【技术实现步骤摘要】
一种真空锁系统、半导体处理设备和基片传输方法
[0001]本专利技术涉及一种真空锁系统、半导体处理设备和基片传输方法。
技术介绍
[0002]随着芯片的蓬勃发展，尺寸越做越低，为了保证质量的同步提高，对工艺要求和工艺缺陷的要求也越来越高，正常的一片基片从硅片到最后的封装，需要上千道工艺流程，而这些流程就需要对工艺要求非常高，尤其希望在提高产量的同时减少缺陷(defect)，因为这些缺陷所造成的后果可能是巨大的。
[0003]事实上，真正的基片厂在生产中，或多或少都会有不同的缺陷，例如，基片厂的环境，基片盒的磨损，人体因素，工艺过程等等。假设一片基片在工艺流程中由于某一种因素而产生了缺陷，并且在一段时间内又间接地影响了后续的机台。例如，基片的磨损(大颗粒，微米级，C材质)，这种缺陷就会影响后续很多工艺，会跟随着基片累积在工艺机台的任何地方，如果这种大颗粒缺陷形成在基片表面，它会在高温产生气泡(bubble)，而气泡又是基片良率的重大克星之一，而如果这种大颗粒形成在基片背面，那么一定会污染机台，甚至可以造成机台宕机，尤其...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种真空锁系统，其设置在半导体处理设备中的前端模块和真空传输腔之间，其特征在于，所述真空锁系统包含：至少一个过渡腔，以及至少两个真空锁，相邻的两个真空锁通过一个过渡腔连接。2.如权利要求1所述的真空锁系统，其特征在于，所述过渡腔的数量为n，所述过渡腔包含：第一级过渡腔、第二级过渡腔
……
第n级过渡腔；所述真空锁的数量为n+1，所述真空锁包含：第一级真空锁、第二级真空锁
……
第n级真空锁、第n+1级真空锁；所述第一级真空锁的前端连接所述前端模块，后端连接所述第一级过渡腔；每一级过渡腔的前端连接同一级的真空锁，后端连接下一级的真空锁；每一级真空锁的前端连接上一级的过渡腔，后端连接同一级的过渡腔；最后一级真空锁的前端连接上一级的过渡腔，后端连接所述真空传输腔。3.如权利要求2所述的真空锁系统，其特征在于，所述真空锁系统在运行时，所述过渡腔的气压值介于所述前端模块的气压值与所述真空传输腔的气压值之间，所述每一级真空锁的气压值小于等于与其前端连接的前端模块或过渡腔的气压值，所述每一级真空锁的气压值大于等于与其后端连接的过渡腔或真空传输腔的气压值。4.如权利要求3所述的真空锁系统，其特征在于，所述过渡腔包含至少一个腔体，以及连接所述腔体的进气系统和抽气系统；所述腔体包含：多个基片槽，其设置在所述腔体的内壁上，用于放置基片；至少一个可移动机械臂系统，用于运送基片；基片口；进气口，其设置在所述腔体上，连接至所述进气系统；抽气口，其设置在所述腔体上，连接至所述抽气系统。5.如权利要求4所述的真空锁系统，其特征在于，所述可移动机械臂系统位于所述腔体内或所述腔体外，所述可移动机械臂系统包含：机械臂，其具有平面360
°
运动范围；升降机构，其连接所述机械臂，用于带动所述机械臂做升降运动。6.如权利要求5所述的真空锁系统，其特征在于，所述可移动机械臂系统包含：平移机构，其连接所述升降机构，用于带动所述升降机构和所述机械臂做平移运动。7.如权利要求6所述的真空锁系统，其特征在于，所述过渡腔包含控制器，其用于控制所述可移动机械臂系统、基片口、进气系统和抽气系统。8.如权利要求4所述的真空锁系统，其特征在于，所述过渡腔的腔体上具有压力测量口，其连接至压力测量装置。9.如权利要求4所述的真空锁系统，其特征在于，至少两个所述腔体在竖直方向叠加设置。10.如权利要求9所述的真空锁系统，其特征在于，所有的所述腔体共用一个进气系统或每一个所述腔体单独使用一个进气系统，所有的所述腔体共用一个抽气系统或每一个所述腔体单独使用一个抽气系统。11.如权利要求3所述的真空锁系统，其特征在于，所述真空锁包含至少一个腔体，以及
连接所述腔体的进气系统和抽气系统；所述腔体包含：多个基片槽，其设置在所述腔体的内壁上，用于放置基片；基片口；进气口，其设置在所述腔体上，连接至所述进气系统；抽气口，其设置在所述腔体上，连接至所述抽气系统。12.如权利要求11所述的真空锁系统，其特征在于，所述真空锁包含控制器，其用于控制所述基片口、进气系统和抽气系统。13.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵军，王乔慈，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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