本实用新型专利技术提供一种新型导电片结构，包括分体构造的基片一和基片二，所述基片一叠置于所述基片二上；所述基片一远离所述基片二的平面上配置有焊接区；所述基片二的本体上构置有用于预留二极管安装位置的凹槽；二极管的管脚绕过所述凹槽与所述基片一靠近所述基片二一侧的面接触，并与所述焊接区电连接。本实用新型专利技术采用叠放设置的双层分体式结构，在保证上层基片吸热性能的基础上，下层基片可增加上层基片的散热性能，亦增加整个导电片的储热空间，提高二极管的结温效果，并可增加过载电流。本实用新型专利技术还提出一种采用该新型导电片结构的接线盒、及采用该接线盒进行电路连接的光伏组件。件。件。
【技术实现步骤摘要】
一种新型导电片结构、接线盒及光伏组件
[0001]本技术属于太阳能光伏用二极管
，尤其是涉及一种新型导电片结构、采用该新型导电片结构制成的接线盒、以及采用该接线盒进行电路连接的光伏组件。
技术介绍
[0002]随着组件大功率和电池片转换效率的提升，对接线盒电流要求也在提升，目前接线盒效率已经无法满足要求。现有的二极管焊接时，是采用一个平板式结构的铜导电片，但因铜导片自身散热性能不足，使得二极管承载的电流低，无法承载更大组件功率所需的电流，使用寿命较短。
技术实现思路
[0003]本技术提供一种新型导电片结构、接线盒及光伏组件，解决了现有导电片散热性能不足导致二极管承载电流低、性能差的技术问题。
[0004]为解决至少一个上述技术问题，本技术采用的技术方案是：
[0005]一种新型导电片结构，包括分体构造的基片一和基片二，所述基片一叠置于所述基片二上；
[0006]所述基片一远离所述基片二的平面上配置有焊接区；
[0007]所述基片二的本体上构置有用于预留二极管安装位置的凹槽；
[0008]二极管的管脚绕过所述凹槽与所述基片一靠近所述基片二一侧的面接触，并与所述焊接区电连接。
[0009]进一步的，所述基片一被构造为T型结构，所述焊接区被构置在所述基片一中较大宽度的一端；
[0010]所述基片一的宽度小于所述基片二的宽度；
[0011]且所述基片一和所述基片二互为不同材质制成的结构。
[0012]进一步的，所述本体被构造为平板结构；
[0013]所述凹槽被构造为“J”型结构的单侧开口槽，其开口端被构置在圆弧形段处，并朝所述本体靠近所述焊接区一侧的宽度边设置；
[0014]所述凹槽的直线形段被构置在所述本体靠近所述焊接区的一侧。
[0015]进一步的，在所述本体中远离所述凹槽的另一端，构置有开口朝外设置的U型槽；
[0016]所述U型槽位于所述基片一中较短宽度一段的下方，且其槽宽小于所述基片一中较短宽度的一段；
[0017]在所述U型槽的两侧还配置有安装孔，且两侧所述安装孔沿所述本体的宽度中线非对称设置。
[0018]进一步的，所述本体两侧的长度边中，其靠近所述凹槽开口端一侧边的长度大于其远离所述凹槽开口端一侧边的长度；
[0019]所述本体靠近所述凹槽开口端一侧边中设有与所述凹槽开口端互通连接的端槽，
所述端槽的一边与所述凹槽开口端的外边平齐设置；
[0020]在所述本体两侧的长度边上，设有与其两侧长度相适配且与所述本体一体构置的翼边，所述翼边均朝下延伸设置；
[0021]在每个所述翼边与所述本体的连接处均设有若干通孔槽；
[0022]所述通孔槽部分位于所述本体上，部分位于所述翼边上。
[0023]进一步的，对于所述本体两侧边上的所述通孔槽，靠近所述凹槽开口端一侧的所述通孔槽的长度大于远离所述凹槽开口端一侧的所述通孔槽的长度；
[0024]优选地，置于所述翼边上的所述通孔槽均为长方形结构，且贯穿所述翼边的厚度设置；
[0025]置于所述本体上的所述通孔槽均为阶梯形结构，部分贯穿所述本体厚度，且贯穿所述本体厚度的所述通孔槽与置于所述翼边上的所述通孔槽互通连接；
[0026]优选地，靠近所述凹槽开口端一侧的所述通孔槽，其贯穿所述本体厚度的长度小于其未贯穿所述本体厚度的长度，且所述基片一覆盖部分未贯穿所述本体厚度的所述通孔槽；
[0027]远离所述凹槽开口端一侧的所述通孔槽，其贯穿所述本体厚度的长度大于其未贯穿所述本体厚度的长度，且所有通孔槽均未被所述基片一覆盖。
[0028]进一步的，所述基片一中靠近所述焊接区一端的侧面，配置有朝所述基片二一侧折弯的折边；
[0029]在所述折边上构置有用于卡固二极管的定位槽，与所述凹槽开口同端处；
[0030]优选地，所述折边被构造为垂直于所述基片一的平面设置，所述折边长度与所述焊接区长度部分重合；
[0031]所述定位槽深度与所述折边高度相同；
[0032]所述定位槽的下边缘设有朝外倾斜的倒角。
[0033]进一步的，所述定位槽与所述焊接区错位设置；
[0034]所述焊接区凹置于所述基片一的上端面；
[0035]在所述基片一的上端面上，其较短宽度一端设有电极标号区；
[0036]且所述基片一中其较短宽度一段的长度小于其较长宽度一段的长度；
[0037]优选地，在所述基片二中靠近所述凹槽开口一侧，还设有沿其长度方向延伸的挡块，所述挡块至所述凹槽开口一侧的距离与所述折边的长度相适配。
[0038]一种接线盒，配置有如上所述的新型导电片结构。
[0039]一种光伏组件，采用如上所述的接线盒进行电路连接。
[0040]采用本技术设计的一种新型导电片结构，采用叠放设置的双层分体式结构，在保证上层基片吸热性能的基础上，下层基片可增加上层基片的散热性能，亦增加整个导电片的储热空间，提高二极管的结温效果，并可增加过载电流。本技术还提出一种采用该新型导电片结构的接线盒、及采用该接线盒进行电路连接的光伏组件。
附图说明
[0041]图1是本技术中的新型导电片的立体图；
[0042]图2是本技术中的导电片与二极管配合的爆炸图；
[0043]图3是本技术中的导电片与二极管配合的俯视图；
[0044]图4是本技术中的基片一的立体图；
[0045]图5是本技术中的基片一的俯视图；
[0046]图6是本技术中的基片二的立体图；
[0047]图7是本技术中的基片二的俯视图；
[0048]图8是本技术中基片一与靠近凹槽一侧的通孔槽配合的侧视图；
[0049]图9是本技术中基片一与靠近焊接区一侧的通孔槽配合的侧视图；
[0050]图10(a)是采用现有技术中的导电片进行测量二极管正极的电压
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温度曲线图；
[0051]图10(b)是采用现有技术中的导电片进行测量二极管中间体的电压
‑
温度曲线图；
[0052]图10(c)是采用现有技术中的导电片进行测量二极管负极的电压
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温度曲线图；
[0053]图11(a)是采用本技术中的导电片进行测量二极管正极的电压
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温度曲线图；
[0054]图11(b)是采用本技术中的导电片进行测量二极管中间体的电压
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温度曲线图；
[0055]图11(c)是采用本技术中的导电片进行测量二极管负极的电压
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温度曲线图。
[0056]图中：
[0057]100、导电片
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10、基片一
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11、焊接区
[0058]本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种新型导电片结构，其特征在于，包括分体构造的基片一和基片二，所述基片一叠置于所述基片二上；所述基片一远离所述基片二的平面上配置有焊接区；所述基片二的本体上构置有用于预留二极管安装位置的凹槽；二极管的管脚绕过所述凹槽与所述基片一靠近所述基片二一侧的面接触，并与所述焊接区电连接。2.根据权利要求1所述的一种新型导电片结构，其特征在于，所述基片一被构造为T型结构，所述焊接区被构置在所述基片一中较大宽度的一端；所述基片一的宽度小于所述基片二的宽度；且所述基片一和所述基片二互为不同材质制成的结构。3.根据权利要求1或2所述的一种新型导电片结构，其特征在于，所述本体被构造为平板结构；所述凹槽被构造为“J”型结构的单侧开口槽，其开口端被构置在圆弧形段处，并朝所述本体靠近所述焊接区一侧的宽度边设置；所述凹槽的直线形段被构置在所述本体靠近所述焊接区的一侧。4.根据权利要求3所述的一种新型导电片结构，其特征在于，在所述本体中远离所述凹槽的另一端，构置有开口朝外设置的U型槽；所述U型槽位于所述基片一中较短宽度一段的下方，且其槽宽小于所述基片一中较短宽度的一段；在所述U型槽的两侧还配置有安装孔，且两侧所述安装孔沿所述本体的宽度中线非对称设置。5.根据权利要求1
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2、4任一项所述的一种新型导电片结构，其特征在于，所述本体两侧的长度边中，其靠近所述凹槽开口端一侧边的长度大于其远离所述凹槽开口端一侧边的长度；所述本体靠近所述凹槽开口端一侧边中设有与所述凹槽开口端互通连接的端槽，所述端槽的一边与所述凹槽开口端的外边平齐设置；在所述本体两侧的长度边上，设有与其两侧长度相适配且与所述本体一体构置的翼边，所述翼边均朝下延伸设置；在每个所述翼边与所述本体的连接处均设有若干通孔槽；所述通孔槽部分位于所述本体上，部分位于所述翼边上。6.根据权利要求5所述的一种新型导电片结构，其特征在于，对于所述本体两侧边上的所述通孔槽，靠近所述凹槽开口端一侧的所述通孔槽的长度大于远离所述凹槽开口端一侧的所述通孔槽的长度。7.根据权利要求5所述的一种新型导电片结构，其特征在于，置于所述翼边上的所述通孔槽...
【专利技术属性】
技术研发人员：邵思源，冯凯，邵世飞，邢亮亮，王磊，陈澄，
申请(专利权)人：江苏环鑫半导体有限公司，
类型：新型
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