【技术实现步骤摘要】
一种基于高斯过程回归模型的成品率估计方法
[0001]本专利技术属于集成电路设计自动化
,具体涉及一种基于高斯过程回归模型的成品率估计方法。
技术介绍
[0002]现有技术公开了,随着集成电路特征尺寸缩小到纳米尺度,工艺偏差越来越严重,由工艺偏差导致的成品率下降也越来越严重。研究时间显示,模拟电路对工艺偏差更为敏感,因此对成品率也更为重视;而SRAM等大量重复单元的电路,失效率要求非常低,对单个单元的失效率的要求达到10
‑6量级,业内对这类电路的成品率分析也越来越受到重视。
[0003]对于成品率估计,最为常见也最为精确的方法是蒙特卡洛分析,但实践显示,蒙特卡洛分析通常需要大量的仿真才能达到足够的成品率估计精度,导致计算量过大;而对于SRAM等失效率要求高的电路,采用蒙特卡洛分析,电路仿真次数可能要达到106量级以上才能出现1次失效,仿真代价无法忍受。
[0004]为了提高蒙特卡洛分析的效率,近年来业内提出了一系列的方法。其中,拉丁超立方[1]和准蒙特卡洛方法[2]通过设计实验的方式降低蒙特卡 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于高斯过程回归模型的成品率估计方法,其特征在于,其包括步骤:步骤1:随机采样初始点,仿真获得初始点性能值;步骤2:基于训练集,构建高斯过程回归模型;步骤3:根据高斯过程回归模型预测新采样点上的性能值。如果预测精度满足要求,不重新仿真;如果性能预测值不满足要求,则重新仿真,并将仿真点加入训练集;步骤4:当新增训练点数超过某个域值时进入步骤2,重新对高斯过程回归模型进行训练;否则进入步骤3,继续预测。2.按权利要求1所述的基于高斯过程回归模型的成品率估计方法,其特征在于,所述的步骤1中,通过蒙特卡洛方法随机采样N个初始点,在该N个采样点上进行仿真,获得对应的电路性能采样,对于多个电路性能,分开进行建模。3.按权利要求1所述的基于高斯过程回归模型的成...
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