X.5层衬底制造技术

在形成期间不使用嵌入式迹线衬底过程的X.5层衬底可以在短的制造时间内以低成本产生具有宽松的L/S的高产量(仅4x层压过程而没有分离过程)。例如，衬底可以包含mSAP、两个接合焊盘、两个逃逸线、两个凸块焊盘和在所述mSAP图案化衬底上的光可成像电介质层。图案化衬底上的光可成像电介质层。图案化衬底上的光可成像电介质层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】X.5层衬底
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2020年8月17日提交的标题为“X.5层衬底”的美国非临时申请16/994，910号的优先权，该申请已转让给本申请的受让人，并且通过引用将其全部内容明确并入本文。


[0003]本公开总体上涉及衬底，并且更特别地，但不排他地，涉及扇出衬底。

技术介绍

[0004]现代衬底电子设备变得越来越普遍，并且受到对降低成本和尺寸的日益增长的需求的影响。一种方法是使用扇出衬底。扇出封装继续在行业内获得突出地位，这是基于导致其广泛商业化的显著技术优势。“扇出”封装可以定义为任何具有芯片表面扇出连接的封装，支持更多外部I/O。传统的扇出封装使用环氧树脂模制化合物来完全嵌入管芯，而不是将它们放置在衬底或内插器上。扇出封装通常包括在硅晶片上切割芯片，然后将已知良好的芯片非常精确地定位在薄的“重构”或载体晶片/面板上，然后对其进行模制，并且接着在模制区域(芯片和扇出区域)的顶部形成再分布层(RDL)，并且然后在顶部形成焊球。在一种技术中，标准扇出型RDL包含嵌入材料(诸如有机层压板或硅晶片)而不是模制化合物中的管芯。扇出是晶圆片级封装(WLP)技术。它本质上是真正的芯片级封装(CSP)技术，因为最终的封装与管芯本身的尺寸大致相同。
[0005]为了满足贴有裸管芯的高层数模块产品的信号扇出要求，可以使用十层嵌入式走线衬底(10L ETS)。然而，10L ETS有若干问题，包含但不限于：
[0006](a)制造时间长：9次层压过程+载体分离；<br/>[0007](b)高翘曲：ETS层在层压期间承受9倍的应力；
[0008](c)低产量：在轧制机器中处理20层厚的面板导致的Cu图案和SR损坏；
[0009](d)极低的产量:由90um间距所需的细迹线/间距(L/S)(例如，8um/10um)引起的短路和开路问题，其中至少有两条逃逸线；以及
[0010](e)成本高：由上述所有问题造成。
[0011]因此，需要克服传统方法缺陷的系统、装置和方法。

技术实现思路

[0012]以下呈现了与本文公开的装置和方法相关联的一个或多个方面和/或示例的简要
技术实现思路
。因此，以下
技术实现思路
不应被认为是与所有设想方面和/或示例相关联的广泛综述，也不应被认为是确定与所有设想方面和/或示例相关联的关键或重要元件，或描绘与任何特定方面和/或示例相关联的范围。因此，以下
技术实现思路
的唯一目的是在下文呈现的具体实施方式之前，以简化的形式呈现与一个或多个方面相关的某些概念和/或与本文公开的装置和方法相关的示例。
[0013]一个方面，衬底包括：改良半加成工艺(mSAP)图案化衬底；mSAP图案化衬底的第一侧上的第一着陆焊盘；在mSAP图案化衬底的第一侧上接近第一着陆焊盘的第二着陆焊盘；在mSAP图案化衬底的第一侧上在第一着陆焊盘和第二着陆焊盘之间的第一逸出线；在mSAP图案化衬底的第一侧上接近第一着陆焊盘和第二着陆焊盘之间的第一逸出线的第二逸出线；在mSAP图案化衬底的第一侧上的光可成像电介质层，该电介质层被配置为封装第一逸出线和第二逸出线；在与mSAP图案化衬底相对的电介质层上的第一凸块焊盘，第一凸块焊盘延伸穿过电介质层到第一着陆焊盘；以及在与mSAP图案化衬底相对的电介质层上的第二凸块焊盘，第二凸块焊盘延伸穿过电介质层到第二着陆焊盘。
[0014]另一个方面，衬底包括：用于支撑的部件；在用于支撑的部件的第一侧上的第一着陆焊盘；在该用于支撑的部件的第一侧上接近该第一着陆焊盘的第二着陆焊盘；用于支撑的部件的第一侧上在第一着陆焊盘和第二着陆焊盘之间的第一逃逸线；在该用于支撑的部件的第一侧上接近该第一着陆焊盘和该第二着陆焊盘之间的该第一逃逸线的第二逃逸线；在用于支撑的部件的第一侧上的用于绝缘的部件，该用于绝缘的部件被配置为封装第一逸出线和第二逸出线；与用于支撑的部件相对的用于绝缘的部件上的第一凸块焊盘，第一凸块焊盘延伸穿过用于绝缘的部件到第一着陆焊盘；以及与用于支撑的部件相对的用于绝缘的部件上的第二凸块焊盘，第二凸块焊盘延伸穿过用于绝缘的部件到第二着陆焊盘。
[0015]在又一个方面，用于制造衬底的方法包括：提供改良半加成工艺(mSAP)图案化衬底；在mSAP图案化衬底的第一侧上形成第一着陆焊盘；在mSAP图案化衬底的第一侧上接近第一着陆焊盘形成第二着陆焊盘；在mSAP图案化衬底的第一侧上在第一着陆焊盘和第二着陆焊盘之间形成第一逃逸线；在mSAP图案化衬底的第一侧上接近第一着陆焊盘和第二着陆焊盘之间的第一逸出线形成第二逸出线；在mSAP图案化衬底的第一侧上形成光可成像的电介质层，该电介质层被配置为封装第一逸出线和第二逸出线；在与mSAP图案化衬底相对的电介质层上形成第一凸块焊盘，第一凸块焊盘延伸穿过电介质层到第一着陆焊盘；以及在与mSAP图案化衬底相对的电介质层上形成第二凸块焊盘，第二凸块焊盘延伸穿过电介质层到第二着陆焊盘。
[0016]在又一个方面，一种包括指令的非暂时性计算机可读介质，当由处理器执行时，该指令使得处理器执行一种方法，该方法包括：提供改良半加成工艺(mSAP)图案化衬底；在mSAP图案化衬底的第一侧上形成第一着陆焊盘；在mSAP图案化衬底的第一侧上接近第一着陆焊盘形成第二着陆焊盘；在mSAP图案化衬底的第一侧上在第一着陆焊盘和第二着陆焊盘之间形成第一逃逸线；在mSAP图案化衬底的第一侧上接近第一着陆焊盘和第二着陆焊盘之间的第一逸出线形成第二逸出线；在mSAP图案化衬底的第一侧上形成光可成像的电介质层，该电介质层被配置为封装第一逸出线和第二逸出线；在与mSAP图案化衬底相对的电介质层上形成第一凸块焊盘，第一凸块焊盘延伸穿过电介质层到第一着陆焊盘；以及在与mSAP图案化衬底相对的电介质层上形成第二凸块焊盘，第二凸块焊盘延伸穿过电介质层到第二着陆焊盘。
[0017]基于附图和具体实施方式，与本文公开的装置和方法相关联的其他特征和优点对于本领域技术人员来说将是显而易见的。
附图说明
[0018]当结合仅用于说明而非限制本公开的附图考虑时，通过参考下面的具体实施方式，将容易获得对本公开的各方面及其许多伴随的优点的更完整的理解，在附图中：
[0019]图1图示了根据本公开的一些示例的示例性衬底；
[0020]图2A至图C图示了根据本公开的一些示例的用于制造衬底的示例性方法；
[0021]图3图示了根据本公开的一些示例的示例性衬底和过程；
[0022]图4图示了根据本公开的一些示例的示例性方法；
[0023]图5图示了根据本公开的一些示例的示例性移动设备；以及
[0024]图6图示了根据本公开的一些示例的可以与任一前述方法、设备、半导体设备、集成电路、管芯、内插器、封装或层叠封装(pop)集成的各种电子设备。
[0025]根据惯例，附图所描绘的特征可能不是按比例绘制的。因此，为了清楚起见，所示特征的尺寸可以任意扩大或缩小。根据惯例，为了清楚起见，一些附图被简本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种衬底，包括：改良半加成工艺(mSAP)图案化衬底；第一接合焊盘，在所述mSAP图案化衬底的第一侧上；第二接合焊盘，在所述mSAP图案化衬底的所述第一侧上接近所述第一接合焊盘；第一逃逸线，在所述mSAP图案化衬底的所述第一侧上在所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘之间；第二逃逸线，在所述mSAP图案化衬底的所述第一侧上在所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘之间接近所述第一逃逸线；光可成像电介质层，在所述mSAP图案化衬底的所述第一侧上，所述光可成像电介质层被配置为封装所述第一逸出线和所述第二逸出线；第一凸块焊盘，在所述光可成像电介质层上与所述mSAP图案化衬底相对，所述第一凸块焊盘穿过所述光可成像电介质层延伸到所述第一接合焊盘；以及第二凸块焊盘，在所述光可成像电介质层上与所述mSAP图案化衬底相对，所述第二凸块焊盘穿过所述光可成像电介质层延伸到所述第二接合焊盘。2.根据权利要求1所述的衬底，还包括在所述光可成像电介质层上的阻焊膜，所述阻焊膜被配置为封装所述第一凸块焊盘和所述第二凸块焊盘。3.根据权利要求1所述的衬底，其中所述第一逃逸线、所述第二逃逸线、所述第一凸块焊盘和所述第二凸块焊盘共面。4.根据权利要求1所述的衬底，其中所述第一逃逸线和所述第二逃逸线在第一平面中共面，并且所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘在第二平面中共面，所述第二平面不同于所述第一平面。5.根据权利要求1所述的衬底，其中所述光可成像电介质层将细线/间距L/S区域与焊接连接区域分开。6.根据权利要求1所述的衬底，其中所述光可成像电介质层不含任何增强材料或预浸材料。7.根据权利要求1所述的衬底，其中所述衬底被结合到选自由以下项组成的组中的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、和机动车辆中的设备。8.一种衬底，包括：用于支撑的部件；第一接合焊盘，在所述用于支撑的部件的第一侧上；第二接合焊盘，在所述用于支撑的部件的所述第一侧上接近所述第一接合焊盘处；第一逃逸线，在所述用于支撑的部件的所述第一侧上在所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘之间；第二逃逸线，在所述用于支撑的部件的所述第一侧上在所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘之间接近所述第一逃逸线；在所述用于支撑的部件的所述第一侧上的用于绝缘的部件，所述用于绝缘的部件被配置为封装所述第一逸出线和所述第二逸出线；
第一凸块焊盘，在所述用于绝缘的部件上与所述用于支撑的部件相对，所述第一凸块焊盘穿过所述用于绝缘的部件延伸到所述第一接合焊盘；以及第二凸块焊盘，在所述用于绝缘的部件上与所述用于支撑的部件相对，所述第二凸块焊盘穿过所述用于绝缘的部件延伸到所述第二接合焊盘。9.根据权利要求8所述的衬底，还包括在所述用于绝缘的部件上的阻焊膜，所述阻焊膜被配置为封装所述第一凸块焊盘和所述第二凸块焊盘。10.根据权利要求8所述的衬底，其中所述第一逃逸线、所述第二逃逸线、所述第一凸块焊盘和所述第二凸块焊盘共面。11.根据权利要求8所述的衬底，其中所述第一逃逸线和所述第二逃逸线在第一平面中共面，并且所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘在第二平面中共面，所述第二平面不同于所述第一平面。12.根据权利要求8所述的衬底，其中所述用于绝缘的部件将细线/间距L/S区域与焊接连接区域分开。13.根据权利要求8所述的衬底，其中所述用于绝缘的部件不包含任何增强材料或预浸材料。14.根据权利要求8所述的衬底，其中所述衬底被结合到选自由以下项组成的组中的设备中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能手机、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、计算机、可穿戴设备、膝上型计算机、服务器、和机动车辆中的设备。15.一种用于制造衬底的方法，所述方法包括：提供改良半加成工艺(mSAP)图案化衬底；在所述mSAP图案化衬底的第一侧上形成第一接合焊盘；在所述mSAP图案化衬底的所述第一侧上接近所述第一接合焊盘地形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：