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本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及制备方法、存储单元及制备方法、存储器。在本申请实施例提供的薄膜晶体管中，通过在源极结构和漏极结构远离衬底基板的一侧设置接触结构，能够避免氧化物半导体结构与源极结构以及漏极结构接触，从而能够避免源极结构和漏极...
该专利属于北京超弦存储器研究院所有，仅供学习研究参考，未经过北京超弦存储器研究院授权不得商用。

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