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本发明属于电子电路技术领域，具体涉及一种适用于GaN半桥驱动芯片分地设计的电平位移电路。本发明主要是通过分地设计，设计驱动芯片逻辑部分的参考地为SGNG，驱动芯片功率回路部分的参考地为PGND，并且参照SGND的5V电源轨为VDD5，参照P...
该专利属于电子科技大学（深圳）高等研究院所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学（深圳）高等研究院授权不得商用。

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