【技术实现步骤摘要】
本申请涉及薄膜体声波谐振器，具体而言，涉及一种谐振器的制备方法和谐振器。
技术介绍
1、当前谐振器(baw，bulk acoustic wave)需要高质量(q)因数和低频率热系数(tcf，temperature cofficients of frequency)。然而，在没有向其基本构造添加特定过程和结构特征的情况下，baw谐振器不能提供满足5g滤波器应用的规范所需的降低tcf并减轻q损耗的性能。
技术实现思路
1、本申请的主要目的在于提供一种谐振器的制备方法和谐振器，以至少解决现有技术中在没有向谐振器的基本构造中添加特定结构的前提下，不能满足谐振器的降低tcf并减轻q损耗的问题。
2、为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种谐振器的制备方法，包括：提供基底；在基底的一侧表面上形成第一电极；在第一电极背离基底的一侧表面上形成压电层，压电层的背离第一电极的一侧具有第一表面，第一表面具有第一区域和第二区域，第二区域位于第一区域的两侧；在第一表面上形成具有多个功能区的多用...
【技术保护点】
1.一种谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述压电层的背离所述第一电极的一侧还具有第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有夹角，所述第二表面具有第三区域，所述第三区域位于所述第二区域远离所述第一区域的一侧，形成所述多用途层的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，形成所述多用途层的步骤包括：
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，形成所述多用途层的步骤包括：
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在形成所述多用途层的步骤中，在所述第一...
【技术特征摘要】
1.一种谐振器的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述压电层的背离所述第一电极的一侧还具有第二表面，所述第一表面与所述第二表面之间具有夹角，所述第二表面具有第三区域，所述第三区域位于所述第二区域远离所述第一区域的一侧，形成所述多用途层的步骤包括：
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，形成所述多用途层的步骤包括：
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，形成所述多用途层的步骤包括：
5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在形成所述多用途层的步骤中，在所述第一表面上沉积第一材料，以形成所述多用途层，形成所述多用途层的步骤还包括：
6.根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：温贝托·坎帕内拉·皮内达，皮本松，
申请(专利权)人：武汉敏声新技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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