半导体器件制造技术

一种半导体器件，包含基底、隔离区、第一电阻区块、第二电阻区块、第一连接结构、第一井区及第二井区。基底包含具有第一导电类型的区域，隔离区设置于第一井区及第二井区上，第一电阻区块及第二电阻区块设置于隔离区上且电性连接，第一井区及第二井区设置于基底的上述区域中，且分别设置于第一电阻区块及第二电阻区块的正下方，第一井区及第二井区于一垂直投影方向上不重叠且具有第二导电类型，其中第二导电类型与第一导电类型相反。导电类型与第一导电类型相反。导电类型与第一导电类型相反。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本揭露涉及半导体器件的领域，特别是涉及一种包含压降器件的半导体器件。

技术介绍

[0002]近年来，随着高电压电源集成电路的应用越来越广泛，例如电动机驱动(motor drive)、电源管理集成电路(power management IC,PMIC)等，通常会使用具有压降器件，例如电阻器。一般而言，习知的电阻器是两端分别具有高低操作电压的组件，其可以用于将输入的高电压降低至所需的低电压，并输出至其他部件。电阻器的下方会设置氧化层，用以防止电阻器和下方基底产生不必要的电连接。
[0003]然而，当在电阻器的一端施加高电压时，位于电阻器下方的氧化层也会承受高偏压(bias)，此时氧化层容易因为缺陷存在或厚度不足，而在氧化层中产生漏电流路径或击穿氧化层，因而导致电阻器的效能或可靠度降低，或甚至是完全失效。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，有必要提出一种包含改良的电阻器的半导体器件，以提高电阻器在高操作电压下的可靠度，进而提升半导体器件的电性表现。
[0005]根据本揭露的一实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：一基底，包含具有一第一导电类型的一区域；一第一井区及一第二井区，设置于该基底的该区域中；一隔离区，设置于该第一井区与该第二井区上；以及一第一电阻区块及一第二电阻区块，彼此电性连接且设置于该隔离区上，其中该第一井区及该第二井区分别设置于该第一电阻区块及该第二电阻区块的正下方，该第一井区及该第二井区彼此于一垂直投影方向上不重叠且具有一第二导电类型，其中该第二导电类型与该第一导电类型相反。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中：该第一井区的投影区域面积大于该第一电阻区块的投影区域面积；以及该第二井区的投影区域面积大于该第二电阻区块的投影区域面积。3.如权利要求2所述的半导体器件，其中该第一井区的掺杂浓度高于该第二井区的掺杂浓度。4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括一第一连接结构，电性连接该第一电阻区块和该第二电阻区块，其中该第一电阻区块及该第二电阻区块各自的电阻率高于该第一连接结构的电阻率。5.如权利要求1所述的半导体器件，其中该第一电阻区块接收一高电压，且该第二电阻区块输出一低电压。6.如权利要求5所述的半导体器件，其中该第一井区配置于电连接至一第一电压，该第二井区配置于电连接至一第二电压，且该高电压、该低电压、该第一电压、及该第二电压之间的绝对值关系如式(1)所示：|V
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【专利技术属性】
技术研发人员：张宇瑞，宋建宪，甘铠铨，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：