薄膜晶体管及制备方法、存储单元及制备方法、存储器技术

本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及制备方法、存储单元及制备方法、存储器。在本申请实施例提供的薄膜晶体管中，通过在源极结构和漏极结构远离衬底基板的一侧设置接触结构，能够避免氧化物半导体结构与源极结构以及漏极结构接触，从而能够避免源极结构和漏极结构被氧化物半导体结构所氧化，能够避免源极结构和漏极结构与氧化物半导体结构之间形成氧化层，从而能够降低源极结构和漏极结构与氧化物半导体结构之间的接触电阻，进而能够保障薄膜晶体管的工作稳定性。体管的工作稳定性。体管的工作稳定性。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及制备方法、存储单元及制备方法、存储器


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，本申请涉及一种薄膜晶体管及制备方法、存储单元及制备方法、存储器。

技术介绍

[0002]随着电子技术的发展，TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)越来越多的应用于各种电子产品中。目前，以IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，氧化铟镓锌)TFT为代表的氧化物薄膜晶体管由于具有良好的性能，越来越多的应用于各种电子器件。
[0003]但是，在目前应用的氧化物薄膜晶体管中，氧化物半导体层会直接与源漏极结构接触，由于氧化物半导体层中的氧原子活性较高，源漏极结构中材料容易被氧化物半导体层氧化，导致源漏极结构与氧化物半导体层之间的电阻增大，进而导致薄膜晶体管的稳定性下降。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点，提出一种薄膜晶体管及制备方法、存储单元及制备方法、存储器，用以解决现有技术薄膜晶体管的源漏极结构容易被氧化物半导体层氧化，导致源漏极结构与氧化物半导体层之间的电阻增大的技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底基板；栅极结构，设置于所述衬底基板的一侧；绝缘层，设置于所述栅极结构和所述衬底基板的一侧；源极结构和漏极结构，均设置于所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧；接触结构，设置于所述源极结构和所述漏极结构远离所述衬底基板的一侧；氧化物半导体结构，与所述接触结构同层设置，位于所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧，所述氧化物半导体结构对应沟道区。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述接触结构在所述衬底基板的正投影，覆盖所述源极结构和所述漏极结构在所述衬底基板的正投影。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述接触结构的材料包括铟镓锌，所述氧化物半导体结构的材料包括铟镓锌氧化物。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，沿垂直于所述衬底基板的方向，所述接触结构的尺寸为0
‑
10纳米。5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述接触结构和所述氧化物半导体结构远离所述衬底基板的一侧设置有保护层。6.一种存储单元，其特征在于，包括如上述权利要求1
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5中任意一项所述的薄膜晶体管。7.根据权利要求6所述的存储单元，其特征在于，包括至少两个堆叠的所述薄膜晶体管，沿堆叠的方向，任意相邻两个所述薄膜晶体管中，下方一个所述薄膜晶体管的保护层充当上方一个所述薄膜晶体管的衬底基板。8.一种存储器，其特征在于，包括：如上述权利要求6或7所述的存储单元。9.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在衬底基板的一侧制备栅极结构；在所述栅极结构和所述衬底基板的一侧制备绝缘层；在所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧制备源极结构和漏极结构；在所述源极结构、所述漏极结构和所述绝缘层的一侧制备设计金属层；在所述设计金属层远离所述衬底基板的一侧制备掩膜结构，使得所述设计金属层中与...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗杰，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：