一种新型LED封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种新型LED封装结构，包括：基板、金导电层和芯片等；金导电层设置在基板上，形成若干个镂空区域。金导电层与芯片的正、负极经由焊线电连接；芯片布设于镂空区域内并与基板固定连接。通过使用金导电层，可避免传统银导电层因氧化或硫化产生变色对光的吸收，使LED的光效得以提高。此外，通过设置镂空区域，减少封装层与金导电层的粘接面积，使得封装层可以更多地与基板连接，提高封装层的粘接力，减少因封装层与金导电层的粘接性不高导致封装层脱离基板从而使焊线断裂的几率，进而提高LED的封装可靠度。进而提高LED的封装可靠度。进而提高LED的封装可靠度。

【技术实现步骤摘要】
一种新型LED封装结构


[0001]本技术涉及LED光源封装
，具体涉及一种新型LED封装结构。

技术介绍

[0002]LED(Light Emitting Diode)的基板常用的导电层的表面金属主要是银，导电层的面积会尽量加大以提高散热效果。在实现导电及散热的同时，因为银的反射率较高，也有利于提高LED光效。但在长期使用下，银容易会出现因氧化或硫化导致变色，从而产生光衰。
[0003]若将银改为金，则可避免变色的问题。但由于金对可见光的吸收率大于银，LED的光效会降低，此外，由于封装层与金的结合强度较低，容易出现封装层与金分离从而拉断焊线，导致可靠度降低问题。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的LED基板的导电层表面金属采用银或金时，光效变低、甚至容易出现失效的问题，从而提供一种新型LED封装结构。
[0005]为解决上述技术问题，本技术的技术方案如下：
[0006]一种新型LED封装结构，包括：基板、金导电层和芯片；所述金导电层设置在所述基板的上表面，所述金导电层设有若干个镂空区域；所述芯片布设于所述镂空区域内并与所述基板固定连接，所述镂空区域的面积大于所述芯片的底面积，所述芯片的正、负电极分别通过焊线与所述金导电层对应连接以形成回路。
[0007]根据本技术的一些实施例，还包括正极焊盘和负极焊盘，所述正极焊盘和所述负极焊盘均设置于所述基板的下表面，所述基板中设有多个适于导通所述金导电层和所述正极焊盘、所述负极焊盘的导电通孔。<br/>[0008]根据本技术的一些实施例，所述金导电层包括均设于所述基板上的正电路层和负电路层，所述正电路层和所述负电路层互不相连，且所述正电路层通过导电通孔与所述正极焊盘电连接，所述正电路层通过焊线与芯片的正极电连接；所述负电路层通过导电通孔和所述负极焊盘电连接，所述负电路层通过焊线与芯片的负极电连接，所述正电路层和所述负电路层围合形成多个所述镂空区域。
[0009]根据本技术的一些实施例，所述芯片数量为多个，多个所述芯片之间为串联和/或并联设置。
[0010]根据本技术的一些实施例，所述芯片的数量与所述镂空区域的数量一致，所述镂空区域呈对称分布。
[0011]根据本技术的一些实施例，还包括封装层，所述封装层设于所述基板上表面，所述封装层与所述基板连接以将所述金导电层、芯片及焊线密封。
[0012]根据本技术的一些实施例，所述封装层由透明硅胶或环氧树脂材料制成。
[0013]根据本技术的一些实施例，所述基板由无机非金属绝缘材料制成。
[0014]本技术技术方案，具有如下优点：
[0015]1.本技术提供的新型LED封装结构，通过在基板上设置金导电层，金导电层形成多个镂空区域，芯片布设于镂空区域内且与基板固定连接，通过减少金导电层的面积，进而减少对光的吸收，从而起到提高光效的作用。
[0016]2.本技术提供的新型LED封装结构，通过设置多个镂空区域，减少封装层与金导电层的粘接面积，使得封装层可以更多地与基板连接，提高封装层的粘接力，减少因封装层与金导电层的粘接性不高导致封装层脱离基板从而使焊线断裂的几率，可提高LED的封装可靠度。
[0017]3.本技术提供的新型LED封装结构，通过在多个镂空区域分别布设多个芯片，在保证同等光通量或辐射通量的基础上，减小单个芯片的驱动电流，从而降低芯片的结温，提高光效。
附图说明
[0018]为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本技术的一些实施例中提供的金导电层设置的结构示意图；
[0020]图2为本技术的一些实施例中提供的正、负极焊盘设置的示意图；
[0021]图3为本技术的一些实施例中提供的芯片布设的示意图。
[0022]附图标记说明：1、基板；2、金导电层；3、芯片；4、正极焊盘；5、负极焊盘；11、导电通孔；21、正电路层；22、负电路层；23、镂空区域。
具体实施方式
[0023]下面将结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0024]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0025]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0026]此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0027]参照图1至图3所示，本技术提出了一种新型LED封装结构，包括：基板1、金导电层2和芯片3；金导电层2设置在基板1上，金导电层2设有若干个镂空区域23；芯片3布设于镂空区域23内并与基板1固定连接，镂空区域23的面积大于芯片3的底面积，芯片3的正、负电极通过焊线与金导电层2对应连接以形成回路。
[0028]具体说明，通过在基板1上设置金导电层2，金导电层2围合形成若干个镂空区域23，芯片3设置在镂空区域23内且与基板1固定连接，通过设置镂空区域23的方式，减少金导电层2的面积，进而减少对光的吸收，从而提高LED光效。
[0029]通过设置多个镂空区域23，以减少封装层与金导电层2的粘接面积，提高封装层的粘接力，减少因封装层脱离基板而造成焊线断裂的几率，可提高LED的封装可靠度。
[0030]可以理解的是，本技术在基板1上设置金导电层2，可避免传统技术中银导电层因氧化或硫化变色从而产生光衰的缺陷，具体地，当基板1上采用银导电层时，LED灯珠在85℃，85％RH条件下老化3000小时光衰达13％，基于其它封装条件同等情况下，基板1上采用金导电层2时，在同样的老化条件下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型LED封装结构，其特征在于，包括：基板(1)；金导电层(2)，所述金导电层(2)设置在所述基板(1)的上表面，所述金导电层(2)设有若干个镂空区域(23)；芯片(3)，所述芯片(3)布设于所述镂空区域(23)内并与所述基板(1)固定连接，所述镂空区域(23)的面积大于所述芯片(3)的底面积，所述芯片(3)的正、负电极分别通过焊线与所述金导电层(2)对应连接以形成回路。2.根据权利要求1所述的新型LED封装结构，其特征在于，还包括均设置于所述基板(1)下表面的正极焊盘(4)和负极焊盘(5)，所述基板(1)中设有多个适于导通所述金导电层(2)和所述正极焊盘(4)、所述负极焊盘(5)的导电通孔(11)。3.根据权利要求2所述的新型LED封装结构，其特征在于，所述金导电层(2)包括均设于所述基板(1)上的正电路层(21)和负电路层(22)，所述正电路层(21)和所述负电路层(22)互不相连，且所述正电路层(21)通过所述导电通孔(11)与所述正极焊盘(4)电连接，所述正电...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢育仁，牛道远，
申请(专利权)人：港科技术佛山有限公司，
类型：新型
国别省市：