System.ArgumentOutOfRangeException: 索引和长度必须引用该字符串内的位置。 参数名: length 在 System.String.Substring(Int32 startIndex, Int32 length) 在 zhuanliShow.Bind() 存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元制造方法及图纸_技高网

存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元制造方法及图纸

技术编号:40564982 阅读:6 留言:0更新日期:2024-03-05 19:28
本发明专利技术提供一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元。所述存储器管理方法包括:建立用以管理多个实体区块的实体区块管理表;当发生异常掉电后重新起电时,基于实体区块管理表挑选至少一待更新实体区块;响应于至少一待更新实体区块的数量大于1个,判断至少一待更新实体区块的至少一当前状态以及至少一类别;以及当执行第一写入操作时,基于至少一当前状态以及至少一类别一并执行至少一第二写入操作。第一写入操作包括将用户数据写入高速缓冲存储器。第二写入操作包括将待更新实体区块所存储的数据写入至第一实体区块。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种存储器更新技术,且尤其涉及一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元


技术介绍

1、智能手机、平板计算机及个人计算机在这几年来的成长十分迅速,使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(rewritable non-volatile memory module)(例如,闪存)具有数据非易失性、省电、体积小,以及无机械结构等特性,所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

2、为了因应时常发生在存储器存储装置的异常掉电(abnormal/suddenly powerlost)、跨温(cross temperature)或读取干扰(read disturb)等问题,在起电初始化(initialization)过程中,存储器存储装置需要针对部分实体区块进行更新(refresh)操作。然而,随着存储器存储装置的容量的增加,由更新操作所造成的输入输出延迟(iolatency)时间也随之增加,严重影响用户的体验质量。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术提供一种存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元,可以平均分摊输入输出延迟(io latency)时间,以提高用户的体验质量。

2、本专利技术的范例实施例提供一种存储器管理方法,其用于存储器存储装置。所述存储器存储装置包括可复写式非易失性存储器模块及高速缓冲存储器。所述可复写式非易失性存储器模块存储多个实体区块。所述存储器管理方法包括:建立用以管理所述多个实体区块的实体区块管理表;当发生异常掉电后重新起电时,基于所述实体区块管理表挑选至少一待更新实体区块;响应于所述至少一待更新实体区块的数量大于1个,判断所述至少一待更新实体区块的至少一当前状态以及至少一类别;以及当执行第一写入操作时,基于所述至少一当前状态以及所述至少一类别一并执行至少一第二写入操作,其中所述第一写入操作包括将用户数据写入所述高速缓冲存储器,并且各所述第二写入操作包括将待更新实体区块所存储的数据写入至第一实体区块。

3、在本专利技术的一范例实施例中,所述存储器管理方法还包括:响应于所述至少一待更新实体区块的数量等于1个,当执行所述第一写入操作时,一并执行所述第二写入操作。

4、在本专利技术的一范例实施例中,其中各所述当前状态为紧急状态以及正常状态的其中之一。

5、在本专利技术的一范例实施例中,其中基于所述至少一当前状态以及所述至少一类别执行所述至少一第二写入操作的步骤包括:响应于各所述待更新实体区块的当前状态不同,优先执行具有所述紧急状态的待更新实体区块的第二写入操作。

6、在本专利技术的一范例实施例中,其中基于所述至少一当前状态以及所述至少一类别执行所述至少一第二写入操作的步骤包括:响应于各所述待更新实体区块的当前状态相同,依序执行对应于所述映射实体区块、所述垃圾回收实体区块以及所述数据实体区块的第二写入操作。

7、本专利技术的范例实施例另提供一种存储器存储装置,其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块及存储器控制电路单元。所述连接接口单元用以耦接至主机系统。所述存储器控制电路单元耦接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元包括高速缓冲存储器。所述可复写式非易失性存储器模块存储多个实体区块。所述存储器控制电路单元用以建立用以管理所述多个实体区块的实体区块管理表。当发生异常掉电后重新起电时,所述存储器控制电路单元更用以基于所述实体区块管理表挑选至少一待更新实体区块。响应于所述至少一待更新实体区块的数量大于1个,所述存储器控制电路单元更用以判断所述至少一待更新实体区块的至少一当前状态以及至少一类别。当执行第一写入操作时,基于所述至少一当前状态以及所述至少一类别一并执行至少一第二写入操作。所述第一写入操作包括将用户数据写入所述高速缓冲存储器。各所述第二写入操作包括将待更新实体区块所存储的数据写入至第一实体区块。

8、在本专利技术的一范例实施例中,响应于所述至少一待更新实体区块的数量等于1个,所述存储器控制电路单元更用以当执行所述第一写入操作时,一并执行所述第二写入操作。

9、在本专利技术的一范例实施例中,响应于各所述待更新实体区块的当前状态不同,所述存储器控制电路单元更用以优先执行具有所述紧急状态的待更新实体区块的第二写入操作。

10、在本专利技术的一范例实施例中,响应于各所述待更新实体区块的当前状态相同,所述存储器控制电路单元更用以依序执行对应于所述映射实体区块、所述垃圾回收实体区块以及所述数据实体区块的第二写入操作。

11、本专利技术的范例实施例另提供一种存储器控制电路单元,其用以控制可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元包括主机接口、存储器接口、高速缓冲存储器及存储器管理电路。所述主机接口用以耦接至主机系统。所述存储器接口用以耦接至所述可复写式非易失性存储器模块。所述高速缓冲存储器用以耦接所述主机接口与所述存储器接口。所述存储器管理电路耦接至所述主机接口、所述存储器接口与所述高速缓冲存储器。所述可复写式非易失性存储器模块存储多个实体区块。所述存储器管理电路用以建立用以管理所述多个实体区块的实体区块管理表。当发生异常掉电后重新起电时,所述存储器管理电路更用以基于所述实体区块管理表挑选至少一待更新实体区块。响应于所述至少一待更新实体区块的数量大于1个,所述存储器管理电路更用以判断所述至少一待更新实体区块的至少一当前状态以及至少一类别。当执行第一写入操作时,所述存储器管理电路更用以基于所述至少一当前状态以及所述至少一类别一并执行至少一第二写入操作。所述第一写入操作包括将用户数据写入所述高速缓冲存储器。各所述第二写入操作包括将待更新实体区块所存储的数据写入至第一实体区块。

12、在本专利技术的一范例实施例中,响应于所述至少一待更新实体区块的数量等于1个,所述存储器管理电路更用以当执行所述第一写入操作时,一并执行所述第二写入操作。

13、在本专利技术的一范例实施例中,响应于各所述待更新实体区块的当前状态不同,所述存储器管理电路更用以优先执行具有所述紧急状态的待更新实体区块的第二写入操作。

14、在本专利技术的一范例实施例中,响应于各所述待更新实体区块的当前状态相同,所述存储器管理电路更用以依序执行对应于所述映射实体区块、所述垃圾回收实体区块以及所述数据实体区块的第二写入操作。

15、基于上述,本专利技术的存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元可在执行第一写入操作时,一并执行第二写入操作。也就是说,本专利技术的存储器管理方法、存储器存储装置及存储器控制电路单元可在高速缓冲存储器被写满之前,分次完成待更新实体区块的更新操作(第二写入操作),使得输入输出延迟(io latency)可被平均分摊,以提升用户的体验质量。

16、为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。

本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种存储器管理方法,其特征在于,用于存储器存储装置,其中所述存储器存储装置包括可复写式非易失性存储器模块及高速缓冲存储器,所述可复写式非易失性存储器模块存储多个实体区块,所述存储器管理方法包括:

2.根据权利要求1所述的存储器管理方法,还包括:

3.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中各所述当前状态为紧急状态以及正常状态的其中之一。

4.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中各所述类别为用以存储所述用户数据的数据实体区块、用以存储垃圾回收信息的垃圾回收实体区块以及用以存储映射表信息的映射实体区块的其中之一。

5.根据权利要求3所述的存储器管理方法,其中基于所述至少一当前状态以及所述至少一类别一并执行所述至少一第二写入操作的步骤包括:

6.根据权利要求4所述的存储器管理方法,其中基于所述至少一当前状态以及所述至少一类别一并执行所述至少一第二写入操作的步骤包括:

7.一种存储器存储装置,其特征在于,包括:

8.根据权利要求7所述的存储器存储装置,其中响应于所述至少一待更新实体区块的数量等于1个,所述存储器控制电路单元还用以当执行所述第一写入操作时,一并执行所述第二写入操作。

9.根据权利要求7所述的存储器存储装置,其中各所述当前状态为紧急状态以及正常状态的其中之一。

10.根据权利要求7所述的存储器存储装置,其中各所述类别为用以存储所述用户数据的数据实体区块、用以存储垃圾回收信息的垃圾回收实体区块以及用以存储映射表信息的映射实体区块的其中之一。

11.根据权利要求9所述的存储器存储装置,其中响应于各所述待更新实体区块的当前状态不同,所述存储器控制电路单元还用以优先执行具有所述紧急状态的待更新实体区块的第二写入操作。

12.根据权利要求10所述的存储器存储装置,其中响应于各所述待更新实体区块的当前状态相同,所述存储器控制电路单元还用以依序执行对应于所述映射实体区块、所述垃圾回收实体区块以及所述数据实体区块的第二写入操作。

13.一种存储器控制电路单元,其特征在于,设置于存储器存储装置中,用于控制可复写式非易失性存储器模块,所述可复写式非易失性存储器模块存储多个实体区块,所述存储器控制电路单元包括:

14.根据权利要求13所述的存储器控制电路单元,其中响应于所述至少一待更新实体区块的数量等于1个,所述存储器管理电路还用以当执行所述第一写入操作时,一并执行所述第二写入操作。

15.根据权利要求13所述的存储器控制电路单元,其中各所述当前状态为紧急状态以及正常状态的其中之一。

16.根据权利要求13所述的存储器控制电路单元,其中各所述类别为用以存储所述用户数据的数据实体区块、用以存储垃圾回收信息的垃圾回收实体区块以及用以存储映射表信息的映射实体区块的其中之一。

17.根据权利要求15所述的存储器控制电路单元,其中响应于各所述待更新实体区块的当前状态不同,所述存储器管理电路还用以优先执行具有所述紧急状态的待更新实体区块的第二写入操作。

18.根据权利要求16所述的存储器控制电路单元,其中响应于各所述待更新实体区块的当前状态相同,所述存储器管理电路还用以依序执行对应于所述映射实体区块、所述垃圾回收实体区块以及所述数据实体区块的第二写入操作。

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【技术特征摘要】

1.一种存储器管理方法,其特征在于,用于存储器存储装置,其中所述存储器存储装置包括可复写式非易失性存储器模块及高速缓冲存储器,所述可复写式非易失性存储器模块存储多个实体区块,所述存储器管理方法包括:

2.根据权利要求1所述的存储器管理方法,还包括:

3.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中各所述当前状态为紧急状态以及正常状态的其中之一。

4.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其中各所述类别为用以存储所述用户数据的数据实体区块、用以存储垃圾回收信息的垃圾回收实体区块以及用以存储映射表信息的映射实体区块的其中之一。

5.根据权利要求3所述的存储器管理方法,其中基于所述至少一当前状态以及所述至少一类别一并执行所述至少一第二写入操作的步骤包括:

6.根据权利要求4所述的存储器管理方法,其中基于所述至少一当前状态以及所述至少一类别一并执行所述至少一第二写入操作的步骤包括:

7.一种存储器存储装置,其特征在于,包括:

8.根据权利要求7所述的存储器存储装置,其中响应于所述至少一待更新实体区块的数量等于1个,所述存储器控制电路单元还用以当执行所述第一写入操作时,一并执行所述第二写入操作。

9.根据权利要求7所述的存储器存储装置,其中各所述当前状态为紧急状态以及正常状态的其中之一。

10.根据权利要求7所述的存储器存储装置,其中各所述类别为用以存储所述用户数据的数据实体区块、用以存储垃圾回收信息的垃圾回收实体区块以及用以存储映射表信息的映射实体区块的其中之一。

11.根据权利要求9所述的存储器存储装置,其中响应于...

【专利技术属性】
技术研发人员:王智麟郭亚杰汪恩洋曹快姚冬冬张云鹏
申请(专利权)人:合肥兆芯电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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