一种低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关制造技术

本实用新型专利技术公开了一种低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关，包括：盒体、射频板、控制板、对外射频接口和射频输入接口；射频板和控制板配置于所述盒体内部，射频板分别与控制板、对外射频接口和所述射频输入接口通信连接，对外射频接口分布于所述盒体外部上方，射频输入接口配置于盒体外部正下方，本实用新型专利技术设计解决了现有开关损耗高、隔离性度低和一致性辐相低的问题。和一致性辐相低的问题。和一致性辐相低的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关


[0001]本技术涉及微波通信领域，具体为一种低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关。

技术介绍

[0002]开关是可选择路径实现多路射频信号切换的设备，广泛应用于微波通信设备中。
[0003]现有单刀多掷吸收式开关大都采用砷化镓单片开关级联进行设计，单刀五掷开关单级砷化镓的损耗在3dB左右，隔离度仅为35dB，吸收式单刀单掷开关单级砷化镓的损耗在2dB左右，隔离度也为35dB，且两者级联因芯片间距的原因隔离度还会恶化，故这种电路设计主要问题和缺陷是损耗大，隔离度不高，路间一致性难以满足高要求。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中的上述不足，本技术提供一种低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关解决了现有开关损耗高、隔离度低和一致性辐相低的问题。
[0005]为了达到上述专利技术目的，本技术采用的技术方案为：提供一种低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关，其特征在于，包括：盒体、射频板、控制板、对外射频接口和射频输入接口；r/>[0006]所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关，其特征在于，包括：盒体(1)、射频板(2)、控制板(3)、对外射频接口(4)和射频输入接口(5)；所述射频板(2)和所述控制板(3)均配置于所述盒体(1)内部，所述射频板(2)分别与所述控制板(3)、所述对外射频接口(4)和所述射频输入接口(5)通信连接，所述对外射频接口(4)分布于所述所述盒体(1)外部上方，所述射频输入接口(5)配置于所述盒体(1)外部正下方。2.根据权利要求1所述的低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关，其特征在于：所述单刀多掷吸收式开关为工作频段在2
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18GHz的单刀五掷吸收式开关。3.根据权利要求2所述的低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关，其特征在于：所述射频板(2)包括5个输出支路，每个输出支路均对应一个对外射频接口(4)。4.根据权利要求3所述的低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关，其特征在于：所述单刀多掷吸收式开关在电路设计上采取串并联电路。5.根据权利要求4所述的低损耗高隔离高幅相一致性的单刀多掷吸收式开关，其特征在于：所述单刀多掷吸收式开关的电路设计中，包括电容C1，所述电容C1的一端作为单刀多掷吸收式开关的输入端IN端与所述射频输入接口(5)相连，电容C1的另一端分别与电感L1的一端、二极管VD1的阳极、二极管VD6的阳极、二极管VD11的阳极、二极管VD16的阳极和二极管VD21的阳极连接，所述电感L1的另一端分别与接地电容C2和接地电阻R1连接，所述二极管VD1的阴极分别与二极管VD2的阳极、二极管VD3的阳极、二极管VD4的阳极、二极管VD5的阳极和电阻R2的一端连接，所述二极管VD2的阴极、二极管VD3阴极和二极管VD4的阴极均接地，所述二极管VD5的阴极分别与电阻R2的另一端、电感L3的一端和电容C4的一端连接，所述电感L3的另一端分别与接地电容C3和电感L2的一端连接，所述电感L2的另一端分别与接地电容C2和驱动电压V1连接，所述电容C4的另一端作为单刀多掷吸收式开关的第一输出支路的输出口out1连接一个对外射频接口(4)；所述二极管VD6的阴极分别与二极管VD7的阳极、二极管VD8的阳极、二极管VD9的阳极、二极管VD10的阳极和电阻R3的一端连接，所述二极管VD7的阴极、二极管VD8阴极和二极管VD9的阴极均接地，所述二极管VD10...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵莉，杨燕，
申请(专利权)人：成都晶立电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：