一种体声波谐振器及其制备方法技术

本申请公开了一种体声波谐振器及其制备方法，涉及微电子技术领域，本申请的体声波谐振器的制备方法，包括：提供衬底，并在衬底上沉积压电薄膜层；通过第一离子注入在衬底内形成预设深度的损伤层；在压电薄膜层的一侧形成顶电极；释放损伤层形成空腔；通过第二离子注入在压电薄膜层的另一侧形成底电极。本申请提供的体声波谐振器及其制备方法，能够提高体声波谐振器中压电薄膜的晶体质量，进而提高体声波谐振器的性能。谐振器的性能。谐振器的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种体声波谐振器及其制备方法


[0001]本申请涉及微电子
，具体而言，涉及一种体声波谐振器及其制备方法。

技术介绍

[0002]薄膜体声波谐振器因其高Q值、体积小、可集成化等特点而引起了很多研究关注，并且随着移动通信技术的飞速发展，薄膜体声波谐振器不仅在射频前端中得到大量应用，也在传感器检测应用中表现出很大的潜力。薄膜体声波谐振器对压电薄膜的晶体质量要求很高，晶体质量高的压电薄膜在实现机电转换过程中能量损耗小，可以制备高Q值和高机电转换效率的谐振器，进而提升薄膜体声波谐振器性能。空气隙型薄膜体声波谐振器结构利用空气作为声波限制界面，对于利用空气反射原理的薄膜体声波谐振器而言，制备思路是在复合薄膜层下方营造一个空腔环境。现有技术是在衬底上预设空腔，该空腔由牺牲层材料填充，在牺牲层材料上沉积金属电极和压电薄膜，薄膜沉积完成后释放牺牲层材料，形成空腔，制得薄膜体声波谐振器。
[0003]衬底的晶体质量和表面粗糙度会直接影响后续底电极层和压电薄膜沉积质量。现有技术制备薄膜体声波谐振器的过程中，牺牲层经过抛光后，研磨液和物质颗粒残留，表面本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种体声波谐振器制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，并在所述衬底上沉积压电薄膜层；通过第一离子注入在所述衬底内形成预设深度的损伤层；所述压电薄膜层的一侧形成顶电极；释放所述损伤层形成空腔；通过第二离子注入在所述压电薄膜层的另一侧形成底电极。2.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述通过第一离子注入在所述衬底内形成预设深度的损伤层包括：在所述压电薄膜层上铺设光刻胶并刻蚀形成第一注入窗口，所述第一注入窗口与所述空腔在所述衬底上的投影重叠；通过所述第一注入窗口对所述衬底的预设深度处进行所述第一离子注入形成预设厚度的损伤层，其中，所述第一离子注入包括多次离子注入，多次离子注入的注入中心不在同一深度。3.根据权利要求1所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述衬底为单晶衬底、所述压电薄膜层为单晶压电薄膜层。4.根据权利要求2所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述通过第二离子注入在所述压电薄膜层的另一侧形成底电极包括：在所述顶电极上铺设光刻胶并形成第二注入窗口，所述第二注入窗口与所述第一注入窗口重合；通过所述第二注入窗口对所述压电薄膜层另一侧的衬底材料进行第二离子注入进行掺杂。5.根据权利要求4所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述第二离子注入的注入能量小于所述第一离子注入的注入能量，所述第二离子注入的注入剂量小于所述第一离子注入的注入剂量。6.根据权利要求4所述的体声波谐振器的制备方法，其特征在于，所述第一离子注入的注入能量在450keV
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【专利技术属性】
技术研发人员：林炳辉，蔡耀，高超，王雅馨，邹杨，孙博文，孙成亮，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：