一种Mosfet半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种Mosfet半导体器件，包括安装底板和散热机构。该Mosfet半导体器件，通过散热机构中散热块、连接凸耳、螺钉、开孔、电机外壳、电机、转轴、扇叶、连接开孔、固定螺钉、散热孔和滤网的设置，散热块通过两侧开设的连接凸耳通过螺钉与安装底板固定连接，散热块与安装底板之间安装有Mosfet半导体，Mosfet半导体与散热块之间为卡槽连接，Mosfet半导体散发热量传导到散热块内，散热块通过散热片将热量散发形成第一次散热，散热块内部两侧开设有连接开孔，电机外壳通过固定螺钉与散热块稳定链接，然后转轴和扇叶在电机的运转带动下旋转，对散热块进一步进行散热，从而达到Mosfet半导体内部的热量及时排除，散热效果好，提高散热效率，增加使用寿命的作用。增加使用寿命的作用。增加使用寿命的作用。

【技术实现步骤摘要】
一种Mosfet半导体器件


[0001]本技术涉及Mosfet半导体
，尤其涉及一种Mosfet半导体器件。

技术介绍

[0002]MOSFET半导体器件又称之为金氧半场效晶体管，是广泛运用于模拟电路与数字电路的场效晶体管，依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，目前的MOSFET半导体器件在使用时会产生热量使其工作环境温度上升，其主要通过器件外壳进行散热，且被放置在较封闭的环境中，因此散热效果较差，效率低，降低了使用寿命，故此，特别需要一种Mosfet半导体器件。
[0003]但是现有的MOSFET半导体器件在使用时会产生热量使其工作环境温度上升，其主要通过器件外壳进行散热，且被放置在较封闭的环境中，因此散热效果较差，效率低，降低了使用寿命。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种Mosfet半导体器件，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的MOSFET半导体器件在使用时会产生热量使其工作环境温度上升，其主要通过器件外壳进行散热，且被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Mosfet半导体器件，包括安装底板(1)和散热机构(4)，散热机构(4)包括散热块(401)、连接凸耳(402)、螺钉(403)、开孔(404)、电机外壳(405)、电机(406)、转轴(407)、扇叶(408)、连接开孔(409)、固定螺钉(410)、散热孔(411)和滤网(412)，其特征在于：所述安装底板(1)顶部设有Mosfet半导体(2)，所述Mosfet半导体(2)顶部一侧设置有PIN1指示点(3)，所述Mosfet半导体(2)顶部设置有散热机构(4)。2.根据权利要求1所述的一种Mosfet半导体器件，其特征在于，所述散热机构(4)包括散热块(401)、连接凸耳(402)、螺钉(403)、开孔(404)、电机外壳(405)、电机(406)、转轴(407)、扇叶(408)、连接开孔(409)、固定螺钉(410)、散热孔(411)和滤网(412)，所述Mosfet半导体(2)顶部设置有散热块(401)，所述散热块(401)外侧设置有连接凸耳(402)，所述连接凸耳(402)内部设置有螺钉(403)，所述螺钉(403)外侧表面设置有开孔(404)，所述散热块(401)顶部设置有电机外壳(405)，所述电机外壳(405)内部设置有电机(406)，所述电机(406)内部设置有转轴(407)，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋高喜，陈颖，
申请(专利权)人：无锡鑫泽半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：