一种适用于GaN半桥驱动芯片分地设计的电平位移电路制造技术

本发明专利技术属于电子电路技术领域，具体涉及一种适用于GaN半桥驱动芯片分地设计的电平位移电路。本发明专利技术主要是通过分地设计，设计驱动芯片逻辑部分的参考地为SGNG，驱动芯片功率回路部分的参考地为PGND，并且参照SGND的5V电源轨为VDD5，参照PGND的5V电源轨为VDDL，输入电源VCC为9～20V电源轨，通过设计的电流镜在各自稳固的电压域中，对IN信号和其产生的电流信息进行处理，避免SGND和PGND之间的压差对信号处理造成干扰。本发明专利技术能在高地弹的GaN半桥栅驱动芯片中稳定工作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子电路，具体涉及一种适用于gan半桥驱动芯片分地设计的电平位移电路。

技术介绍

1、电平位移电路负责信号在不同的电压域之间的转换，在模拟集成电路的各个领域内都应用广泛。在gan栅驱动系统中，芯片打线、封装和pcb板走线均会引入比较大的寄生电感，在功率回路电流变化过快时，造成驱动芯片上可观的地弹。为了抑制地弹对驱动芯片逻辑信号的干扰，通常采用分地设计，将芯片内部的参照地分为两个部分，隔离逻辑电路和功率电路。在gan半桥栅驱动系统中，电平位移电路除了能够实现信号在不同电压域之间的传递之外，还应具备一定的抗地弹能力，同时匹配高侧通道的信号传输延时。因此，为了满足gan半桥栅驱动严苛的工作环境要求，实现高抗扰可调延时的电平位移电路具有重要意义。

技术实现思路

1、本专利技术的目的，就是针对上述问题，提出一种适用于gan驱动芯片分地设计的电平位移电路，该电路具有在高地弹条件下工作的能力，能够为栅驱动系统提供稳定的电压隔离和信号传递。

2、本专利技术的技术方案是：

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【技术保护点】

1.一种适用于GaN半桥驱动芯片分地设计的电平位移电路，定义驱动芯片逻辑部分的参考地为SGNG，驱动芯片功率回路部分的参考地为PGND，并且参照SGND的5V电源轨为VDD5，参照PGND的5V电源轨为VDDL，输入电源VCC为9～20V电源轨；其特征在于，电平位移电路包括第一LDPMOS管、第二LDPMOS管、第一LDNMOS管、第二LDNMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第一电阻、第一齐纳二极管、第二齐纳二极管、第三齐...

【技术特征摘要】

1.一种适用于gan半桥驱动芯片分地设计的电平位移电路，定义驱动芯片逻辑部分的参考地为sgng，驱动芯片功率回路部分的参考地为pgnd，并且参照sgnd的5v电源轨为vdd5，参照pgnd的5v电源轨为vddl，输入电源vcc为9～20v电源轨；其特征在于，电平位移电路包括第一ldpmos管、第二ldpmos管、第一ldn...

【专利技术属性】
技术研发人员：明鑫，张永强，吴之久，王卓，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学深圳高等研究院，
类型：发明
国别省市：