【技术实现步骤摘要】
带有止动间隙真空密封件的反应室
[0001]本申请一般涉及可与压印光刻和基于喷墨的自适应平坦化相组合使用的反应室。
技术介绍
[0002]纳米制造包括制造具有100纳米或更小特征的非常小的结构。纳米制造的一个应用是集成电路的制造。半导体加工行业在增加于基板上形成的单位面积的电路的同时继续努力提高产量。纳米制造的改进包括提供更大的工艺控制并且增加吞吐量,同时也允许继续减小所形成结构的最小特征尺寸。
[0003]一些纳米制造技术通常被称为纳米压印光刻技术。纳米压印光刻技术在例如包括制造一层或更多层集成器件的各种应用中都很有用。集成器件的示例包括CMOS逻辑(CMOS logic)、微处理器、NAND闪存、NOR闪存、DRAM存储器、MRAM、3D交叉点存储器、Re
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RAM、Fe
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RAM、STT
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RAM、MEMS等。
[0004]一些纳米压印光刻技术在可成形材料(可聚合)层中形成特征图案,并将与该特征图案相对应的图案转印到底层基板中或底层基板上。图案化工艺 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种系统,其包括:反应室的一个或更多个壁;在所述一个或更多个壁中的可调节间隙,其中,在第一间隙表面与面对第一间隙表面的第二间隙表面之间形成所述可调节间隙,并且其中,第一间隙表面与第二间隙表面之间的距离是能够调节的;多个止动件,其中,所述多个止动件中的各个止动件被定位在第一间隙表面或第二间隙表面上,其中,所述多个止动件确保可调节间隙的最小距离,其中,多个止动件的总长度小于第一间隙表面长度的1%;以及一个或更多个真空口,其在第一间隙表面或第二间隙表面中。2.根据权利要求1所述的系统,其中,第一间隙表面的长度是第一间隙表面的、在一个或更多个壁与第一间隙表面相交处的边缘的长度;以及其中,所述多个止动件中的各个止动件的各自长度与所述边缘的长度平行。3.根据权利要求1所述的系统,其中,所述可调节间隙环绕反应室;其中,所述多个止动件包括三个或更多个止动件;以及其中,所述三个或更多个止动件均匀地分布在反应室周围。4.根据权利要求1所述的系统,所述系统还包括:在第一间隙表面中或在第二间隙表面中的一个或更多个通风口。5.根据权利要求1所述的系统,所述系统还包括:在第一间隙表面中或在第二间隙表面中的一个或更多个气体通风口,其中,所述一个或更多个气体通风口向所述可调节间隙供应气体。6.根据权利要求1所述的系统,其中,在第一间隙表面中的一个或更多个真空口中的真空口面对第二间隙表面,并且其中,在第二间隙表面中的一个或更多个真空口中的真空口面对第一间隙表面。7.一种系统,其包括:反应室,其包括第一封闭构件和第二封闭构件,其中,第一封闭构件和第二封闭构件中的至少一个能够相对于另一个移动;界面间隙,其形成在第一封闭构件的第一间隙表面与第二封闭构件的第二间隙表面之间,其中,第一间隙表面面对第二间隙表面,并且其中,第一封闭构件或第二封闭构件能够被移动以改变所述界面间隙的距离;多个止动件,其中,所述多个止动件中的各个止动件被定位在第一间隙表面或第二间隙表面上,并且其中除止动件以及第一封闭构件和第二封闭构件中的、与止动件接触的部分以外,第一...
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