【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种太阳能电池，更特别地，涉及一种薄膜型太阳能电池。技术背景具有半导体特性的太阳能电池将光能转化为电能。下面对根据现有技术的太阳能电池的构造和原理进行简要介绍。太阳能电池以P型半导体与N型半导体结合在一起的PN结的构造形成。当太阳光 线照射在具有PN结构造的太阳能电池上的时候，由于太阳光线的能量而生 成空穴(+ )和电子(-)。由于在PN结的区域产生了电场，空穴(+ )向 P型半导体移动，电子(-)向N型半导体移动，因此随着电势的出现而形 成电源。太阳能电池主要分为硅晶型太阳能电池和薄膜型太阳能电池。硅晶型太阳能电池使用诸如硅等半导体材料制成的晶片。然而，薄膜型 太阳能电池是通过在玻璃基板上以薄膜的形式形成半导体而制成。就效率而言，硅晶型太阳能电池优于薄膜型太阳能电池。然而，对硅晶 型太阳能电池来说，因其制造工艺而难以实现较小的厚度。此外，硅晶型太 阳能电池使用昂贵的半导体基板，因此增加了它的制造成本。尽管薄膜型太阳能电池在效率上低于硅晶型太阳能电池，但薄膜型太阳 能电池具有诸如实现薄外形和使用低价材料等的优点。因此，薄膜型太阳能 电池适于大规...
【技术保护点】
一种薄膜型太阳能电池，包括： 在基板上形成的前电极； 在所述前电极上形成的半导体层； 在所述半导体层上形成的透明导电层； 在所述透明导电层上方形成的后电极；以及 缓冲层，在所述透明导电层与所述后电极之间形成，用以减小所述后电极的电阻并提高所述透明导电层与所述后电极之间的结合强度。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：金宰湖，
申请(专利权)人：周星工程股份有限公司，
类型：发明
国别省市：KR
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