一种提高波长稳定性的半导体激光器芯片制造技术

本发明专利技术公开一种提高波长稳定性的半导体激光器芯片，该芯片包括从下至上依次设置的N面金属、衬底层、N型限制层、N型波导层、量子阱有源层、P型波导层、P型限制层、接触层和P面金属。该芯片的出光腔面上覆盖有AR膜，且该芯片的非出光腔面覆盖有高反膜层，其是由两种折射率不同的材料层相互交错分布形成的高低折射率周期分布的高反膜。所述P面金属靠近高反膜层的一端是由金属区域和无金属区域交错分布构成的周期性布拉格光栅结构，且该周期性布拉格光栅结构和所述高反膜层相连。所述P型限制层、接触层和P面金属形成脊型区域。本发明专利技术通过在非出光腔面设置特殊构造的高反膜实现了波长锁定，有效提高了半导体激光器出射波长的稳定性。定性。定性。

【技术实现步骤摘要】
一种提高波长稳定性的半导体激光器芯片


[0001]本专利技术涉及半导体芯片
，具体涉及一种提高波长稳定性的半导体激光器芯片。

技术介绍

[0002]本专利技术
技术介绍
中公开的信息仅仅旨在增加对本专利技术的总体背景的理解，而不必然被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已经成为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
[0003]高功率半导体激光器在泵浦、工业、医疗等领域有着越来越广泛的应用，同时对半导体激光器性能要求也越来越高。由其在泵浦领域，对波长稳定性提出了更高的要求，一般来说，被泵浦材料的吸收谱宽度只有5～8nm，而普通半导体激光器的光谱宽度在6～8nm左右，并且半导体激光器的中心波长会随着温度的变好而变化，一般为0.3nm/℃，这就导致半导体激光器的出射波长很容易因外界温度的变化而偏离出被泵浦材料的吸收谱范围，进而导致泵浦效率急剧下降。
[0004]传统的锁模技术包括DBR、DFB以及腔外锁模等方式，该几种方式是通过在芯片或者腔外设置光栅，通过光栅进行波长锁定，但这几种技术都较为复杂，例如DBR和DFB需要在芯片上制备布拉本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提高波长稳定性的半导体激光器芯片，其特征在于，该芯片包括从下至上依次设置的N面金属、衬底层、N型限制层、N型波导层、量子阱有源层、P型波导层、P型限制层、接触层和P面金属；其中：该芯片的出光腔面上覆盖有AR膜；所述P型限制层、接触层和P面金属形成脊型区域；该芯片的非出光腔面覆盖有高反膜层，所述高反膜层是由两种折射率不同的材料层相互交错分布形成；所述P面金属靠近高反膜层的一端是由金属区域和无金属区域交错分布构成的周期性布拉格光栅结构，且该周期性布拉格光栅结构和所述高反膜层相连。2.根据权利要求1所述的提高波长稳定性的半导体激光器芯片，其特征在于，所述高反膜层的反射率中心波长与半导体激光器芯片的中心波长匹配。3.根据权利要求1所述的提高波长稳定性的半导体激光器芯片，其特征在于，构成所述高反膜层两种折射率不同材料的折射率差控制在0.01～0.04之间。4.根据权利要求1所述的提高波长稳定性的半导体激光器芯片，其特征在于，所述周期性布拉格光栅结构的周期为半导体激光器芯片中心波长的高阶布拉格光栅周期；可选地，所述高阶布拉格光栅周期为6～10阶。5.根据权利要求1所述的提高波长稳定性的半导体激光器芯片，其特征在于，所述周期性布拉格光栅结构的长度为半导体芯片谐振腔长度的0.2～0.3倍；所述P面金属的其余部分为全覆盖的形式设置在所述接触层的上表面上。6.根据权利要求1
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5任一项所述的提高波长稳定性的半导体激光器芯片，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙春明，张秀萍，
申请(专利权)人：山东华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：