SOI-LDMOS器件及其制作方法技术

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种SOI

【技术实现步骤摘要】
SOI
‑
LDMOS器件及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种SOI
‑
LDMOS器件及其制作方法。

技术介绍

[0002]横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(Lateral Double
‑
Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,简称LDMOS)作为一种横向功率器件,由于其具有耐压高、增益大、失真低等优点被广泛应用于功率集成电路。功率集成电路高电压、大电流的特点常常要求LDMOS器件具有高击穿电压(Breakdown Voltage,简称BV)、低比导通电阻(specific on
‑
resistance,简称Ron,sp)。但是BV和Ron,sp是一组矛盾值,BV的提高往往伴随着Ron,sp的增大。
[0003]绝缘体上硅技术(Silicon on Insulator,简称SOI)是一种全介质隔离技术，半半导体器件做在顶层硅中，顶层硅和衬底硅之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SOI
‑
LDMOS器件，其特征在于，所述SOI
‑
LDMOS器件包括：由下至上依次层叠的衬底层、埋氧层和外延层，所述外延层中形成漂移区；所述漂移区的两侧形成源极区和漏极区；所述漂移区上形成掺杂多晶硅场极板，所述掺杂多晶硅场极板与所述漂移区之间形成纵向异型结，在所述器件处于关断状态时，所述纵向异型结被耗尽；所述掺杂多晶硅场极板的一端与所述源极区接触交叠形成纵向同型结；所述掺杂多晶硅场极板的另一端掺入第一导电类型杂质形成第一导电类型掺杂区，所述掺杂多晶硅场极板的主体部分与所述第一导电类型掺杂区形成横向异型结，所述掺杂多晶硅场极板通过所述异型结与所述漏极区的金属电极之间接触。2.如权利要求1所述的SOI
‑
LDMOS器件，其特征在于，所述第一导电类型掺杂区的横向宽度为9um。3.如权利要求1所述的SOI
‑
LDMOS器件，其特征在于，所述掺杂多晶硅场极板的厚度为1800A。4.如权利要求1所述的SOI
‑
LDMOS器件，其特征在于，所述掺杂多晶硅场极板的主体部分的掺杂浓度，由所述掺杂多晶硅场极板的一端至另一端线性降低；所述掺杂多晶硅场极板的一端为所述掺杂多晶硅场极板靠近所述源极区的一端；所述掺杂多晶硅场极板的另一端为所述掺杂多晶硅场极板靠近所述漏极区的一端。5.如权利要求1所述的SOI
‑
LDMOS器件，其特征在于，所述外延层中还形成有沟槽栅结构，所述沟槽栅结构位于远离所述漏极区的源极区一侧，所述沟槽栅结构从所述外延层的上表面向下延伸至与所述埋氧层接触。6.一种SOI
‑
LDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述SOI
‑
LDMOS器件的制作方法包括以下步骤：提供由下至上依次层叠的衬底层、埋氧层和外延层；向所述外延层中注入第一导电类型杂质形成漂移区；向所述漂移区的一侧注...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖莉，陈天，王黎，陈华伦，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：