半导体器件的封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件的封装结构及其封装方法，应用于半导体技术领域。这种封装结构具体由芯片、制造在芯片正反面上的多个TSV通孔以及芯片背面的保护层组成；具体通过在有源区对应的芯片背面开设多个第一TSV半通孔，并在非有源区对应的芯片中开设有多个第二TSV通孔，以通过所述第二TSV通孔将所述非有源区对应的芯片背面和正面连通，之后，再在其中填充导电层，以形成将设置在所述有源区对应的芯片背面的电极电性连接至该芯片正面的非有源区的第一导电柱体和第二导电柱体，从而实现了通过导电柱体将芯片背面的电极从芯片内部引至芯片正面，无需传统的引线键合工艺，进而降低了封装结构的封装电阻和寄生电感，并提高了封装结构的散热能力。了封装结构的散热能力。了封装结构的散热能力。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的封装结构及其封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体器件的封装结构及其封装方法。

技术介绍

[0002]随着半导体行业的不断发展，人们对半导体的要求也越来越高，希望半导体的电性能越来越好，而制造成本可以越来越小。其中，功率半导体是电力电子电能转换与电路控制的核心器件，近年来低压MOSFET功率器件向高功率密度，小型化方向快速发展，且低压MOSFET器件应用场所广泛，但封装体积要求也越来越小，这一要求加速了低压MOSFET小型化，高密度化封装技术发展。
[0003]目前，现有的低压MOSFET功率器件的小型化封装工艺的具体过程包括：用引线框架作为基座，然后，将芯片(形成有低压MOSFET功率器件)通过材料例如可以为锡膏的导电薄膜封片在引线框架上，然后，在通过铜线焊料(引线键合)将芯片的电极引出，最后再用材料例如为环氧树脂的塑封材料将芯片及引线架构的外部进行塑封，以将芯片与外界污染隔离开。
[0004]然而，由于现有的低压MOSFET功率器件的小型化封装工艺中采用引线键合的方式将芯片的电极引本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的封装结构，其特征在于，包括：多个芯片，每个所述芯片均包括有源区和非有源区，所述有源区对应的芯片背面开设有多个第一TSV半通孔，所述非有源区对应的芯片中开设有多个第二TSV通孔，以通过所述第二TSV通孔将所述非有源区对应的芯片背面和正面连通；导电层，所述导电层填满每一所述第一TSV半通孔和第二TSV通孔，以形成第一导电柱体和第二导电柱体，并通过所述第一导电柱体和所述第二导电柱体将设置在所述有源区对应的芯片背面的电极电性连接至该芯片正面的非有源区，且所述导电层延伸覆盖在所述芯片的背面的整个表面上和所述芯片的正面的部分表面上；保护层，所述保护层设置在所述芯片背面覆盖的导电层的表面上。2.如权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，每个所述芯片的有源区的正面均设置有一源极和一栅极，且其背面设置有一漏极。3.如权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第一TSV半通孔的深度小于所述第二TSV通孔的深度。4.如权利要求3所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述第一TSV半通孔的深度小于所述芯片厚度的一半。5.权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述保护层的材料为绝缘材料，所述绝缘材料包括氮化硅或氧化硅。6.如权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述芯片包括功率MOSFET芯片。7.如权利要求1所述的半导体器件的封装结构，其特征在于，所述导电层的材料为金属铜。8.一种用于权利要求1～7中任一项所述的封装结...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨洋，邱松，
申请(专利权)人：无锡华润华晶微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：