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本发明公开一种提高波长稳定性的半导体激光器芯片，该芯片包括从下至上依次设置的N面金属、衬底层、N型限制层、N型波导层、量子阱有源层、P型波导层、P型限制层、接触层和P面金属。该芯片的出光腔面上覆盖有AR膜，且该芯片的非出光腔面覆盖有高反膜层...
该专利属于山东华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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