存储器操作管控方法、存储装置及存储器控制电路单元制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储器操作管控方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述方法包括：建立管理数据，其包括状态记录数据；将对应于第一实体单元的第一状态信息存储于所述状态记录数据中；接收来自主机系统的操作指令；根据所述操作指令查询所述管理数据；以及根据查询结果决定是否允许对所述第一实体单元执行所述操作指令。由此，可提高可复写式非易失性存储器模块的工作效率。性存储器模块的工作效率。性存储器模块的工作效率。

【技术实现步骤摘要】
存储器操作管控方法、存储装置及存储器控制电路单元


[0001]本专利技术涉及一种存储器管理技术，尤其涉及一种存储器操作管控方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。

技术介绍

[0002]智能手机、平板计算机及个人计算机在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non
‑
volatile memory module)(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。
[0003]一般来说，可复写式非易失性存储器模块在操作上存在诸多操作规范，例如同一个存储器区块只能使用一种写入模式来写入数据、同一个存储器区块中的存储器地址必须要依序使用及前一指令执行完毕才能执行下一个指令等。若违反此些操作规范，则数据将无法正确写入可复写式非易失性存储器模块中。但是，实务上并没有针对前述一或多种操作规范进行整合的存储器操作监控机制，从而导致对可复写式非易失性存储器模块的执行失败事件时常发生。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种存储器操作管控方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元，可提高可复写式非易失性存储器模块的工作效率。
[0005]本专利技术的范例实施例提供一种存储器操作管控方法，其用于可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元。所述存储器操作管控方法包括：建立管理数据，其中所述管理数据包括状态记录数据；将对应于所述多个实体单元中的第一实体单元的第一状态信息存储于所述状态记录数据中；接收来自主机系统的操作指令；根据所述操作指令查询所述管理数据；以及根据查询结果决定是否允许对所述第一实体单元执行所述操作指令。
[0006]本专利技术的范例实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以连接至主机系统。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元。所述存储器控制电路单元连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以：建立管理数据，其中所述管理数据包括状态记录数据；将对应于所述多个实体单元中的第一实体单元的第一状态信息存储于所述状态记录数据中；接收来自主机系统的操作指令；根据所述操作指令查询所述管理数据；以及根据查询结果决定是否允许对所述第一实体单元执行所述操作指令。
[0007]本专利技术的范例实施例另提供一种存储器控制电路单元，其用于控制可复写式非易失性存储器模块。所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元。所述存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口及存储器管理电路。所述主机接口用以连接至主机系
统。所述存储器接口用以连接至所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器管理电路连接至所述主机接口与所述存储器接口。所述存储器管理电路用以：建立管理数据，其中所述管理数据包括状态记录数据；将对应于所述多个实体单元中的第一实体单元的第一状态信息存储于所述状态记录数据中；接收来自主机系统的操作指令；根据所述操作指令查询所述管理数据；以及根据查询结果决定是否允许对所述第一实体单元执行所述操作指令。
[0008]基于上述，在建立管理数据后，对应于第一实体单元的第一状态信息可存储于管理数据中的状态记录数据中。尔后，根据来自主机系统的操作指令，所述管理数据可被查询，且查询结果可用以决定是否允许对第一实体单元执行所述操作指令。由此，可有效减少可复写式非易失性存储器模块的执行失败事件和/或提高可复写式非易失性存储器模块的工作效率。
附图说明
[0009]图1是根据本专利技术的范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(I/O)装置的示意图；
[0010]图2是根据本专利技术的范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及I/O装置的示意图；
[0011]图3是根据本专利技术的范例实施例所示出的主机系统与存储器存储装置的示意图；
[0012]图4是根据本专利技术的范例实施例所示出的存储器存储装置的示意图；
[0013]图5是根据本专利技术的范例实施例所示出的存储器控制电路单元的示意图；
[0014]图6是根据本专利技术的范例实施例所示出的管理可复写式非易失性存储器模块的示意图；
[0015]图7是根据本专利技术的范例实施例所示出的存储器存储装置的系统架构示意图；
[0016]图8是根据本专利技术的范例实施例所示出的存储器操作管控方法的流程图。
具体实施方式
[0017]现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
[0018]一般而言，存储器存储装置(亦称，存储器存储系统)包括可复写式非易失性存储器模块(rewritable non
‑
volatile memory module)与控制器(亦称，控制电路)。存储器存储装置可与主机系统一起使用，以使主机系统可将数据写入至存储器存储装置或从存储器存储装置中读取数据。
[0019]图1是根据本专利技术的范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及输入/输出(I/O)装置的示意图。图2是根据本专利技术的范例实施例所示出的主机系统、存储器存储装置及I/O装置的示意图。
[0020]请参照图1与图2，主机系统11可包括处理器111、随机存取存储器(random access memory,RAM)112、只读存储器(read only memory,ROM)113及数据传输接口114。处理器111、随机存取存储器112、只读存储器113及数据传输接口114可连接至系统总线(system bus)110。
[0021]在一范例实施例中，主机系统11可通过数据传输接口114与存储器存储装置10连
Device Electronics,IDE)标准或其他适合的标准。连接接口单元41可与存储器控制电路单元42封装在一个芯片中，或者连接接口单元41是布设于一包含存储器控制电路单元42的芯片外。
[0030]存储器控制电路单元42连接至连接接口单元41与可复写式非易失性存储器模块43。存储器控制电路单元42用以执行以硬件型式或固件型式实作的多个逻辑门或控制指令并且根据主机系统11的指令在可复写式非易失性存储器模块43中进行数据的写入、读取与抹除等运作。
[0031]可复写式非易失性存储器模块43用以存储主机系统11所写入的数据。可复写式非易失性存储器模块43可包括单阶存储单元(Single Level Cell,SLC)NAND型快闪存储器模块(即，一个存储单元中可存储1个比特的快闪存储器模块)、二阶存储单元(Multi Level Cell,MLC)NAND型快闪存储器模块(即，一个存储单元中可存储2个比特的快闪存储器模块)、三阶存储单元(Triple Level Cell,TL本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器操作管控方法，其特征在于，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元，且所述存储器操作管控方法包括：建立管理数据，其中所述管理数据包括状态记录数据；将对应于所述多个实体单元中的第一实体单元的第一状态信息存储于所述状态记录数据中；接收来自主机系统的操作指令；根据所述操作指令查询所述管理数据；以及根据查询结果决定是否允许对所述第一实体单元执行所述操作指令。2.根据权利要求1所述的存储器操作管控方法，其中所述第一状态信息反映所述第一实体单元的操作模式。3.根据权利要求1所述的存储器操作管控方法，其中所述第一状态信息反映所述第一实体单元的数据存储状态。4.根据权利要求3所述的存储器操作管控方法，其中所述第一状态信息包括所述第一实体单元中最后被程序化的实体程序化单元的地址信息。5.根据权利要求1所述的存储器操作管控方法，其中所述可复写式非易失性存储器模块更包括多个芯片使能区域，所述第一实体单元位于所述多个芯片使能区域中的第一芯片使能区域中，所述管理数据更包括指令记录数据，且所述存储器状态识别方法更包括：将对应于所述第一芯片使能区域的指令信息存储于所述指令记录数据中，其中所述指令信息与过去下达至所述第一芯片使能区域的至少一操作指令有关。6.根据权利要求5所述的存储器操作管控方法，其中所述指令信息反映最后一个下达至所述第一芯片使能区域的操作指令的指令内容。7.根据权利要求1所述的存储器操作管控方法，其中根据所述查询结果决定是否允许对所述第一实体单元执行所述操作指令的步骤包括：在指示所述可复写式非易失性存储器模块执行对应于所述操作指令的操作行为之前，将所述操作行为的特性信息与所述查询结果进行比对；响应于所述比对结果反映所述特性信息与所述查询结果相互吻合，指示所述可复写式非易失性存储器模块执行所述操作行为；以及响应于所述比对结果反映所述特性信息与所述查询结果不相互吻合，不指示所述可复写式非易失性存储器模块执行所述操作行为。8.根据权利要求1所述的存储器操作管控方法，还包括：在判定不允许对所述第一实体单元执行所述操作指令后，在未执行所述操作指令的情况下，发送对应于所述操作指令的替代回应信息至所述主机系统。9.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：连接接口单元，用以连接至主机系统；可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块包括多个实体单元；以及存储器控制电路单元，连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块，其中所述存储器控制电路单元用以：
建立管理数据，其中所述管理数据包括状态记录数据；将对应于所述多个实体单元中的第一实体单元的第一状态信息存储于所述状态记录数据中；接收来自所述主机系统的操作指令；根据所述操作指令查询所述管理数据；以及根据查询结果决定是否允许对所述第一实体单元执行所述操作指令。10.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中所述第一状态信息反映所述第一实体单元的操作模式。11.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中所述第一状态信息反映所述第一实体单元的数据存储状态。12.根据权利要求11所述的存储器存储装置，其中所述第一状态信息包括所述第一实体单元中最后被程序化的实体程序化单元的地址信息。13.根据权利要求9所述的存储器存储装置，其中所述可复写式非易失性存储器模块更包括多个芯片使能区域，所述第一实体单元位于所述多个芯片使能区域中的第一芯片使能区域中，所述管理数据更包括指令记录数据，且所述存储器控制电路单元更用以：将对应于所述第一芯片使能区域的指令信息存储于所述指令记录数据中，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：王智麟，洪婉君，朱启傲，张洋，王鑫，
申请(专利权)人：合肥兆芯电子有限公司，
类型：发明
国别省市：