一种类结型的横向鳍式二极管及制备方法技术

本公开提供了一种类结型的横向鳍式二极管，包括：依次位于衬底上的成核层、缓冲层、至少两个异质结单元层及钝化层；其中，从钝化层表面依次刻蚀钝化层及至少两个异质结单元层形成的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽内分别设置阳极欧姆层和阴极欧姆层；从衬底背面在阳极欧姆层的正下方位置依次刻蚀衬底、成核层、缓冲层及第一异质结单元层形成的第三凹槽，第三凹槽内设置背孔肖特基电极层；其中，背孔肖特基电极层与阳极欧姆层对称排列构成钳形横向鳍式结构。本公开还提供了一种类结型的横向鳍式二极管的制备方法。的横向鳍式二极管的制备方法。的横向鳍式二极管的制备方法。

【技术实现步骤摘要】
一种类结型的横向鳍式二极管及制备方法


[0001]本公开涉及GaN微波功率二极管
，具体涉及一种类结型的横向鳍式二极管及制备方法。

技术介绍

[0002]宽禁带半导体GaN微波二极管凭借高频、高压、高功率、无反向恢复电荷等特性在无线充电、整流器、限幅器等应用领域发挥独特优势。多沟道横向二极管是最近发展起来的先进技术，可有效提高二极管导通电流，从而提升功率容限。然而，多沟道材料结构在垂直方向上具有一定空间尺度，使得单侧平面栅控结构很难反向耗尽二极管，导致反向泄漏电流较高，静态功耗居高不下，不利于器件可靠性。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，本公开提供了一种一种类结型的横向鳍式二极管及制备方法，旨在解决基于多沟道材料的氮化镓横向二极管器件在反向偏置时泄漏电流较高的技术问题。
[0004]本公开的第一个方面提供了一种类结型的横向鳍式二极管，包括：依次位于衬底上的成核层、缓冲层、至少两个异质结单元层及钝化层；其中，从钝化层表面依次刻蚀钝化层及至少两个异质结单元层形成的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽内分别设置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种类结型的横向鳍式二极管，其特征在于，包括：依次位于衬底(1)上的成核层(2)、缓冲层(3)、至少两个异质结单元层及钝化层(5)；其中，从所述钝化层(5)表面依次刻蚀所述钝化层(5)及所述至少两个异质结单元层形成的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽内分别设置阳极欧姆层(6)和阴极欧姆层(7)；从所述衬底(1)背面在所述阳极欧姆层(6)的正下方位置依次刻蚀所述衬底(1)、所述成核层(2)、所述缓冲层(3)及第一异质结单元层形成的第三凹槽，所述第三凹槽内设置背孔肖特基电极层(9)；其中，所述背孔肖特基电极层(9)与所述阳极欧姆层(6)对称排列构成钳形横向鳍式结构。2.根据权利要求1所述的类结型的横向鳍式二极管，其特征在于，还包括：从所述阳极欧姆层(6)邻近所述阴极欧姆层(7)的一侧刻蚀部分所述钝化层(5)形成的第四凹槽，所述第四凹槽内设置阳极肖特基层(8)。3.根据权利要求2所述的类结型的横向鳍式二极管，其特征在于，所述阳极欧姆层(6)、所述阳极肖特基层(8)及所述背孔肖特基电极层(9)之间短路连接。4.根据权利要求2所述的类结型的横向鳍式二极管，其特征在于，所述背孔肖特基电极层(9)远离所述衬底(1)的上表面且邻近所述阴极欧姆层(7)的一侧在垂直方向上与所述阳极肖特基层(8)邻近所述阴极欧姆层(7)的一侧齐平；或，所述背孔肖特基电极层(9)远离衬底的上表面且邻近所述阴极欧姆层(7)的一侧在垂直方向上超过与所述阳极肖特基层(8)邻近所述阴极欧姆层(7)的一侧，且超过距离小于等于所述阳极欧姆层(6)与所述阴极欧姆层(7)间距的10％。5.根据权利要求1所述的类结型的横向鳍式二极管，其特征在于，所述阳极欧姆层(6)呈类梯形体结构。6.根据权利要求5所述的类结型的横向鳍式二极管，其特征在于，所述阳极欧姆层(6)的侧壁与水平面的夹角θ为15
°
～90
°
。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫华，刘新宇，黄健，黄森，颜呈祥，魏珂，殷海波，徐正源，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：