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一种半导体器件，包含基底、隔离区、第一电阻区块、第二电阻区块、第一连接结构、第一井区及第二井区。基底包含具有第一导电类型的区域，隔离区设置于第一井区及第二井区上，第一电阻区块及第二电阻区块设置于隔离区上且电性连接，第一井区及第二井区设置于基...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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