一种有机电致发光显示器件制造技术

本发明专利技术公开一种有机电致发光显示器件，包括玻璃基板，以及设置在玻璃基板上表面的ＩＴＯ导电层，在ＩＴＯ导电层上依次设置有阳极界面修饰层、空穴传输层、电子传输层和发光层、金属阴极Ｍｇ层，和金属阴极Ａｌ层，所述的阳极界面修饰层为掺杂ＺｎＯ的ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ。本发明专利技术以掺杂ＺｎＯ的ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ作为阳极界面修饰层，可以降低ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ层和ＩＴＯ界面的空穴注入势垒，提高空穴和电子的复合效率；同时作为光的散射层，晶体散射可以增大ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ层的光通量，降低发光器件有机层间发生全内发射的可能性，提高了有机ＯＬＥＤ的发光效率和发光亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于有机发光显示
，涉及一种有机电致发光显示器件。
技术介绍
OLED是在一定电场驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子 传输层和空穴传输层，并在发光层中相遇，形成的激子最终导致可见光的发 射。OLED对阳极材料要求具有高的功函数和良好的透光度，以利于光从器 件中出射。阳极材料通常采用掺杂Sn02的In203 (In203:Sn02)，即ITO。 ITO应具有较低的方块电阻和平整的表面，以增加OLED的光输出和降低 器件工作电压。表面粗糙度大的ITO会影响ITO与有机层的有效接触，以 及空穴的有效注入，降低器件效率，增加器件的短路可能性和反向漏电流， 加速器件的失效。因此，有必要对ITO表面进行修饰，改善ITO与有机层之间的接触， 并减少缺陷引起的电学短路，改善器件热稳定性，提高器件的效率和亮度。 除了在器件制备前对经过严格清洗的ITO衬底用氧等离子体处理，可以有 效地增加ITO表面的功函数外，对ITO表面采用各种性质的阳极界面修饰 层，改善器件特牲的方法己成为提高OLED性能的有效手段。目前，对ITO表面进行的阳极界面修饰材料主要包括以下几种 1、可蒸发的有机小分子材料小分子器件中得到广泛应用的CuPc改善 了 ITO与空穴传输层的接触，提高了器件的稳定性。32、 极性分子或离子性双层采用自组装在电极表面形成极性分子单层或在ITO表面嫁接极性分子，采用不同的溶液处理ITO形成离子性双层等 方法来改变电极表面势能，在ITO表面用酸或碱处理，通过化学吸附酸或 碱，并选择大的平衡离子在ITO表面形成薄的偶极层，可使ITO表面功函 数移动达leV。3、 高功函数金属或无机薄膜在ITO上淀积lnm的高功函数的金属， 如Pt， Ni， Au, Sn或者Pb，降低空穴注入势垒，为空穴注入提供合适的台 阶，增加空穴注入，降低器件阈值电压，但对器件效率没有明显改善。4、 绝缘层绝缘层主要包括A1203、 Si02、 Pr203、 MoS2/Mo03、自组 装单层膜、V0X 、 MoOx 、 RuOx 、 CuOx等；氧等离子体处理的ITO表 面势垒是不稳定的，而在ITO和空穴传输层之间插入薄的绝缘层可获得稳 定的界面。5、 导电聚合物用于阳极界面修饰的导电聚合物主要有聚苯胺PANI和 PEDOT:PSS 。在PPV衍生物聚2-甲氧基-5-2-乙基-己氧基-l，4-对苯乙烯(MEH-PPV)为单层的器件中，PANI替代ITO作用于柔性衬底的聚合物 器件，与ITO作为阳极的器件具有几乎相近的量子效率，而以ITO/PANI为 双层电极，比仅用ITO为阳极的器件工作电压明显下降而量子效率显著增 力口，这是因为PANI显著降低了 ITO与MEH-PPV间的势垒；没有ITO而 仅用聚合物作阳极时，可以明显减少长期的器件衰减，说明器件的效率、电 压取决于电极与聚合物的界面特性，并且界面对器件寿命有重要影响；使用磺化聚苯(PSS)掺杂聚噻吩衍生物(PEDOT)的聚(3,4-二氧乙基 噻吩)聚(对苯乙烯磺酸)(PEDOT:PSS)修饰时，测量的内建电势增加，空穴注入势垒降低，改善器件性能，增加发光效率，降低启动电压，增加器件寿命；由于PSS的强酸性，PEDOT : PSS对ITO虽有一定的腐蚀作用，但铟 离子被固定在PEDOT:PSS中而不会进入有机层中，铟离子是导致荧光猝 灭的重要因素，所以对器件寿命有利。器件性能的优化是由PEDOT:PSS来 控制空穴注入，通过PEDOT:PSS高的功函数和PSS的电子阻挡作用来实 现的。Fung等在PEDOT:PSS中引入适数的丙三醇提高PEDOT:PSS的电 导率，有利于空穴注入，来改善器件的效率(FungMK, etal.. Appl.Phys. Lett" 2002,81(8): 1497-1499)。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种有机电致发光显示器件，通过对ITO的阳极 修饰层的改进，提高有机OLED的发光效率。 为达到上述目的，本专利技术采用的技术方案是一种有机电致发光显示器件，包括玻璃基板，以及设置在玻璃基板上表 面的ITO导电层，在ITO导电层上依次设置有阳极界面修饰层、空穴传输层、 电子传输层和发光层、金属阴极Mg层，和金属阴极A1层，所述的阳极界面 修饰层为掺杂ZnO的PEDOT:PSS。所述ITO导电层和金属阴极Al层分别与直流电压的正负电极相连。 所述掺杂ZnO的PEDOT:PSS，掺杂的ZnO为PEDOT:PSS质量的1% 10%。所述阳极界面修饰层的厚度为20 30nm。所述ZnO为ZnO纳米颗粒，其粒径为2.5 nm 10 nm。与现有技术相比，本专利技术以掺杂ZnO的PEDOT:PSS作为阳极界面修饰层，可以降低PEDOT:PSS层和ITO界面的空穴注入势垒，提高空穴和电子 的复合效率；同时作为光的散射层，晶体散射可以增大PEDOT:PSS层的光 通量，降低发光器件有机层间发生全内发射的可能性，提高了有机OLED的 发光效率和发光亮度。 附图说明图1是本专利技术有机电致发光显示器件的结构示意图。其中，l为玻璃基板，2为ITO导电层，3为惨杂ZnO的PEDOT:PSS阳极修饰层，4为空穴传输层，5为电子传输层和发光层，6为金属阴极Mg层，7为金属阴极Al层。具体实施例方式下面对本专利技术做详细说明，所述是对本专利技术的解释而不是限定。 如图1所示，本专利技术提供的有机电致发光显示器件包括玻璃基板1，以 及自下而上依次设置在玻璃基板1上表面的ITO导电层2、阳极界面修饰层 3、空穴传输层4、电子传输层和发光层5、金属阴极Mg层6和金属阴极层 7，其中，ITO导电层2和金属阴极Al层7分别与直流电压的正、负电极相 连，阳极界面修饰层为掺杂有ZnO纳米颗粒的PEDOT:PSS层，掺杂的ZnO 为PEDOT:PSS质量的1% 10%。掺杂ZnO的PEDOT:PSS阳极界面修饰层溶液的配制为 将ZnO纳米颗粒加入到质量分数为5%的PEDOT:PSS水溶液中，室温 下磁力搅拌搅拌l小时，配制成共混溶液，其中，ZnO的质量为PEDOT:PSS 质量的1% 10%。本专利技术采用掺杂ZnO的PEDOT:PSS作为阳极界面修饰层，可以降低PEDOT:PSS层和ITO界面的空穴注入势垒，提高空穴和电子的复合效率， 同时作为光的散射层，晶体散射可以增大PEDOT:PSS层的光通量，降低发 光器件有机层间发生全内发射的可能性，提高了器件的发光亮度。本专利技术的具体实施例的器件结构是ITO/PEDOT:PSS+ZnO(20-30nm)/ NPB(40nm)/Alq3(50nm)/Mg (10nm) /Al (150nrn)，其中，N,N' -( a -萘基)國N，N '-苯基联苯二胺(NPB)作为空穴传输层，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)作为电子 传输层和发光层。该器件具体的制备方法为将光刻好特定图形的ITO导电玻璃清洗干净并烘干，再将处理过的导电 玻璃放置在匀胶机上，用带有滤头的注射器将惨杂ZnO的PEDOT:PSS水溶 液均匀涂满整个ITO导电玻璃表面，转速1800rpm下旋涂lmin，在导电玻 璃表面形成一层20-30nm厚的薄膜，放入12(TC的烘箱内加热20-30分钟本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光显示器件，包括玻璃基板，以及设置在玻璃基板上表面的ＩＴＯ导电层，在ＩＴＯ导电层上依次设置有阳极界面修饰层、空穴传输层、电子传输层和发光层、金属阴极Ｍｇ层，和金属阴极Ａｌ层，其特征在于，所述的阳极界面修饰层为掺杂ＺｎＯ的ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王香，
申请(专利权)人：彩虹集团公司，
类型：发明
国别省市：61[中国|陕西]