半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，其中能够抑制随着晶体管的微型化而变得更显著的电特性的劣化。该半导体装置包括：氧化物半导体叠层，其中在衬底上从衬底一侧依次层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层及第三氧化物半导体层；接触于氧化物半导体叠层的源电极层及漏电极层；在氧化物半导体叠层、源电极层及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及在栅极绝缘膜上的栅电极层。第一氧化物半导体层包括第一区域。栅极绝缘膜包括第二区域。在T

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本申请是针对分案申请201810257440.3再次提出的分案申请。分案申请201810257440.3是申请日为2013年11月19日、申请号为“201380061385.6”、专利技术名称为“半导体装置”的专利技术专利申请的分案申请。


[0001]本专利技术涉及一种物体、方法、制造方法、工序、机器、产品或者物质组成。例如，本专利技术尤其涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、上述装置的驱动方法或者上述装置的制造方法。例如，本专利技术尤其涉及一种包括氧化物半导体的半导体装置、包括氧化物半导体的显示装置或者包括氧化物半导体的发光装置。
[0002]在本说明书中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而起作用的装置，因此电光装置、半导体电路以及电子设备都包括在半导体装置的范畴内。

技术介绍

[0003]通过利用形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体薄膜来构成晶体管(也称为薄膜晶体管(TFT))的技术已经引人注目了。该晶体管被广泛地应用于如集成电路(IC)及图像显示装置(显示装置)等电子器件。作为可以应用于晶体管的半导体薄膜，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，包括：第一晶体管，该第一晶体管具有第一沟道形成区和所述第一沟道形成区的上方的第一栅电极；第一电极，该第一电极具有与所述第一栅电极相同的材料；绝缘膜，该绝缘膜具有与所述第一栅电极的上表面接触的区域和与所述第一电极的上表面接触的区域；以及第二晶体管，该第二晶体管具有所述第一电极、所述绝缘膜上的氧化物半导体层和所述氧化物半导体层的上方的第二电极，所述第一沟道形成区具有硅，具有与所述氧化物半导体层的上表面接触的区域的导电层与所述第一栅电极电连接。2.一种半导体装置，包括：第一晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：松林大介，篠原聪始，关根航，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：