一种用于成膜装置的气体喷射装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于成膜装置的气体喷射装置，包括反应管，反应管的外侧壁沿长度方向设置有至少两个外管道，外管道上沿长度方向设置有若干贯通至反应管内部的第一喷射孔，第一喷射孔的孔径从反应管的内侧壁到外侧壁逐渐变小；外管道内设置有内管道，内管道用于通过反应气体，内管道上设置有与第一喷射孔逐一对应的第二喷射孔；歧管上设置有用于排出反应管内气体的真空端口，歧管的侧壁上设置有沿圆周方向延伸的预热管道。本发明专利技术将不同的反应气体隔绝，避免反应气体相遇形成杂质颗粒，气体通过第一喷射孔时呈锥形扩散，更好地覆盖在晶圆上，通过预热管道对反应气体进行预热，改善沉积效果，获得质量更好的膜。获得质量更好的膜。获得质量更好的膜。

【技术实现步骤摘要】
一种用于成膜装置的气体喷射装置


[0001]本专利技术涉及半导体成膜
，尤其是涉及一种用于成膜装置的气体喷射装置。

技术介绍

[0002]半导体设备集成度越高，就越需要能够沉积更精密且厚度均匀的膜的装置，集成度提高时，半导体中使用的膜就会被要求多样化，沉积的温度会进一步降低，这样气体到达晶圆表面时活性也不充分。为了在低温下沉积，需要采取方案激活反应气体，当温度降低时，不完全沉积会增多，由此产生不需要的杂质颗粒；若几种不同的反应气体在沉积之前相遇反应并沉积，则膜的覆盖性会变差，因此在沉积之前需要防止反应气体相遇，并且，若在反应之前，反应气体相遇并沉积在反应管的外壁上，晶舟升降时也会引起杂质颗粒散布掉落在晶圆上。因此亟需本领域技术人员设计一种装置，避免反应气体在沉积前相遇，提高反应气体的活性，最大限度地抑制杂质颗粒，获得最佳的膜质量。

技术实现思路

[0003]针对上述存在的技术问题，本专利技术的目的是：提供一种用于成膜装置的气体喷射装置，抑制杂质颗粒的产生，改善成膜质量。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于成膜装置的气体喷射装置，其特征在于：包括反应管，所述反应管的底部设置有可供晶舟通过的入口，所述入口处设置有与反应管同轴的歧管；所述反应管的外侧壁沿长度方向设置有至少两个外管道，所述外管道上沿长度方向设置有若干贯通至反应管内部的第一喷射孔，所述第一喷射孔的孔径从反应管的内侧壁到外侧壁逐渐变小；所述外管道内设置有内管道，所述内管道用于通过反应气体，所述内管道与外管道之间的间隙用于通过惰性气体，所述内管道上设置有与第一喷射孔逐一对应的第二喷射孔；所述歧管上设置有用于排出反应管内气体的真空端口，所述歧管的侧壁上设置有沿圆周方向延伸的预热管道，所述预热管道的数量与内管道相对应，所述预热管道包括用于注入反应气体的第一端和与内管道对应连通的第二端。2.根据权利要求1所述的用于成膜装置的气体喷射装置，其特征在于：所述歧管内设置有均压装...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘载安，蒋超为，张小强，
申请(专利权)人：东领科技装备有限公司，
类型：发明
国别省市：