多频道分布式的抗干扰微波感应器制造技术

本发明专利技术提供一种多频道分布式的抗干扰微波感应器，其中以所述多频道分布式的抗干扰微波感应器的工作频率的中心频点形成的具有一定带宽的频道为其探测频道，在满足批量化生产的工艺步骤的统一性的状态，批量化生产的所述基于离散式多频点抗干扰的微波感应器在同一ISM频段内依相互间隔的多个中心频点的划分，具有或可被设定地具有不同的探测频道而呈多频道分布状态，以在所述多频道分布式的抗干扰微波感应器的实际使用中，避免多微波感应器应用场景下各所述多频道分布式的抗干扰微波感应器之间的同频干扰，进而保障所述多频道分布式的抗干扰微波感应器在多微波感应器应用场景下的工作稳定性。景下的工作稳定性。景下的工作稳定性。

【技术实现步骤摘要】
多频道分布式的抗干扰微波感应器


[0001]本专利技术涉及微波探测领域，特别涉及一种多频道分布式的抗干扰微波感应器。

技术介绍

[0002]随着物联网技术的发展，人工智能、智能家居、以及智能安防技术对于环境探测，特别是对于人的存在、移动以及微动的动作特征的探测需求越来越广泛，其中基于多普勒效应原理的微波探测技术作为人与物，物与物之间相联的重要枢纽在行为探测和存在探测技术中具有独特的优势，其能够在不侵犯人隐私的情况下，探测出活动物体，比如人的动作特征、移动特征、以及微动特征，甚至是人的心跳和呼吸特征信息，因而具有广泛的应用前景。具体地，相应微波感应器被一激励信号馈电而发射对应所述激励信号的频率一微波波束至相应目标空间，进而于所述目标空间形成一探测区域，和接收所述微波波束被所述探测区域内的相应物体反射形成的一反射回波，并通过混频检波的方式输出对应于所述微波波束和所述反射回波之间的频率/相位差异的一多普勒中频信号，其中基于多普勒效应原理，在反射所述微波波束的所述物体处于运动的状态时，所述回波信号与所述激励信号之间具有一定的频率/相位差异而于所述多普勒中频信号呈现相应的幅度波动以反馈相应人体、车辆等物体活动。
[0003]ISM(Industrial Scientific Medical)Band是由ITU
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R(ITU Radiocommunication Sector，国际通信联盟无线电通信局)定义的供开放给诸如工业、科学和医学等机构使用的无需授权许可的频段，在ITU
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R开放的这些频段中被应用于微波探测的频段主要有2.4GHz、5.8GHz、24.125GHz等频段，相应的微波感应器在使用这些频段时需要遵守一定的发射功率(一般发射功率低于1W)以减小对其他无线电设备的干扰，虽然不同频段的定义和许可能够规范无线电的使用频段而减小不同频段的无线电设备之间相互干扰的概率，然而在有限的频段资源许可下，随着相邻频段或相同频段的无线电使用覆盖率的提升，相邻或相同频段的无线电之间相互干扰的问题却日益严重。例如：以5.8GHz为例，除了微波感应器外，5GWIFI、无人机、高速公路的ETC、家庭的投屏器等无线电通讯设备都可能工作在该频段。其中，区别于这些无线电通讯设备通过调制的方式以电磁波的频率/幅度变化承载通讯信息而能够基于对同频段的电磁波信号的识别主动规避同频干扰，基于多普勒效应原理的微波感应器通过混频检波方式输出的所述多普勒中频信号不可避免地会受到与所述反射回波同频段的电磁辐射干扰。
[0004]特别地，在微波感应器的实际应用中，为了实现对各种设备的智能化设备控制、或者更智能化的服务，通常存在多个微波感应器被相邻安装的场景，以酒店为例，同一客房、同一过道、甚至同一位置，同时会安装多个微波感应器以实现不同区域和/或动作的探测而实现对相应设备的智能控制，而在微波感应器的批量化生产过程中，基于工艺步骤的统一对生产效率和生产成本的贡献，同一厂家生产的同一型号的微波感应器的工作频点是相同的。因此，随着同频段的无线电使用覆盖率的提升，微波感应器在实际使用中面临的同频干扰问题日益突出，尤其是多个微波感应器之间相互干扰的问题。为解决微波感应器在实际
使用中的同频干扰问题，包括多个微波感应器之间相互干扰的问题，我方在先提出基于微波感应器跳频前后的探测结果变化判断探测结果的准确性的技术方案。然而，对于多微波感应器的应用场景，由于不同微波感应器跳频后的工作频点无法统一管理，任一微波感应器的跳频动作都有可能引发蝴蝶效应式的跳频潮而产生持续的同频干扰问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的一目的在于提供一种多频道分布式的抗干扰微波感应器，其中以所述多频道分布式的抗干扰微波感应器的工作频率的中心频点形成的具有一定带宽的频道为所述多频道分布式的抗干扰微波感应器的探测频道，在满足批量化生产的工艺步骤的统一性的状态，批量化生产的所述多频道分布式的抗干扰微波感应器在同一ISM频段内依相互间隔的多个中心频点的划分，具有或可被设定地具有不同的探测频道，如此以在所述多频道分布式的抗干扰微波感应器的实际使用中，有利于避免多微波感应器应用场景下各所述多频道分布式的抗干扰微波感应器之间的相互干扰，进而保障所述多频道分布式的抗干扰微波感应器在多微波感应器应用场景下的工作稳定性。
[0006]本专利技术的另一目的在于提供一种多频道分布式的抗干扰微波感应器，其中批量化生产的所述多频道分布式的抗干扰微波感应器在同一频段内具有或可被设定地具有不同的探测频道，如此以在所述多频道分布式的抗干扰微波感应器的实际使用中，有利于降低多个所述多频道分布式的抗干扰微波感应器同时与环境中同频段的无线电通讯设备相互干扰的概率，进而保障所述多频道分布式的抗干扰微波感应器在实际使用中的工作稳定性。
[0007]本专利技术的另一目的在于提供一种多频道分布式的抗干扰微波感应器，其中批量化生产的所述多频道分布式的抗干扰微波感应器在同一频段内具有或可被设定地具有不同的探测频道，如此以在所述多频道分布式的抗干扰微波感应器的批量测试中，如老化测试和RS测试中，能够避免各所述多频道分布式的抗干扰微波感应器之间的相互干扰，从而降低对各所述多频道分布式的抗干扰微波感应器之间的隔离要求，对应降低批量测试的场地和设备要求，进而有利于提高批量测试效率和降低批量测试成本。
[0008]本专利技术的另一目的在于提供一种多频道分布式的抗干扰微波感应器，其中在满足批量化生产的工艺步骤的统一性的状态，批量化生产的所述多频道分布式的抗干扰微波感应器在同一频段内具有或可被设定地具有不同的探测频道，如此以在保障所述多频道分布式的抗干扰微波感应器的批量化生产效率的状态，保障所述多频道分布式的抗干扰微波感应器在实际使用中的工作稳定性。
[0009]本专利技术的另一目的在于提供一种多频道分布式的抗干扰微波感应器，其中具有不同探测频道的所述多频道分布式的抗干扰微波感应器在同一频段内的最小中心频点间隔大于等于0.01MHz且小于等于100MHz，以在保障批量化生产的所述多频道分布式的抗干扰微波感应器的探测频道数量的同时，保障各所述探测频道的频宽对基于多普勒效应原理所引起的频率变化量的包容性，对应有利于在满足多微波感应器应用场景对微波感应器的高数量需求的同时，能够基于各所述探测频道的频宽对基于多普勒效应原理所引起的频率变化量的包容性，保障多微波感应器应用场景下各所述探测频道之间的隔离，进而保障所述多频道分布式的抗干扰微波感应器在多微波感应器应用场景下的工作稳定性。
[0010]本专利技术的另一目的在于提供一种多频道分布式的抗干扰微波感应器，其中所述多频道分布式的抗干扰微波感应器包括一天线单元，一压控振荡单元、一混频检波单元、一可控式变容阵列以及具有寄存器的一数字逻辑单元，其中所述可控式变容阵列被电性连接于所述压控振荡单元，以使得所述压控振荡单元的输出频率的中心频点关联于所述可控式变容阵列的电容参数，其中所述天线单元被馈电连接于所述压控振荡单元，以在被所述压控振荡单元馈电的状态发射相应微波波束，和接收本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.多频道分布式的抗干扰微波感应器，其特征在于，包括：一天线单元；一压控振荡单元，其中所述天线单元被馈电连接于所述压控振荡单元，以在被所述压控振荡单元馈电的状态发射相应微波波束，和接收所述微波波束被相应物体反射形成的反射回波；一混频检波单元，其中所述混频检波单元被电性连接于所述压控振荡单元和所述天线单元，以通过混频检波的方式输出对应于所述微波波束和所述反射回波之间的频率/相位差异的多普勒中频信号；一可控式变容阵列，其中所述可控式变容阵列被电性连接于所述压控振荡单元，其中所述压控振荡单元的输出频率的中心频点关联于所述可控式变容阵列的电容参数；以及具有寄存器的一数字逻辑单元，其中所述数字逻辑单元被设置基于其寄存器的寄存器值控制所述可控式变容阵列的电容参数，以使得所述压控振荡单元的输出频率的中心频点能够基于所述寄存器的相应寄存器值被设置，从而使得所述多频道分布式的抗干扰微波感应器能够基于不同寄存器值的配置，具有不同的探测频道而呈多频道分布状态。2.根据权利要求1所述的多频道分布式的抗干扰微波感应器，其中所述可控式变容阵列包括多个可控式插入电容单元，其中各所述可控式插入电容单元以可开关控制的容性负载形态被设置，其中在所述可控式变容阵列被电性连接于所述压控振荡单元的状态，各所述可控式插入电容单元被电性连接于所述压控振荡单元的谐振回路和供电端的一端之间，以使得所述压控振荡单元的输出频率的中心频点关联于所述可控式变容阵列的电容参数，并允许基于相应所述可控式插入电容单元的开关状态变化形成所述可控式变容阵列的电容参数变化，其中所述数字逻辑单元被设置基于其寄存器的寄存器值控制相应所述可控式插入电容单元的开关状态而控制所述可控式变容阵列的电容参数。3.根据权利要求2所述的多频道分布式的抗干扰微波感应器，其中各所述可控式插入电容单元具有一场效应晶体管，其中在所述可控式变容阵列被电性连接于所述压控振荡单元的状态，所述场效应晶体管以漏极和源极为连接端的两端被电性连接于所述压控振荡单元的谐振回路和供电端的一端之间，如此以基于相应所述场效应晶体管的导通/截止状态变化形成所述可控式变容阵列的电容参数变化，其中所述数字逻辑单元被设置基于其寄存器的寄存器值控制相应所述可控式插入电容单元的所述场效应晶体管的导通/截止状态而控制所述可控式变容阵列的电容参数。4.根据权利要求3所述的多频道分布式的抗干扰微波感应器，其中各所述可控式插入电容单元还包括一电容，其中所述场效应晶体管经所述电容被电性连接于所述压控振荡单元的谐振回路或供电端的一端，以基于所述电容的参数设置，设置所述可控式插入电容单元基于其所述场效应晶体管的导通/截止状态变化形成的电容参数变化量。5.根据权利要求4所述的多频道分布式的抗干扰微波感应器，各所述可控式插入电容单元还包括与所述电容串联的一电感，以基于所述电感的设置，降低所述场效应晶体管的电容特性对相应所述可控式插入电容单元的电容参数的影响。6.根据权利要求2至5中任一所述的多频道分布式的抗干扰微波感应器，其中所述压控振荡单元具有两N沟道MOS管，两P沟道MOS管，一振荡电感以及一振荡电容其中两所述N沟道MOS管的源极电性相连，两所述P沟道MOS的源极电性相连，两所述N沟道MOS管的两漏极分别
被电性连接于不同所述P沟道MOS的漏极，如此以形成其中一所述N沟道MOS管的漏极电性连接于其中一所述P沟道MOS管的漏极，该所述P沟道MOS管的源极电性连接于另一所述P沟道MOS管的源极，该另一所述P沟道MOS管的漏极电性连接于另一所述N沟道MOS管的漏极，以及该另一所述N沟道MOS管的源极电性连接于前一所述N沟道MOS管的源极的顺序连接关系，其中两所述N沟道MOS管中，任一所述N沟道MOS管的栅极被电性连接于另一所述N沟道MOS管的漏极，其中两所述P沟道MOS管中，任一所述P沟道MOS管的栅极被电性连接于另一所述P沟道MOS管的漏极，其中所述振荡电感的两端分别被电性连接于不同所述P沟道MOS管的漏极，所述振荡电容的两端分别被电性连接于不同所述P沟道MOS管的漏极而与所述振荡电感并联，其中相互并联的所述振荡电容和所述振荡电感构成所述压控振荡单元的谐振回路。7.根据权利要求1至5中任一所述的多频道分布式的抗干扰微波感应器，所述数字逻辑单元的寄存器可配置的寄存器值组合被设置满足在最小中心频点间隔大于等于0.01MHz且小于等于100MHz的状态，于同一ISM频段内形成对相互间隔的多个中心频点的划分，对应基于所述寄存器可配置的寄存器值组合中不同寄存器值的配置，具有不同探测频道的所述多频道分布式的抗干扰微波感应器在同一ISM频段内的最小中心频点间隔大于等于0.01MHz且小于等于100MHz。8.根据权利要求7所述的多频道分布式的抗干扰微波感应器，其中所述多频道分布式的抗干扰微波感应器的每一个探测频道具有相应编号并称之为探测频道编号，并以关联所述探测频道编号与所述可配置的寄存器值组合中相应寄存器值的索引表为探测频道索引表，其中所述多频道分布式的抗干扰微波感应器进一步包括与所述数字逻辑单元通讯相连的一MCU，其中所述MCU具有一配置程序...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹高迪，邹明志，
申请(专利权)人：深圳迈睿智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：