一种肖特基短路点反向阻断双端固态闸流管及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种肖特基短路点反向阻断双端固态闸流管，固态闸流管为四层PNPN结构，且阴极侧和阳极侧均设置有电极，阴极侧N

【技术实现步骤摘要】
一种肖特基短路点反向阻断双端固态闸流管及其制备方法


[0001]本专利技术属于脉冲功率
，更具体地，涉及一种肖特基短路点反向阻断双端固态闸流管及其制备方法。

技术介绍

[0002]脉冲功率技术诞生于20世纪60年代，它是一种以较低的功率储存能量、再以高得多的功率变换为脉冲电磁能量并释放到特定负载中去的电物理技术，也是一种电能变换技术。现代脉冲功率技术在电磁发射、光源、环保、材料、生物、医疗等领域都有着广泛应用。类似于一代电力电子器件决定一代电力电子电路，脉冲功率开关也是整个脉冲功率系统的瓶颈，开关能达到的水平直接影响整个系统输出的脉冲幅值、上升时间、重复频率等关键指标。
[0003]反向阻断双端固态闸流管(Reverse Blocking Diode Thyristor,RBDT)是19世纪70年代美国针对雷达调制器专利技术一种新型肖特基短路点反向阻断双端固态闸流管。RBDT器件最初名为反向开关整流器(Reverse Switching Rectifier,RSR)。RBDT器件与另外一种半导体器件
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晶闸管，有本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种肖特基短路点反向阻断双端固态闸流管，其特征在于，所述肖特基短路点反向阻断双端固态闸流管为四层PNPN结构，且阴极侧和阳极侧均设置有电极，阴极侧N
+
发射极与阴极发射极以电阻形式形成欧姆接触，阴极短路点与阴极金属以二极管形式形成肖特基接触。2.如权利要求1所述的肖特基短路点反向阻断双端固态闸流管，其特征在于，N
+
发射极的掺杂浓度为1
×
10
17
cm
‑3～1
×
10
21
cm
‑3，结深为10μm～25μm。3.如权利要求1所述的肖特基短路点反向阻断双端固态闸流管，其特征在于，P基区掺杂浓度为1
×
10
14
cm
‑3～1
×
10
17
cm
‑3，深度为35μm～100μm。4.如权利要求1所述的肖特基短路点反向阻断双端固态闸流管，其特征在于，N基区掺杂浓度为2
×
10
13
cm
‑3～1
×
10
14
cm
‑3，深度为100μm～400μm。5.如权利要求1所述的肖特基短路点反向阻断双端固态闸流管，其特征在于，阳极侧发射极P
+

【专利技术属性】
技术研发人员：梁琳，卿正恒，
申请(专利权)人：华中科技大学，
类型：发明
国别省市：