一种多芯片封装模组及电路板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种多芯片封装模组及电路板，包括电路板本体和底板，所述底板安装于电路板本体的顶部，所述底板顶部的左端固定连接有滤波芯片本体，所述底板顶部的右端固定连接有非滤波芯片，所述底板的顶部设置有塑封壳，所述塑封壳上设置有导热翅片，所述塑封壳包括第一耐腐蚀层、第二耐腐蚀层和第三耐高温层，第一耐腐蚀层为高分子聚乙烯塑料，第二耐腐蚀层为聚苯硫醚塑料，第三耐高温层为聚醚醚酮塑料。本实用新型专利技术通过第一高强度层、第一耐高温层、第二耐高温层、第二高强度层、第一耐腐蚀层、第二耐腐蚀层、第三耐高温层和导热翅片相互配合，解决了现在的多芯片封装模组使用寿命短，且电路板强度不高容易损坏的问题。且电路板强度不高容易损坏的问题。且电路板强度不高容易损坏的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种多芯片封装模组及电路板


[0001]本技术涉及电子元器件
，具体为一种多芯片封装模组及电路板。

技术介绍

[0002]声表滤波器工作原理是声波在芯片表面传输，故针对声表滤波器的封装必须要保证叉指换能器表面不能接触其他物质，即需保证其芯片表面是空腔结构。否则影响信号传输。基于声表滤波器的射频模组产品，其元件组成包含天线开关、低噪放大器、电容、电感等常规的无需空腔即可工作的元件，现有技术中，在封装前，在设有的芯片上铺设一层干膜，但是该方法使得模组内的所有功 能芯片底部都存在空腔结构，使得非滤波功能芯片和承载板之间存在空腔，降低了非滤波功能芯片的稳固程度，所以现在多采用注塑封装，但现在的多芯片封装模组使用寿命短，且电路板强度不高容易损坏，为此，我们提出一种多芯片封装模组及电路板。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种多芯片封装模组及电路板，具备多芯片封装模组使用寿命长，且电路板不容易损坏的优点，解决了现在的多芯片封装模组使用寿命短，且电路板强度不高容易损坏的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种多芯片封装模组，包括电路板本体和底板，所述底板安装于电路板本体的顶部，所述底板顶部的左端固定连接有滤波芯片本体，所述底板顶部的右端固定连接有非滤波芯片，所述底板的顶部设置有塑封壳，所述塑封壳上设置有导热翅片，所述塑封壳包括第一耐腐蚀层、第二耐腐蚀层和第三耐高温层，所述第一耐腐蚀层为高分子聚乙烯塑料，所述第二耐腐蚀层为聚苯硫醚塑料，所述第三耐高温层为聚醚醚酮塑料。<br/>[0005]优选的，所述第一耐腐蚀层位于第二耐腐蚀层的外部，所述第二耐腐蚀层位于第三耐高温层的外部。
[0006]优选的，所述第一耐腐蚀层和第二耐腐蚀层的厚度相等，所述第一耐腐蚀层的厚度是第三耐高温层厚度的四分之三。
[0007]一种电路板，包括电路板本体，所述电路板本体包括第一高强度层、第一耐高温层、第二耐高温层和第二高强度层，所述第一高强度层为尼龙塑料，所述第一耐高温层为ABS塑料，所述第二耐高温层为PPO塑料，所述第二高强度层为PBT塑料。
[0008]优选的，所述第一高强度层位于第一耐高温层的外部，所述第一耐高温层位于第二耐高温层的外部，所述第二耐高温层位于第二高强度层的外部。
[0009]优选的，所述第一高强度层、第一耐高温层和第二高强度层的厚度相等，所述第二耐高温层的厚度是第一耐高温层厚度的三分之二。
[0010]与现有技术相比，本技术的有益效果如下：
[0011]本技术通过第一高强度层，可以使得电路板本体具有良好的强度，避免电路
板本体在使用过程中受到外力影响而破损断裂，利用第一耐高温层和第二耐高温层，可以使得电路板本体具有良好的耐高温性，避免电路板本体在使用过程中受到高温影响而变形，利用第二高强度层，可以进一步提高电路板本体的强度，利用第一耐腐蚀层和第二耐腐蚀层，可以使得塑封壳具有良好的耐腐蚀效果，避免塑封壳在使用过程中被腐蚀，可以提高塑封壳的使用寿命，利用第三耐高温层，可以使得塑封壳具有良好的耐高温性，避免塑封壳受到高温影响而损坏，利用导热翅片，可以起到散热的作用，可以将滤波芯片本体和非滤波芯片在运行过程中产生的热量导出，可以起到散热降温的作用，解决了现在的多芯片封装模组使用寿命短，且电路板强度不高容易损坏的问题。
附图说明
[0012]图1为本技术结构示意图；
[0013]图2为本技术电路板本体结构示意图；
[0014]图3为本技术塑封壳结构示意图。
[0015]图中：1、电路板本体；11、第一高强度层；12、第一耐高温层；13、第二耐高温层；14、第二高强度层；2、底板；3、滤波芯片本体；4、塑封壳；41、第一耐腐蚀层；42、第二耐腐蚀层；43、第三耐高温层；5、非滤波芯片；6、导热翅片。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0017]在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”、“前端”、“后端”、“头部”、“尾部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0018]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0019]请参阅图1
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3，一种多芯片封装模组，包括电路板本体1和底板2，底板2安装于电路板本体1的顶部，底板2顶部的左端固定连接有滤波芯片本体3，底板2顶部的右端固定连接有非滤波芯片5，底板2的顶部设置有塑封壳4，塑封壳4上设置有导热翅片6，塑封壳4包括第一耐腐蚀层41、第二耐腐蚀层42和第三耐高温层43，第一耐腐蚀层41为高分子聚乙烯塑料，第二耐腐蚀层42为聚苯硫醚塑料，第三耐高温层43为聚醚醚酮塑料，第一耐腐蚀层41位于第二耐腐蚀层42的外部，第二耐腐蚀层42位于第三耐高温层43的外部，第一耐腐蚀层41和第二耐腐蚀层42的厚度相等，第一耐腐蚀层41的厚度是第三耐高温层43厚度的四分之三。
[0020]一种电路板，包括电路板本体1，电路板本体1包括第一高强度层11、第一耐高温层12、第二耐高温层13和第二高强度层14，第一高强度层11为尼龙塑料，第一耐高温层12为ABS塑料，第二耐高温层13为PPO塑料，第二高强度层14为PBT塑料，第一高强度层11位于第一耐高温层12的外部，第一耐高温层12位于第二耐高温层13的外部，第二耐高温层13位于第二高强度层14的外部，第一高强度层11、第一耐高温层12和第二高强度层14的厚度相等，第二耐高温层13的厚度是第一耐高温层12厚度的三分之二。
[0021]使用时，通过第一高强度层11，可以使得电路板本体1具有良好的强度，避免电路板本体1在使用过程中受到外力影响而破损断裂，利用第一耐高温层12和第二耐高温层13，可以使得电路板本体1具有良好的耐高温性，避免电路板本体1在使用过程中受到高温影响而变形，利用第二高强度层14，可以进一步提高电路板本体1的强度，利用第一耐腐蚀层41和第二耐腐蚀层42，可以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多芯片封装模组，包括电路板本体（1）和底板（2），其特征在于：所述底板（2）安装于电路板本体（1）的顶部，所述底板（2）顶部的左端固定连接有滤波芯片本体（3），所述底板（2）顶部的右端固定连接有非滤波芯片（5），所述底板（2）的顶部设置有塑封壳（4），所述塑封壳（4）上设置有导热翅片（6），所述塑封壳（4）包括第一耐腐蚀层（41）、第二耐腐蚀层（42）和第三耐高温层（43），所述第一耐腐蚀层（41）为高分子聚乙烯塑料，所述第二耐腐蚀层（42）为聚苯硫醚塑料，所述第三耐高温层（43）为聚醚醚酮塑料。2.根据权利要求1所述的一种多芯片封装模组，其特征在于：所述第一耐腐蚀层（41）位于第二耐腐蚀层（42）的外部，所述第二耐腐蚀层（42）位于第三耐高温层（43）的外部。3.根据权利要求1所述的一种多芯片封装模组，其特征在于：所述第一耐腐蚀层（41）和第二耐腐蚀层（42）的厚度相等，所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李记帆，
申请(专利权)人：深圳市尹泰明电子有限公司，
类型：新型
国别省市：