一种单片集成正方形-FP耦合腔激光器阵列及制备方法技术

本公开提供一种单片集成正方形

【技术实现步骤摘要】
一种单片集成正方形
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FP耦合腔激光器阵列及制备方法


[0001]本公开涉及半导体光电子
，具体涉及一种单片集成正方形
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法布里
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珀罗(FP)耦合腔激光器阵列及制备方法。

技术介绍

[0002]光纤数据通信系统中，快速增长的巨大信息容量要求局域网传输越来越高的比特速率，为了满足对大带宽和高速光通信日益增长的需求，电气电子工程师学会(Institute of Electrical and Electronics Engineers，IEEE)在2010年公布了40G和100G以太网数据通讯标准。在发射器这一端，电吸收调制激光器(Electro
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absorption modulated laser，EML)和直接调制激光器(Directly modulated laser，DML)已经开发出来，与EML相比，DML具有体积更小、成本更低、功耗更低、制造工艺更简单等优点，可用于实现低成本发射器。由于高速直调分布反馈(Distributed feedback，DFB)激光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种单片集成正方形
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FP耦合腔激光器阵列，其特征在于，包括：激光器阵列，其中每个激光器包括一个正方形回音壁微腔角向连接一个FP腔的第一端，每个所述正方形回音壁微腔的尺寸不同，每个所述FP腔的尺寸相同；多模干涉耦合器用于将激光器阵列的激光进行合波后输出；弯曲波导，其一端分别与所述FP腔的第二端连接，其另一端与所述多模干涉耦合器连接。2.根据权利要求1所述的单片集成正方形
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FP耦合腔激光器阵列，其特征在于，所述正方形回音壁微腔的边长形成等差数列。3.根据权利要求2所述的单片集成正方形
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FP耦合腔激光器阵列，其特征在于，每个所述FP腔之间的间隔g为250μm。4.根据权利要求3所述的单片集成正方形
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FP耦合腔激光器阵列，其特征在于，正方形回音壁微腔、FP腔的深度h的范围为4～5μm。5.根据权利要求1所述的单片集成正方形
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FP耦合腔激光器阵列，其特征在于，所述激光器阵列包括四通道、八通道、十六通道。6.根据权利要求1所述的单片集成正方形
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FP耦合腔激光器阵列，其特征在于，所述正方形回音壁微腔包括电触发结构。7.根据权利要求1所述的单片集成正方形
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄勇涛，张振宁，李建成，肖金龙，杨跃德，黄永箴，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：