【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于半导体装置，特别是关于结合平面式栅极(planar gate)与沟槽式栅极(trench gate)的双重扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(double diffused metaloxide semiconductor field-effect transistor，dmosfet)的半导体装置。
技术介绍
1、高压器件技术一般应用于高电压与高功率电路或驱动电路，目前发展出平面式栅极(planar gate)与沟槽式栅极(trench gate)的双重扩散属氧化物半导体场效应晶体管等结构。
2、然而，现有的结构仍不尽如人意，例如无论是平面式栅极或沟槽式栅极的双重扩散属氧化物半导体场效应晶体管，在其通道区的电流密度仍不足，而使效能不如预期。因此业界仍需改进的方法，以减少导通电阻(ron)并提升效能。
技术实现思路
1、本揭露的一些实施例提供一种半导体装置。提供一种半导体装置。此半导体装置包含基板(substrate)、外延层(epitaxy layer)、一对阱...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一对遮蔽层，分别设置于该对第一导电结构下，其中该对遮蔽层具有该第二导电类型。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一遮蔽层，设置于该外延层中，且藉由该外延层与该第二导电结构隔开，其中该遮蔽层具有该第二导电类型。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二导电结构包括一第二导体层与围绕该第二导体层的一第二介电层。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二导电结构包括一对第二导体层与围绕该对第二导...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一对遮蔽层，分别设置于该对第一导电结构下，其中该对遮蔽层具有该第二导电类型。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，更包括一遮蔽层，设置于该外延层中，且藉由该外延层与该第二导电结构隔开，其中该遮蔽层具有该第二导电类型。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二导电结构包括一第二导体层与围绕该第二导体层的一第二介电层。
5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第二导电结构包括一对第二导体层与围绕该对第二导体层的一第二介电层。
6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该对第一导电结构中的每个都包括一第一导体层与围绕该第一导体层的一第一介电层。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该对第一导电结构更包括一对底部导体层，其中该对底部导体层藉由该第一介电层与该对第一导体层隔开。
8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该对阱区设置于该对第一导电结构之间。
9.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该对阱区的其中一个设置于该对第一导电结构之间，该对阱区的另一个设置于该对第一导电结构之外。
10.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，更包括：另一第二导电结构，且该第二导电结构与该另一第二导电结构包括：一对第二导体层设置于该对阱区上与...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹振东，赖云凯，李家豪，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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