一种基于重要边界采样的良率估计方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于重要边界采样的良率估计方法及系统，所述方法包括：步骤S1：在集成电路工艺参数空间内探索所有可能的失效区域；步骤S2：对每个失效区域建立边界模型，描述每个失效区域的边界；步骤S3：使用生成的边界模型进行重要性抽样，并根据重要性抽样的样本来进行良率估计。采用本发明专利技术的技术方案，可处理高维的良率估计问题。理高维的良率估计问题。理高维的良率估计问题。

【技术实现步骤摘要】
一种基于重要边界采样的良率估计方法及系统


[0001]本专利技术涉及集成电路良率估计
，尤其涉及一种基于重要边界采样的良率估计方法及系统。

技术介绍

[0002]随着集成电路进入纳米时代，工艺参数变化已成为设计和制造的主要挑战。由于光刻、化学机械抛光(CMP)、蚀刻等制造过程中的许多不确定因素，会导致电路性能参数不符合设计规范。人们迫切寻求能够提供快速和准确估计良率的算法，尤其大规模、需要昂贵和高精度模拟的电路尤为重要。良率定义为在可接受的性能指标下能够工作的电路的百分比，是衡量电路设计鲁棒性的一个重要指标。随着技术特征尺寸向物理极限扩展，由于不确定性而引起的变化正成为集成电路设计中日益关注的问题。这通常需要统计方法，如蒙特卡罗方法的良率分析，但非常耗时的。更糟糕的是，高度重复的单元器件，如SRAM，通常需要极低的故障率，即较高的良率，以确保整个芯片的相当适中的产量。在这些电路中，SRAM的良率分析是最值得关注的。在每个技术节点中，SRAM的设计都服从于最严格的设计规则，以帮助满足越来越严格的性能规范和更高的级别的集成。为了评估SRAM单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于重要边界采样的良率估计方法，其特征在于，包括：步骤S1：在集成电路工艺参数空间内探索所有可能的失效区域；步骤S2：对每个失效区域建立边界模型，描述每个失效区域的边界；步骤S3：使用生成的边界模型进行重要性抽样，并根据重要性抽样的样本来进行良率估计。2.如权利要求1所述的基于重要边界采样的良率估计方法，其特征在于，步骤S1，包括：步骤S11：通过求解公式(8)求解出最优均值位移向量X
r1
，并根据公式(9)求解出X
r2
，从而定义出基本区域，所述基本区域为失效区域探索的基本区域，为两个超球内的区域，其半径为||X
r1
||到||X
r2
||，其中，X
+
和X
‑
分别是X的最大值和最小值；prob∈[e
‑4,e
‑2]步骤S12：在基本区域内逐个探索失效区域的中心，失效区域被定义为中心为Xi，半径为R的超球，即LFR
i
：||X
‑
X
i
||＜R，其中，i是失效区域LFR的个数，R表示失效区域的半径。3.如权利要求2所述的基于重要边界采样的良率估计方法，其特征在于，步骤S2包括：步骤S21：根据函数变量和自变量对电路性能的影响，确定影响电路性能的变量和自变量；步骤S22：生成满足约束条件(11)的初始训练样本，并生成测试样本，f(X)
‑
f
spec
＝0
ꢀꢀꢀ
(11)，其中f
spec
是电路规范，X为影响电路性能的变量和自变量；步骤S23：在训练样本集中添加一个满足约束条件(11)的新训练样...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈露，陈全，何振宇，谢帅，赵文鹏，范文妍，
申请(专利权)人：深圳国微福芯技术有限公司，
类型：发明
国别省市：