一种基于本征离子导通机理的阻变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术属于半导体器件相关技术领域，其公开了一种基于本征离子导通机理的阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器包括衬底、设置在所述衬底上的功能层及设置在所述功能层上的两端电极，所述功能层为具有本征离子迁移特性的薄膜或者二维单晶纳米片，通过所述功能层的本正离子迁移来改变所述阻变存储器的阻态。本发明专利技术将具有本征离子迁移特性的薄膜或者二维单晶纳米片应用于功能层，使得阻变存储器的阻态变化由功能层本征离子迁移导致，可摆脱对活性金属电极的依赖。活性金属电极的依赖。活性金属电极的依赖。

【技术实现步骤摘要】
一种基于本征离子导通机理的阻变存储器及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体器件相关
，更具体地，涉及一种基于本征离子导通机理的阻变存储器及其制备方法。

技术介绍

[0002]阻变存储器(RRAM)是一类两端型的忆阻器，在特定的外加电信号下其阻值将发生非易失的可逆转变，根据阻态切换电压的极性可将其分为单极性与双极性，RRAM具有兼容CMOS工艺的三明治结构，即两端电极以及中间的阻变功能层，目前普遍被认可的三类阻变机制及其特征如下：电化学金属化机制(ECM)，其两端电极中有一端为活性电极；价态转变机制(VCM)，其功能层具有高氧空位迁移率；热化学机制(TCM)，焦耳热造成的功能层内部熔融导致阻态变化，主要针对单极性RRAM。
[0003]近年来新兴的二维材料，由于其具有原子级厚度、易制备和集成等优势，被广泛应用于RRAM技术中，增加了RRAM应用领域的丰富性。目前，RRAM在非易失性数据存储、类脑神经形态计算、真随机数与密码秘钥、逻辑运算等方面表现出了巨大的应用潜力，是下一代数据存储与处理系统出色的候选者。
[0004本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于本征离子导通机理的阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储器包括衬底、设置在所述衬底上的功能层及设置在所述功能层上的两端电极，所述功能层为具有本征离子迁移特性的薄膜或者二维单晶纳米片，通过所述功能层的本正离子迁移来改变所述阻变存储器的阻态。2.如权利要求1所述的基于本征离子导通机理的阻变存储器，其特征在于：两个所述电极的材料均为惰性金属。3.如权利要求2所述的基于本征离子导通机理的阻变存储器，其特征在于：所述电极的材料为Au或Pt，厚度为50nm～200nm。4.如权利要求1
‑
3任一项所述的基于本征离子导通机理的阻变存储器，其特征在于：所述功能层的厚度为10nm～500nm。5.如权利要求4所述的基于本征离子导通机理的阻变存储器，其特征在于：所述功能层的材料包括Cu2‑
x
S、Cu2‑
x
Se、CuBr、CuI、Cu5FeS4、Cu7PSe6、CuCrSe2、Cu8CeSe6、CuAgSe、CuInP2S6、Ag2‑
x
S、Ag2‑
x
Se、Ag2‑
x
Te、AgBr、AgI、Ag3SBr、Ag3SI、KAg3Se2、Ag8SnSe6、A...

【专利技术属性】
技术研发人员：李渊，秦澜浩，翟天佑，
申请(专利权)人：深圳华中科技大学研究院，
类型：发明
国别省市：