不连续去嵌的方法技术

本申请提供了一种不连续去嵌的方法，该方法包括：首先，提供多个标准结构件，各标准结构件包括第一GSG焊盘、第二GSG焊盘以及传输线；然后，根据第一导纳以及第二导纳，构造第一GSG焊盘的ABCD矩阵为第一ABCD矩阵，且构造第二GSG焊盘的ABCD矩阵为第二ABCD矩阵；之后，至少根据各标准结构件中传输线的长度，确定各传输线的ABCD矩阵，得到多个第三ABCD矩阵；之后，根据第一ABCD矩阵、第二ABCD矩阵以及第三ABCD矩阵，确定对应的标准结构件的ABCD矩阵，得到多个目标矩阵；最后，至少根据多个标准结构件的目标矩阵，确定目标结构件的去嵌值。保证了不连续去嵌的准确性较高。连续去嵌的准确性较高。连续去嵌的准确性较高。

【技术实现步骤摘要】
不连续去嵌的方法


[0001]本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种不连续去嵌的方法。

技术介绍

[0002]由于晶圆上的器件特性的不同，通常情况下，DUT(Device Under Test，被测器件)比原始器件在测量过程中使用的共面探头小很多，而晶圆上探头仅可用在原始器件上，因此，DUT和原始器件之间涉及到去嵌问题。
[0003]其中，去嵌是将微波测量的基准面移动到DUT基准面的数学过程，一般通过数学算法实现，被测器件(DUT)结构的寄生主要来自于GSG(Ground Signal Ground，地
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信号
‑
地)焊盘，连接到DUT结构的互连线和硅衬底。
[0004]目前，去嵌方法主要分为等效集总参数去嵌和分布参数去嵌技术两大类，其中，等效集总参数去嵌有open
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short(开路
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短路)、thru(直通)、open
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short
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thru等去嵌方式，分布参数去嵌有L
‑
2L去嵌。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种不连续去嵌的方法，其特征在于，所述方法包括：提供多个标准结构件，各所述标准结构件包括第一GSG焊盘、第二GSG焊盘以及传输线，所述第一GSG焊盘与所述第二GSG焊盘间隔设置，所述传输线用于连接所述第一GSG焊盘以及所述第二GSG焊盘；根据第一导纳以及第二导纳，构造所述第一GSG焊盘的ABCD矩阵为第一ABCD矩阵，且构造所述第二GSG焊盘的ABCD矩阵为第二ABCD矩阵，所述第一导纳为所述第一GSG焊盘中G焊盘与S焊盘之间的导纳或者所述第二GSG焊盘中所述G焊盘与所述S焊盘之间的导纳，所述第二导纳为所述传输线与所述第一GSG焊盘中所述S焊盘之间的导纳或者所述传输线与所述第二GSG焊盘中所述S焊盘之间的导纳；至少根据各所述标准结构件中所述传输线的长度，确定各所述传输线的ABCD矩阵，得到多个第三ABCD矩阵，所述第三ABCD矩阵与对应的所述传输线的长度有关；根据所述第一ABCD矩阵、所述第二ABCD矩阵以及所述第三ABCD矩阵，确定对应的所述标准结构件的ABCD矩阵，得到多个目标矩阵；至少根据多个所述标准结构件的所述目标矩阵，确定目标结构件的去嵌值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，多个所述标准结构件包括第一标准结构件以及第二标准结构件，所述方法还包括：获取各所述标准结构件对应的散射参数；对各所述散射参数进行ABCD矩阵转换，确定所述第一标准结构件的实际ABCD矩阵参数为确定所述第二标准结构件的实际ABCD矩阵参数为l1为所述第一标准结构件的所述传输线的长度，l2为所述第二标准结构件的所述传输线的长度。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一标准结构件的所述传输线的长度与所述第二标准结构件的所述传输线的长度不同。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，至少根据各所述标准结构件中所述传输线的长度，确定各所述传输线的ABCD矩阵，得到多个第三ABCD矩阵，包括：至少根据所述第一标准结构件的所述传输线的长度，确定所述第一标准结构件的所述传输线的所述第三ABCD矩阵为：其中，γ为电磁波的传播常数，Z0为特性阻抗，L1为所述第一标准结构件的所述传输线的长度；至少根据所述第二标准结构件的所述传输线的长度，确定所述第二标准结构件的所述传输线的所述第三ABCD矩阵为：其中，L2为所述第二标准结构件的所述传输线的长度。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，根据第一导纳以及第二导纳，构造所述第
一GSG焊盘的ABCD矩阵为第一ABCD矩阵，且构造所述第二GSG焊盘的ABCD矩阵为第二ABCD矩阵，包括：根据所述第一导纳以及所述第二导纳，构造所述第一ABCD矩阵为：其中，Y1为所述第一导纳，Y...

【专利技术属性】
技术研发人员：王金玲，梅腾达，黄安东，侯富诚，
申请(专利权)人：苏州华太电子技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：