【技术实现步骤摘要】
半导体封装件以及测试半导体封装件的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年12月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10
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2021
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0172799的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体地并入本文。
[0003]本公开涉及半导体封装件，并且更具体地，涉及半导体封装件以及测试半导体封装件的方法。
技术介绍
[0004]在半导体行业中，已开发了集成电路封装技术以满足对小型器件(small
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form
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factor device)和高封装可靠性的要求。例如，正在积极地开发能够实现芯片级封装件(即，几乎和芯片本身一样小的封装件)的封装技术以满足对小型器件的要求，并且能够促进封装工艺中的效率而且确保封装产品的高度的机械和电可靠性的封装技术已吸引相当大的关注。
[0005]覆晶薄膜(chip
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on
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film，COF)技术是随着轻、薄且紧凑尺寸的通信设备...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装件，包括：基膜，所述基膜包括顺序地布置的第一安装段、第一折叠段、第二折叠段和第二安装段；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片设置在所述基膜的所述第一安装段上；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片设置在所述基膜的所述第二安装段上；多个测试焊盘，所述多个测试焊盘设置在所述基膜的所述第一折叠段和/或所述第二折叠段上，并且所述多个测试焊盘各自连接到所述第一半导体芯片或所述第二半导体芯片；以及多个连接焊盘，所述多个连接焊盘设置在所述基膜的所述第一安装段和/或所述第二安装段上，并且所述多个连接焊盘各自连接到所述第一半导体芯片或所述第二半导体芯片，其中，所述第一折叠段和所述第二折叠段彼此垂直地交叠，并且其中，所述多个测试焊盘介于所述第一折叠段与所述第二折叠段之间。2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述基膜被折叠为所述基膜的横截面具有N形状或M形状。3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一安装段设置在所述第一折叠段上并且与所述第一折叠段垂直地交叠，并且其中，所述第二安装段与所述第二折叠段相邻设置并且位于与所述第二折叠段相同的水平高度处。4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述第二半导体芯片设置在所述第一折叠段的一侧并且设置在所述第二折叠段的一侧，并且所述第二半导体芯片不与所述第一折叠段交叠也不与所述第二折叠段交叠。5.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中，所述多个连接焊盘设置在所述第一安装段上。6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一安装段设置在所述第一折叠段上，并且所述第一安装段与所述第一折叠段垂直地交叠，并且其中，所述第二安装段设置在所述第二折叠段下方，并且所述第二安装段与所述第二折叠段垂直地交叠。7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一安装段的第一表面、所述第二安装段的第二表面、以及所述第一折叠段和所述第二折叠段的第三表面一起构成所述基膜的前表面，并且其中，所述第一半导体芯片设置在所述第一表面上，所述第二半导体芯片设置在所述第二表面上，并且所述多个测试焊盘设置在所述第三表面上。8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述多个连接焊盘设置在所述第一表面或所述第二表面上。9.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括设置在所述基膜上的钝化层，所述钝化层覆盖所述第一折叠段和所述第二折叠段，
其中，所述钝化层包括：设置在所述第一折叠段上的第一部分；以及设置在所述第二折叠段上的第二部分，并且其中，所述钝化层的所述第一部分和所述第二部分彼此接触。10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述多个测试焊盘设置在所述第一折叠段上，其中，所述钝化层的所述第一部分暴露所述多个测试焊盘，并且其中，所述钝化层的所述第二部分覆盖所述多个测试焊盘，或者所述多个测试焊盘设置在所述第二折叠段上，其中，所述钝化层的所述第二部分暴露所述多个测试焊盘，并且其中，所述钝化层的所述第一部分覆盖所述多个测试焊盘。11.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、所述多个测试焊盘和所述多个连接焊盘设置在所述基膜的前表面上，并且在所述基膜的后表面上未设置有布线、半导体芯片和焊盘，其中，所述后表面与所述前表面相对。12.一种半导体封装件，包括：基膜，所述基膜具有顺序地布置的第一安装表面、折叠表面和第二安装表面，所述第一安装表面、所述折叠表面和所述第二安装表面一起构成所述基膜的前表面；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片设...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹昇铉，李冠在，郑在珉，河政圭，韩相旭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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