一种新型高基频晶片制造技术

技术编号:37792655 阅读:37 留言:0更新日期:2023-06-09 09:22
本实用新型专利技术公开了一种新型高基频晶片,包括一振动区域,用于晶片振动工作;还包括一固定区域,用于连接振动区域,振动区域通过固定区域连接至基座。本实用新型专利技术可以将晶片整体进行分隔,振动区域起到晶片振动工作的作用,固定区域起到将晶片固定于基座的作用,使高基频晶片产生高频的效果,同时由于导电胶没有接触振动区域,因此可以减小电阻,提高晶片连接的牢固度,固定区域便于点胶,降低点胶的精度,进一步降低生产要求,提高合格率。提高合格率。提高合格率。

【技术实现步骤摘要】
一种新型高基频晶片


[0001]本技术涉及晶片
,尤其涉及一种新型高基频晶片。

技术介绍

[0002]晶体振荡器由晶片、基座、电极、导电胶、外壳等组成,经过历史演变,晶片由最初的49U晶振的圆形晶片转变成49S的方形晶片,后至表面贴装式49S SMD的晶振,最终至各尺寸的SMD式(表面贴装)外形晶振,体积由8045,2050,5032,3225,2016,1612,1210,1008(例:1008表示晶振外形尺寸为1.0mm
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0.8mm)等的顺序越来越小。由于体积越小越难以生产,现今以3225为主。
[0003]晶振主要判断参数为频率(FL)、电阻(Rr)及点胶固化(连接晶片与基座)。频率与晶片厚度相关,厚度越薄,频率越高;电阻越小,越利于提高振动频率;由于晶振构造,晶片通过导电胶固定至基座,致使导电胶接触面积越小,电阻将越小,频率越高,而接触面积的减小,会使连接牢固度减小,导致晶振不合格,所以电阻与牢固度之间成反比关系。
[0004]现今普遍所使用的晶片呈规则的长方形,尺寸根据对应的晶振尺寸相对变化,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型高基频晶片,包括 一振动区域,用于晶片振动工作; 其特征在于:还包括一固定区域,用于连接所述振动区域,所述振动区域通过所述固定区域连接至基座;所述振动区域的厚度小于所述固定区域的厚度。2.根据权利要求1所述的一种新型高基频晶片,其特征在于:所述振动区域呈多边形、圆形、椭圆形、心形的任一规则形状。3.根据权利要求2所述的一种新型高基频晶片,其特征在于:所述多边形为三角形、矩形、梯形、平行四边形、菱形或正多边形中的一种。4.根据权利要求1所述的一种新型高基频晶片,其特征在于:所述固定区域呈封闭形状,所述振动区域设于所述封闭形状中。5.根据权利要求4所述的一种新型高基频晶片,其特征在于:所述封闭形状呈多边形、圆形、椭圆形、心形的任一规则形状。6.根据权利要求5所述的一种新型高基频晶片,其特征在于:所述多边形为三角形、矩形、梯形、平行四边形、菱形或正多边形中的一种。7.根据权利要求1所述的一种新型高基频晶片,其特征在于:所述固定区域一侧形成开口呈不封闭形状,所述振动区域设于所述开口中。8.根据权利要求7所述的一种新型高基频晶片,其特征在于:所述不封闭形状呈U形、凹字形的任一规则形状。9.根据权利要求1所述的一种新型高基频晶片,其特征在于:所述固定区域两侧形成开口呈不封闭形状,所述振动区域设于所述开口中。10.根据权利要求9所述的一种新型高基频晶片,其特征在于:所述不封闭形状呈L形的锐角、直角、钝角的任一形状。11.根据权利要求1所述的一种新型高基频晶片,其特征在于:所...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐志强
申请(专利权)人:绍兴奥美电子科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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