隧道结(Magnetic Tunnel Junction，MTJ)，MRAM存储功能通过MTJ的翻转特性和读写能力来实现。为了准确确认MRAM的性能，通常可以提取MTJ的特征参数，并对提取的特征参数进行分析。
[0004]然而，目前提取MTJ的特征参数的方式是手动提取，且对提取出的特征参数的处理方式也是手动处理，造成处理特征参数繁琐、效率较低及提取参数不精确的问题，导致无法对MRAM的性能的优化提供可靠参考。
技术实现思路
[0005]针对现上述技术问题，本申请实施例提出了一种处理数据的方法、装置以及存储介质，以解决造成了处理数据繁琐、效率较低、提取参数不精确的问题。
[0006]本申请实施例的第一方面提供了一种处理数据的方法，包括：
[0007]获取存储单元是磁隧道结MTJ的第一特征参数集；
[0008]获取所述第一特征参数集中每个第一特征参数对应的稳态值；
[0009]根据每两个第一特征参数的稳态值得到至少一个存储能力值；
[0010]针对所述至少一个存储能力值中任一存储能力值，当所述存储能力值大于预设存储能力值时，确定所述存储能力值为待处理参数值，得到至少一个待处理参数值；
[0011]从所述至少一个待处理参数值中提取电学特征参数和/或磁学特征参数；
[0012]根据所述电学特征参数和/或所述磁学特征参数获得存储性能值，所述存储性能值用于确认所述MTJ的性能是否达到预期。
[0013]在一些实施例中，所述获取所述第一特征参数集中每个第一特征参数对应的稳态值，包括：
[0014]对所述每个第一特征参数聚类得到第一特征群和第二特征群，所述第一稳态群中每个特征表征的稳态高于第二稳态群每个特征表征的稳态；
[0015]计算所述第一特征群和所述第二特征群中每个特征对应的稳态参数，其中，所述第一特征群对应第一稳态参数群，所述第二特征群对应第二稳态参数群，所述第一稳态参数群中的每个稳态参数表征的稳态高于所述第二稳态参数群中的每个稳态参数表征的稳态；
[0016]计算所述第一稳态参数群中每个稳态参数与第一参考稳态参数的总和距离，将总
和距离最小的第一参考稳态参数作为高稳态值，所述第一参考稳态参数是所述第一稳态参数群中任意一稳态参数；
[0017]计算所述第二稳态参数群中每个稳态参数与第二参考稳态参数的总和距离，将总和距离最小的第二参考稳态参数作为低稳态值，所述第二参考稳态参数是所述第二稳态参数群中任意一稳态参数。
[0018]在一些实施例中，所述根据每两个第一特征参数的稳态值得到至少一个存储能力值，包括：
[0019]计算所述高稳态值和所述低稳态值的差得到稳态差值；
[0020]所述稳态差值除以所述低稳态值得到所述存储能力值。
[0021]在一些实施例中，所述至少一个待处理参数值包括至少一组电学特征参数和/或磁学特征参数，所述从所述至少一个待处理参数值中提取目标电学特征参数和/或目标磁学特征参数，包括：
[0022]预设初始目标电学特征参数和/或初始目标磁学特征参数，计算所述初始目标电学特征参数和/或初始目标磁学特征参数得到初始拟合值；
[0023]计算实际参数值与初始拟合值的差值的平方，将所有差值的平方的和作为误差值；
[0024]比较所述误差值和预设误差值，若误差值小于所述预设误差值，则确认当前所述初始目标电学特征参数和/或初始目标磁学特征参数为所需要的数据特征。
[0025]在一些实施例中，所述根据所述电学特征参数和/或所述磁学特征参数，包括：
[0026]所述电学特征参数包括干扰值和分布宽度值，所述磁学特征参数包括干扰值和分布宽度值，所述干扰值表征抵抗外界干扰的能力，所述分布宽度值表征存储的读写能力；
[0027]所述分布宽度值除以所述干扰值，得到所述存储性能值。
[0028]本申请实施例的第二方面提供了一种处理数据装置，所述装置包括：
[0029]获取第一特征参数集模块，用于获取存储单元是磁隧道结MTJ的第一特征参数集；
[0030]获取稳态值模块，用于获取所述第一特征参数集中每个第一特征参数对应的稳态值；
[0031]获得存储能力值模块，用于根据每两个第一特征参数的稳态值得到至少一个存储能力值；
[0032]获取待处理参数值模块，用于针对所述至少一个存储能力值中任一存储能力值，当所述存储能力值大于预设存储能力值时，确定所述存储能力值为待处理参数值，得到至少一个待处理参数值；
[0033]提取数据模块，用于从所述至少一个待处理参数值中提取电学特征参数和/或磁学特征参数；
[0034]确认模块，用于根据所述电学特征参数和/或所述磁学特征参数获得存储性能值，所述存储性能值用于确认所述MTJ的性能是否达到预期。
[0035]在一些实施例中，所述获取稳态值模块包括：
[0036]聚类模块，用于对所述每个第一特征参数聚类得到第一特征群和第二特征群，所述第一稳态群中每个特征表征的稳态高于第二稳态群每个特征表征的稳态；
[0037]稳态参数模块，用于计算所述第一特征群和所述第二特征群中每个特征对应的稳
态参数，其中，所述第一特征群对应第一稳态参数群，所述第二特征群对应第二稳态参数群，所述第一稳态参数群中的每个稳态参数表征的稳态高于所述第二稳态参数群中的每个稳态参数表征的稳态；
[0038]第一参考稳态模块，用于计算所述第一稳态参数群中每个稳态参数与第一参考稳态参数的总和距离，将总和距离最小的第一参考稳态参数作为高稳态值，所述第一参考稳态参数是所述第一稳态参数群中任意一稳态参数；
[0039]第二参考稳态模块，用于计算所述第二稳态参数群中每个稳态参数与第二参考稳态参数的总和距离，将总和距离最小的第二参考稳态参数作为低稳态值，所述第二参考稳态参数是所述第二稳态参数群中任意一稳态参数。
[0040]在一些实施例中，还包括计算模块，用于计算所述高稳态值和所述低稳态值的差得到稳态差值，所述稳态差值除以所述低稳态值得到所述存储能力值。
[0041]在一些实施例中，获取待处理参数值模块还包括：
[0042]过滤模块，用于预设初始目标电学特征参数和/或初始目标磁学特征参数，计算所述初始目标电学特征参数和/或初始目标磁学特征参数得到初始拟本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种处理数据的方法，其特征在于，所述方法包括：获取存储单元是磁隧道结MTJ的第一特征参数集；获取所述第一特征参数集中每个第一特征参数对应的稳态值；根据每两个第一特征参数的稳态值得到至少一个存储能力值；针对所述至少一个存储能力值中任一存储能力值，当所述存储能力值大于预设存储能力值时，确定所述存储能力值为待处理参数值，得到至少一个待处理参数值；从所述至少一个待处理参数值中提取电学特征参数和/或磁学特征参数；根据所述电学特征参数和/或所述磁学特征参数获得存储性能值，所述存储性能值用于确认所述MTJ的性能是否达到预期。2.根据权利要求1所述的处理数据的方法，其特征在于，所述获取所述第一特征参数集中每个第一特征参数对应的稳态值，包括：对所述每个第一特征参数聚类得到第一特征群和第二特征群，所述第一稳态群中每个特征表征的稳态高于第二稳态群每个特征表征的稳态；计算所述第一特征群和所述第二特征群中每个特征对应的稳态参数，其中，所述第一特征群对应第一稳态参数群，所述第二特征群对应第二稳态参数群，所述第一稳态参数群中的每个稳态参数表征的稳态高于所述第二稳态参数群中的每个稳态参数表征的稳态；计算所述第一稳态参数群中每个稳态参数与第一参考稳态参数的总和距离，将总和距离最小的第一参考稳态参数作为高稳态值，所述第一参考稳态参数是所述第一稳态参数群中任意一稳态参数；计算所述第二稳态参数群中每个稳态参数与第二参考稳态参数的总和距离，将总和距离最小的第二参考稳态参数作为低稳态值，所述第二参考稳态参数是所述第二稳态参数群中任意一稳态参数。3.根据权利要求2所述的处理数据的方法，其特征在于，所述根据每两个第一特征参数的稳态值得到至少一个存储能力值，包括：计算所述高稳态值和所述低稳态值的差得到稳态差值；所述稳态差值除以所述低稳态值得到所述存储能力值。4.根据权利要求1所述的处理数据的方法，其特征在于，所述至少一个待处理参数值包括至少一组电学特征参数和/或磁学特征参数，所述从所述至少一个待处理参数值中提取目标电学特征参数和/或目标磁学特征参数，包括：预设初始目标电学特征参数和/或初始目标磁学特征参数，计算所述初始目标电学特征参数和/或初始目标磁学特征参数得到初始拟合值；计算实际参数值与初始拟合值的差值的平方，将所有差值的平方的和作为误差值；比较所述误差值和预设误差值，若误差值小于所述预设误差值，则确认当前所述初始目标电学特征参数和/或初始目标磁学特征参数为所需要的数据特征。5.根据权利要求1
‑
4中任一所述的处理数据的方法，其特征在于，所述根据所述电学特征参数和/或所述磁学特征参数，包括：所述电学特征参数包括干扰值和分布宽度值，所述磁学特征参数包括干扰值和分布宽度值，所述干扰值表征抵抗外界干扰的能力，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：马祥跃，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：
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