蒸发制备碳化硼薄膜的方法技术

本发明专利技术属于真空镀膜领域，公开了一种蒸发制备碳化硼薄膜的方法。包括以下步骤：将硼粉置于蒸发镀膜机坩埚内，将清洗、干燥后的基片放到蒸发镀膜机中坩埚的上方；将蒸发镀膜机抽真空，开启电子枪以高能电子束对硼粉进行融化、蒸发，同时离子源开启，离子源使用重惰性气体和碳源气体的混合气体，气体经辉光放电产生重惰性气体离子、碳离子，经电离后高能量的碳离子和蒸发出来的硼反应生成碳化硼薄膜。本发明专利技术方法可以在低温下制备出碳化硼薄膜，避免了化学气象沉积法需要高温镀制带来的局限性。同时可以应用在蒸镀机中实现红外增透膜与碳化硼保护膜连续完成。硼保护膜连续完成。

【技术实现步骤摘要】
蒸发制备碳化硼薄膜的方法


[0001]本专利技术属于真空镀膜领域，具体涉及一种蒸发制备碳化硼薄膜的方法。

技术介绍

[0002]碳化硼(B4C)是自然界最硬的超硬材料之一，其硬度仅次于金刚石。碳化硼以其卓越的物理性质在机械、电子、镀膜等领域有着广泛的应运前景。碳化硼薄膜在红外光谱区域有高透过性；而具有高熔点、低密度、高损伤阈值等优点，是红外光学镜头理想的的保护材料。
[0003]碳化硼薄膜的制备方法主要由化学气相沉积法（CVD）和物理气相沉积法(PVD)，其中化学气象沉积法镀膜需很高的温度（约1000℃左右）进行沉积，很多基底无法在这么高温度下沉积，因而限定了基片材料的选择范围。物理气相沉积法(PVD)包括磁控溅射、反应溅射等方法，上述方法虽然可以在较低温度的基片温度下进行沉积，但所沉积的碳化硼薄膜多数为非晶，难以实现晶态结构，硬度不够高。
[0004]公开号为CN101314842A的中国专利公开了一种电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜的方法。该方法既可制备非晶态碳化硼薄膜，又可制备多晶结构的碳化硼薄膜，还可制备各种不同B、C成分配本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蒸发制备碳化硼薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：将硼粉置于蒸发镀膜机坩埚内，将清洗、干燥后的基片放到蒸发镀膜机中坩埚的上方；将蒸发镀膜机抽真空，开启电子枪以高能电子束对硼粉进行融化、蒸发，同时离子源开启，离子源使用重惰性气体和碳源气体的混合气体，气体经辉光放电产生重惰性气体离子、碳离子，经电离后高能量的碳离子和蒸发出来的硼反应生成碳化硼薄膜。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硼粉的纯度不小于99.9%。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重惰性气体选用氦气、氖气、氩气、氪气、氙气中的至少一种；所述碳源气体选用甲烷、丁烷、乙炔中的至少一种；所述基片为硅基片、锗基片、硫化锌基片或硒化锌基片中的一种。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述重惰性气...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴辉，刘克武，尹士平，郭晨光，
申请(专利权)人：安徽光智科技有限公司，
类型：发明
国别省市：