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本发明属于半导体器件相关技术领域，其公开了一种基于本征离子导通机理的阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器包括衬底、设置在所述衬底上的功能层及设置在所述功能层上的两端电极，所述功能层为具有本征离子迁移特性的薄膜或者二维单晶纳米片，通过所述功...
该专利属于深圳华中科技大学研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳华中科技大学研究院授权不得商用。

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