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本实用新型提供一种用于射频功率放大器的半导体器件，包括：衬底层，其被配置为通过GaAs来形成；亚集电极层，其被配置在衬底层上，并且被配置为通过n+型掺杂的GaAs来形成；集电极层，其被配置在亚集电极层上，并且被配置为通过n型掺杂的宽带隙材料...
该专利属于北京昂瑞微电子技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京昂瑞微电子技术股份有限公司授权不得商用。

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