一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件制造技术

本发明专利技术提供了一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上限制层和下限制层设有受激布里渊散射层；所述受激布里渊散射层由上限制层和下限制层通过结构设计出Mg/C浓度比例、Mg/O浓度比例、Mg/H浓度比例和Al浓度等差异而形成，从而限制光子和声子传播，将布里渊区的声子限制在激光器中，抑制声子泄漏，利用声子操纵受激布里渊散射反射特定波长的光谱，提升布里渊散射增益系数，降低光波导吸收损耗和内部光学损耗，提升激光功率和斜率效率，同时，减少激光模数，提升光子简并度，提升输出激光相干性。提升输出激光相干性。提升输出激光相干性。

【技术实现步骤摘要】
一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件


[0001]本专利技术涉及半导体光电器件
，具体而言，涉及一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件。

技术介绍

[0002]激光器广泛应用于激光显示、激光电视、激光投影仪、通讯、医疗、武器、制导、测距、光谱分析、切割、精密焊接、高密度光存储等领域。激光器的各类很多，分类方式也多样，主要有固体、气体、液体、半导体和染料等类型激光器；与其他类型激光器相比，全固态半导体激光器具有体积小、效率高、重量轻、稳定性好、寿命长、结构简单紧凑、小型化等优点。激光器与氮化物半导体发光二极管存在较大的区别，1)激光是由载流子发生受激辐射产生，光谱半高宽较小，亮度很高，单颗激光器输出功率可在W级，而氮化物半导体发光二极管则是自发辐射，单颗发光二极管的输出功率在mW级；2)激光器的使用电流密度达KA/cm2，比氮化物发光二极管高2个数量级以上，从而引起更强的电子泄漏、更严重的俄歇复合、极化效应更强、电子空穴不匹配更严重，导致更严重的效率衰减Droop效应；3)发光二极管自发跃迁辐射，无外界作用，从高能级跃迁到低能级的非相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底(100)、下限制层(101)、下波导层(102)，有源层(103)、上波导层(104)、电子阻挡层(105)、上限制层(106)，其特征在于：下限制层(101)与上限制层(106)形成受激布里渊散射层(107)。2.如权利要求1所述的一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件，所述受激布里渊散射层(107)的上限制层由SIMS二次离子质谱仪测试的Mg/C浓度比例大于等于下限制层的Si/C浓度比例。3.如权利要求1所述的一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件，其特征在于，所述受激布里渊散射层(107)的上限制层(106)由SIMS二次离子质谱仪测试的Mg/O浓度比例大于等于下限制层(101)的Si/O浓度比例。4.如权利要求1所述的一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件，其特征在于，所述受激布里渊散射层(107)的上限制层(106)由SIMS二次离子质谱仪测试的Mg/H浓度比例小于等于下限制层(101)的Si/H浓度比例。5.如权利要求1所述的一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件，其特征在于，所述受激布里渊散射层(107)的上限制层(106)由SIMS二次离子质谱仪测试的Al浓度小于等于下限制层(101)的Al浓度。6.如权利要求1所述的一种设有受激布里渊散射层的半导体激光元件，其特征在于，所述受激布里渊散射层(107)由上限制层(106)和下限制层(101)通过结构设计出Mg/C浓度比例、Mg/O浓度比例、Mg/H浓度比例和Al浓度等差异而形成，从...

【专利技术属性】
技术研发人员：李水清，阚宏柱，请求不公布姓名，王星河，张江勇，马斯特，白怀铭，陆恩，周进泽，牧立一，徐浩翔，韩霖，
申请(专利权)人：安徽格恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：