用于射频功率放大器的半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种用于射频功率放大器的半导体器件，包括：衬底层，其被配置为通过GaAs来形成；亚集电极层，其被配置在衬底层上，并且被配置为通过n+型掺杂的GaAs来形成；集电极层，其被配置在亚集电极层上，并且被配置为通过n型掺杂的宽带隙材料来形成；集电极金属层，其被配置在集电极层上；基极层，其被配置在集电极层上，并且被配置为通过p+型掺杂的GaAs来形成；基极金属层，其被配置在基极层上；发射极层，其被配置在基极层上，并且被配置为通过n型掺杂的InGaP来形成；发射极盖帽层，其被配置为在基极层上；以及发射极金属层，其被配置在发射极盖帽层上。发射极盖帽层上。发射极盖帽层上。

【技术实现步骤摘要】
用于射频功率放大器的半导体器件


[0001]本技术涉及无线通信领域，更具体地，涉及一种用于无线通信的射频功率放大器的半导体器件。

技术介绍

[0002]手机等移动终端中使用的4G和/或5G射频功率放大器(PA)通常采用砷化镓异质结双极性晶体管(GaAs HBT)工艺制备。早期的GaAs HBT工艺中以AlGaAs/GaAs异质结界面为主，随着InGaP/GaAs异质结技术的发展，InGaP/GaAs异质结技术逐渐成为GaAs HBT技术的主流。

技术实现思路

[0003]本技术的一方面在于提出了一种用于射频功率放大器的半导体器件，包括：衬底层，其被配置为通过GaAs来形成；亚集电极层，其被配置在衬底层上，并且被配置为通过n+型掺杂的GaAs来形成；集电极层，其被配置在亚集电极层上，并且被配置为通过n型掺杂的宽带隙材料来形成，其中，所述宽带隙材料的禁带宽度大于GaAs的禁带宽度；集电极金属层，其被配置在集电极层上；基极层，其被配置在集电极层上，并且被配置为通过p+型掺杂的GaAs来形成；基极金属层，其被配置在基极层上；发射极层，其被配本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于射频功率放大器的半导体器件，其特征在于，包括：衬底层，其被配置为通过GaAs来形成；亚集电极层，其被配置在衬底层上，并且被配置为通过n+型掺杂的GaAs来形成；集电极层，其被配置在亚集电极层上，并且被配置为通过n型掺杂的宽带隙材料来形成，所述宽带隙材料的禁带宽度大于GaAs的禁带宽度；集电极金属层，其被配置在集电极层上；基极层，其被配置在集电极层上，并且被配置为通过p+型掺杂的GaAs来形成；基极金属层，其被配置在基极层上；发射极层，其被配置在基极层上，并且被配置为通过n型掺杂的InGaP来形成；发射极盖帽层，其被配置为在基极层上；以及发射极金属层，其被配置在发射极盖帽层上，所述集电极层被配置为使得集电极层处的最大电流和电压摆幅处于所述半导体器件的安全工作区以内，所述半导体器件的安全工作区被限定为当半导体器件处于正向有源区时的安全工作区域。2.根据权利要求1所述的用于射频功率放大器的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件的安全工作区被限定为其工作电流处于毫安(mA)到安培(A)量级的工作区域。3.根据权利要求1所述的用于射频功率放大器的半导体器件，其特征在于，所述宽带隙材料包括In
x
Ga
(1
‑
x)
P和In
x
Ga
(1
‑
x)
As
y
P
(1
‑
y)
，x和1
‑
x代表In和G...

【专利技术属性】
技术研发人员：张毕禅，王显泰，龙海波，王虹，钱永学，孟浩，黄鑫，
申请(专利权)人：北京昂瑞微电子技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：