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本公开提供了一种类结型的横向鳍式二极管，包括：依次位于衬底上的成核层、缓冲层、至少两个异质结单元层及钝化层；其中，从钝化层表面依次刻蚀钝化层及至少两个异质结单元层形成的第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽和第二凹槽内分别设置阳极欧姆层和阴极欧姆层；...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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