一种极间距可调的PECVD设备制造技术

本发明专利技术公开了一种极间距可调的PECVD设备，包括腔体及腔盖，腔盖铰接于腔体顶部，腔盖内侧设有安装板，安装板底部设有喷淋极板，喷淋极板与安装板之间形成匀流腔，安装板上设有进气装置，腔盖外侧设有射频电源，射频电源通过第一导电元件与进气装置连接，腔体侧壁上设有进出口，腔体内设有加热极板，载板位于喷淋极板与加热极板之间，加热极板下方设有托板，托板上设有支撑杆，支撑杆穿过加热极板用于支撑载板，腔体底部通过三通接口与升降驱动装置安装室连接，三通接口的第三个接口与真空泵连接，升降驱动装置安装室内设有驱动托板升降的第一升降驱动装置及驱动加热极板升降的第二升降驱动装置。本发明专利技术具有镀膜均匀性好、增大工艺窗口的优点。工艺窗口的优点。工艺窗口的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种极间距可调的PECVD设备


[0001]本专利技术涉及半导体制备
，具体涉及一种极间距可调的PECVD设备。

技术介绍

[0002]PECVD设备，主要用于异质结电池中I/N/P膜层的制备，其原理是利用平行极板放电提供能量，将反应气体激发成等离子体，电池片平铺在载板上放置在平行极板之间，反应气体经过化学反应在电池片上形成膜层。异质结电池进一步提高效率的方向是使用掺杂微晶硅代替目前的掺杂非晶硅，这样可以进一步提高掺杂浓度，增加透光性能、同时减低掺杂层的电阻，并最终增加异质结电池的电流密度。由于VHF(甚高频)激发的等离子体比常规的射频产生的等离子体电子温度更低、密度更大，因而能够大幅度提高薄膜的沉积速率，目前主要使用VHF
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PECVD来制备微晶硅。但是甚高频产生的驻波效应会造成膜厚的不均匀，所以VHF
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PECVD膜厚均匀性普遍不高。
[0003]目前PECVD设备通常有以下两种：1)腔体两侧布置有磁流体，载板在磁流体上滚动传送至工艺腔，加热极板在载板的下面，喷淋极板在载板的上面，两极板之间本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种极间距可调的PECVD设备，包括腔体(1)及腔盖(2)，所述腔盖(2)铰接于腔体(1)顶部，其特征在于：所述腔盖(2)内侧设有安装板(3)，所述安装板(3)底部设有喷淋极板(4)，所述喷淋极板(4)与安装板(3)之间形成匀流腔(5)，所述安装板(3)上设有用于向匀流腔(5)内喷气的进气装置(6)，所述腔盖(2)外侧设有射频电源(7)，所述射频电源(7)通过第一导电元件(8)与进气装置(6)连接，所述腔体(1)侧壁上设有用于供载板(9)进入腔体(1)内的进出口(10)，所述腔体(1)内设有加热极板(11)，所述载板(9)位于喷淋极板(4)与加热极板(11)之间，所述加热极板(11)下方设有托板(12)，所述托板(12)上设有支撑杆(13)，所述支撑杆(13)穿过加热极板(11)以用于支撑载板(9)，所述腔体(1)底部通过三通接口(14)与升降驱动装置安装室(15)连接，所述三通接口(14)的第三个接口与真空泵(16)连接，所述升降驱动装置安装室(15)内设有用于驱动托板(12)升降的第一升降驱动装置(17)及用于驱动加热极板(11)升降的第二升降驱动装置(18)。2.根据权利要求1所述的极间距可调的PECVD设备，其特征在于：所述第一升降驱动装置(17)包括第一活动组件(19)及用于驱动第一活动组件(19)升降的伸缩气缸(20)，所述伸缩气缸(20)设于升降驱动装置安装室(15)上，所述第一活动组件(19)依次穿过升降驱动装置安装室(15)顶部、三通接口(14)及腔体(1)底部与托板(12)连接。3.根据权利要求2所述的极间距可调的PECVD设备，其特征在于：所述升降驱动装置安装室(15)内侧壁上设有导轨(21)，所述第一活动组件(19)上设有第一滑块(22)，所述第一滑块(22)滑设于导...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐电，曾武杨，彭宜昌，陈臻阳，
申请(专利权)人：湖南红太阳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：