双向变换电路、装置及LLC双向变换器制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种双向变换电路、装置及LLC双向变换器，涉及电路变换技术领域，本实用新型专利技术通过在双向变换电路中设置谐振单元，谐振单元包括第一电感、第一电容以及切换开关，第一电感与切换开关的控制端连接，第一电容与切换开关并联；谐振单元用于在进行电压变换时，对电压进行恒定，得到恒定电压；切换开关用于在不同的模式下进行电路切换，将第一电感作为不同模式下不同流向的电路的谐振，对电压进行恒定，通过在谐振单元中设置第一电感，并通过切换开关进行电路切换，使第一电感形成不同的电路回路，作为不同流向电路的谐振，从而避免使用变压器内部的励磁电感，降低双向变换时的损耗和电路成本。的损耗和电路成本。的损耗和电路成本。

【技术实现步骤摘要】
双向变换电路、装置及LLC双向变换器


[0001]本技术涉及电路变换
，尤其涉及一种双向变换电路、装置及LLC双向变换器。

技术介绍

[0002]DC
‑
DC变换器是调节能量传输的变换器，在微储能系统、车载电源系统、回馈充放电系统、混合能源电动汽车等场合有广泛应用。但其存在软开关范围窄、关断电流大等问题，从而影响了变换器整体的效率。目前主要是由变压器自身的励磁电感作为电感，进行电路变换，但会增加变压器的制造工艺复杂度，成本较高，同时变压器磁芯要增加气隙，降低变压器的效率。

技术实现思路

[0003]本技术的主要目的在于提供一种双向变换电路、装置及LLC双向变换器，旨在解决现有技术双向变换效率低且成本高的技术问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提出一种双向变换电路，所述双向变换电路包括谐振单元，所述谐振单元包括：第一电感、第一电容以及切换开关，所述第一电感与所述切换开关的控制端连接，所述第一电容与所述切换开关并联；
[0005]所述谐振单元，用于在进行电压变换时，对电压进行恒定，得到恒定电压；
[0006]所述切换开关，用于在不同的模式下进行电路切换，将所述第一电感作为不同模式下不同流向的电路的谐振，对电压进行恒定。
[0007]可选地，所述谐振单元还包括：第二电感；
[0008]所述第一电容的第一端与所述切换开关的第一切换端连接，所述第二电感的第一端与所述第一电容的第二端连接，所述第二电感的第二端与所述切换开关的第二切换端连接。
>[0009]可选地，所述双向变换电路还包括高压单元、变压单元以及低压单元，所述高压单元、所述谐振单元、所述变压单元以及所述低压单元依次连接；
[0010]所述高压单元，用于接入高压直流电压，并将所述高压直流电压转换为高压交流电压；
[0011]所述谐振单元，用于将所述高压交流电压进行恒定，得到恒定交流电压；
[0012]所述变压单元，用于将所述恒定交流电压进行降压，得到降压交流电压；
[0013]所述低压单元，用于将所述降压交流电压进行转换，得到降压直流电压，并将所述降压直流电压进行输出。
[0014]可选地，所述高压单元包括：高压电源端口、第一开关管、第二开关管、第三开关管以及第四开关管；
[0015]所述高压电源端口，用于接入或输出高压直流电压；
[0016]所述高压电源端口分别与所述第一开关管的输入端和所述第二开关管的输入端
连接；
[0017]所述第三开关管的输出端以及所述第四开关管的输出端接地；
[0018]所述第一开关管的输出端、所述第二开关管的输出端、所述第三开关管的输入端以及所述第四开关管的输入端分别与所述谐振单元连接。
[0019]可选地，所述第一开关管包括：第一MOS管，所述第二开关管包括：第二MOS管，所述第三开关管包括：第三MOS管，所述第四开关管包括：第四MOS管；
[0020]所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极分别与所述高压电源端口连接，所述第一MOS管的源极、所述第二MOS管的源极、所述第三MOS管的漏极以及所述第四MOS管的漏极分别与所述谐振单元连接；
[0021]所述第三MOS管的源极以及所述第四MOS管的源极接地。
[0022]可选地，所述低压单元包括：低压电源端口，第五开关管、第六开关管、第七开关管以及第八开关管；
[0023]所述低压电源端口，用于接入或输出降压直流电压；
[0024]所述第五开关管的输入端和所述第六开关管的输入端分别与所述低压电源端口连接
[0025]所述第五开关管的输出端、所述第六开关管的输出端、所述第七开关管的输出端以及所述第八开关管的输出端分别与所述变压单元连接；
[0026]所述第七开关管的输入端以及所述第八开关管的输入端接地。
[0027]可选地，所述第五开关管包括：第五MOS管，所述第六开关管包括：第六MOS管，所述第七开关管包括：第七MOS管，所述第八开关管包括：第八MOS管；
[0028]所述第五MOS管的漏极和所述第六MOS管的漏极分别与所述低压电源端口连接；
[0029]所述第五MOS管的源极、所述第六MOS管的源极、所述第七MOS管的漏极以及所述第八MOS管的漏极分别与所述变压单元连接；
[0030]所述第七MOS管的源极和八MOS管的源极接地。
[0031]可选地，所述变压单元包括：变压器；
[0032]所述变压器的原边与所述谐振单元连接，所述变压器的副边与所述低压单元连接。
[0033]此外，为实现上述目的，本技术还提出一种双向变换装置，所述双向变换装置包括如上文所述的双向变换电路。
[0034]此外，为实现上述目的，本技术还提出一种LLC双向变换器，所述LLC双向变换器包括如上文所述的双向变换电路。
[0035]在本技术中，通过在双向变换电路中设置谐振单元，谐振单元包括第一电感、第一电容以及切换开关，第一电感与切换开关的控制端连接，第一电容与切换开关并联；谐振单元用于在进行电压变换时，对电压进行恒定，得到恒定电压；切换开关用于在不同的模式下进行电路切换，将第一电感作为不同模式下不同流向的电路的谐振，对电压进行恒定，通过在谐振单元中设置第一电感，并通过切换开关进行电路切换，使第一电感形成不同的电路回路，作为不同流向电路的谐振，从而避免使用变压器内部的励磁电感，降低双向变换时的损耗和电路成本。
附图说明
[0036]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0037]图1为本技术双向变换电路第一实施例的结构示意图；
[0038]图2为现有技术的双向变换电路的电路结构示意图；
[0039]图3为本技术双向变换电路第二实施例的结构示意图。
[0040]本技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
[0041]附图标号说明：
[0042]标号名称标号名称10谐振单元M1～M4第一至第四MOS管L1第一电感30变压单元L2第二电感TX变压器C1第一电容40低压单元20高压单元V2低压电源端口V1高压电源端口401～404第五至第八开关管201～204第一至第四开关管M5～M8第五至第八MOS管
具体实施方式
[0043]应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
[0044]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双向变换电路，其特征在于，所述双向变换电路包括谐振单元，所述谐振单元包括：第一电感、第一电容以及切换开关，所述第一电感与所述切换开关的控制端连接，所述第一电容与所述切换开关并联；所述谐振单元，用于在进行电压变换时，对电压进行恒定，得到恒定电压；所述切换开关，用于在不同的模式下进行电路切换，将所述第一电感作为不同模式下不同流向的电路的谐振，对电压进行恒定。2.如权利要求1所述的双向变换电路，其特征在于，所述谐振单元还包括：第二电感；所述第一电容的第一端与所述切换开关的第一切换端连接，所述第二电感的第一端与所述第一电容的第二端连接，所述第二电感的第二端与所述切换开关的第二切换端连接。3.如权利要求2所述的双向变换电路，其特征在于，所述双向变换电路还包括高压单元、变压单元以及低压单元，所述高压单元、所述谐振单元、所述变压单元以及所述低压单元依次连接；所述高压单元，用于接入高压直流电压，并将所述高压直流电压转换为高压交流电压；所述谐振单元，用于将所述高压交流电压进行恒定，得到恒定交流电压；所述变压单元，用于将所述恒定交流电压进行降压，得到降压交流电压；所述低压单元，用于将所述降压交流电压进行转换，得到降压直流电压，并将所述降压直流电压进行输出。4.如权利要求3所述的双向变换电路，其特征在于，所述高压单元包括：高压电源端口、第一开关管、第二开关管、第三开关管以及第四开关管；所述高压电源端口，用于接入或输出高压直流电压；所述高压电源端口分别与所述第一开关管的输入端和所述第二开关管的输入端连接；所述第三开关管的输出端以及所述第四开关管的输出端接地；所述第一开关管的输出端、所述第二开关管的输出端、所述第三开关管的输入端以及所述第四开关管的输入端分别与所述谐振单元连接。5.如权利要求4所述的双向变换电路，其特征在于，所述第一开关管包括：第一MOS管，所述第二开关管包...

【专利技术属性】
技术研发人员：戴国峰，
申请(专利权)人：深圳驿普乐氏科技有限公司，
类型：新型
国别省市：