改性铁钴矾合金磁片及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种改性铁钴矾合金磁片及其制备方法。该制备方法包括：步骤S1，将铁钴矾合金磁片在还原气氛下进行第一热处理，得到第一热处理后磁片；步骤S2，将第一热处理后磁片在氧化气氛下进行第二热处理，得到改性铁钴矾合金磁片，还原气氛包括氢气和第一惰性气体，氢气的体积占比为50～80％，第一惰性气体为氩气或氦气。本申请的制备方法不仅能够去除铁钴矾合金磁片本身存在的应力和缺陷，而且经过氧化气氛下进行第二热处理后能够在第一热处理后磁片表面原位生成氧化膜耐腐蚀层，从而大大提高改性铁钴矾合金磁片的耐腐蚀性能，同时保持了铁钴矾合金磁片原有的软磁特性，降低了成本，且不会导致改性铁钴矾合金磁片的厚度增加太多。太多。

【技术实现步骤摘要】
改性铁钴矾合金磁片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及磁性材料
，具体而言，涉及一种改性铁钴矾合金磁片及其制备方法。

技术介绍

[0002]铁钴矾合金是一种主要由铁、钴和矾三种元素组成的磁性材料，当合金成分(质量百分比)为Co：49～51％、V：0.8～1.8％、其余为Fe时，材料具有现有软磁材料最高的饱和磁感应强度(2.4T)，居里温度也高达980℃。由于铁钴矾磁片具有超高的饱和磁感应强度及良好的导磁特性，被广泛地用于磁屏蔽领域，尤其适合用于外部干扰磁场较高的情况，可以大大减小屏蔽体的尺寸。然而，铁钴矾合金耐腐蚀性较差，通常磁片热处理后需要进行电镀、化学镀等上镀层处理，以提高磁片的耐腐蚀性能。这种先热处理再进行镀层的方式存在着一定的缺陷，首先会增加磁片的加工成本；其次通常镀层为非铁磁性材料，其对磁片的磁屏蔽效果没有有益的影响，但增加了磁片厚度，使得磁片在设计空间狭小的场合下的使用受到限制。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于提供一种改性铁钴矾合金磁片及其制备方法，以解决现有技术中为提高铁钴矾合金磁片的耐腐蚀性能而导致其厚度较厚以及成本较高的问题。
[0004]为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种改性铁钴矾合金磁片的制备方法，该制备方法包括：步骤S1，将铁钴矾合金磁片在还原气氛下进行第一热处理，得到第一热处理后磁片；步骤S2，将第一热处理后磁片在氧化气氛下进行第二热处理，得到改性铁钴矾合金磁片，其中，还原气氛包括氢气和第一惰性气体，氢气的体积占比为50～80％，第一惰性气体为氩气或氦气。
[0005]进一步地，上述氧化气氛包括氧气和第二惰性气体，第二惰性气体为氩气或氦气。
[0006]进一步地，上述氧气的体积占比为3～8％。
[0007]进一步地，上述第一热处理的过程包括：将铁钴矾合金磁片从常温下通过第一升温处理升温至850～900℃并保温2～4h后，得到第一处理磁片；将第一处理磁片进行第一空冷降温至740～770℃，得到第二处理磁片，将第二处理磁片进行第二空冷降温至190～230℃，得到第一热处理后磁片，第一空冷的降温速率小于第二空冷的降温速率。
[0008]进一步地，上述第一升温处理的速率为300～400℃/h。
[0009]进一步地，上述第一空冷降温的速率为20～40℃/h，优选第二空冷降温的速率为280～350℃/h。
[0010]进一步地，上述第二热处理的过程包括：将第一热处理后磁片通过第二升温处理升温至450～500℃并保温20～60min，得到第三处理磁片；将第三处理磁片进行第三空冷降温至室温，得到改性铁钴矾合金磁片，优选第二升温处理的速率为300～400℃/h，优选第三空冷降温的速率为280～350℃/h。
[0011]以质量百分比计，上述铁钴矾合金磁片包括49～51％的Co、0.8～1.8％的V及47.2～50.2％的Fe，优选铁钴矾合金磁片的厚度为0.1～1.0mm。
[0012]进一步地，上述制备方法还包括：将铁钴矾合金磁片表面进行清理、干燥后进行第一热处理的过程。
[0013]根据本专利技术的一个方面，提供了一种改性铁钴矾合金磁片，该改性铁钴矾合金磁片由上述的制备方法得到。
[0014]应用本专利技术的技术方案，本申请的制备方法通过对还原气氛中氢气含量的控制，使得第一热处理后磁片不仅能够去除铁钴矾合金磁片本身存在的应力和缺陷，而且通过还原气氛下的第一热处理使得第一热处理后磁片表面进行了复杂的化学变化，这种改变有利于使得第一热处理后磁片在经过氧化气氛下进行第二热处理后能够在第一热处理后磁片表面原位生成氧化膜耐腐蚀层，从而大大提高改性铁钴矾合金磁片的耐腐蚀性能，同时保持了铁钴矾合金磁片原有的软磁特性，与现有技术相比，降低了成本，且不会导致改性铁钴矾合金磁片的厚度增加太多。
具体实施方式
[0015]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合实施例来详细说明本专利技术。
[0016]如
技术介绍
所分析的，现有技术中存在为提高铁钴矾合金磁片的耐腐蚀性能而导致其厚度较厚以及成本较高的问题，为解决该问题，本专利技术提供了一种改性铁钴矾合金磁片及其制备方法。
[0017]在本申请的一种典型的实施方式中，提供了一种改性铁钴矾合金磁片的制备方法，该制备方法包括：步骤S1，将铁钴矾合金磁片在还原气氛下进行第一热处理，得到第一热处理后磁片；步骤S2，将第一热处理后磁片在氧化气氛下进行第二热处理，得到改性铁钴矾合金磁片，其中，还原气氛包括氢气和第一惰性气体，氢气的体积占比为50～80％，第一惰性气体为氩气或氦气。
[0018]本申请的制备方法通过对还原气氛中氢气含量的控制，使得第一热处理后磁片不仅能够去除铁钴矾合金磁片本身存在的应力和缺陷，而且通过还原气氛下的第一热处理使得第一热处理后磁片表面进行了复杂的化学变化，这种改变有利于使得第一热处理后磁片在经过氧化气氛下进行第二热处理后能够在第一热处理后磁片表面原位生成氧化膜耐腐蚀层，从而大大提高改性铁钴矾合金磁片的耐腐蚀性能，同时保持了铁钴矾合金磁片原有的软磁特性，与现有技术相比，降低了成本，且不会导致改性铁钴矾合金磁片的厚度增加太多。
[0019]为了进一步控制改性铁钴矾合金磁片所形成的氧化膜耐腐蚀层的厚度和致密性，优选上述氧化气氛包括氧气和第二惰性气体，第二惰性气体为氩气或氦气。
[0020]优选上述氧气的体积占比为3～8％，从而尽可能地控制在第一热处理后磁片的表面原位生成氧化膜耐腐蚀薄层的厚度，从而优化铁钴矾合金磁片的耐腐蚀特性。
[0021]在本申请的一种实施例中，上述第一热处理的过程包括：将铁钴矾合金磁片从常温下通过第一升温处理升温至850～900℃并保温2～4h后，得到第一处理磁片；将第一处理磁片进行第一空冷降温至740～770℃，得到第二处理磁片，将第二处理磁片进行第二空冷
降温至190～230℃，得到第一热处理后磁片，第一空冷的降温速率小于第二空冷的降温速率。
[0022]第一热处理的保温温度过高，易导致混合气体中氢气与铁钴矾合金磁片发生显著的反应，从而使氢脆问题严重，不利于提高铁钴矾合金磁片最终的力学性能和耐腐蚀性能，同时过高的温度会使得铁钴矾合金磁片内部元素之间尤其是杂质元素形成新的化合物，在一定程度上会影响铁钴矾合金磁片的磁性能。保温温度过低，易导致铁钴矾合金磁片中的缺陷无法完全修复，加工过程中产生的应力无法彻底去除，晶粒也无法充分地长大，从而不利于保持铁钴矾合金磁片的磁性能。因此，优选的上述升温处理和分段降温处理的过程有助于尽可能地去除铁钴矾合金磁片本身存在的应力和缺陷，并有助于提高其力学性能和耐腐蚀性能。
[0023]为了兼顾第一升温处理的效率和效果，优选上述第一升温处理的速率为300～400℃/h。
[0024]为了更好地释放铁钴矾合金磁片本身存在的应力和缺陷，优选上述第一空冷降温的速率为20～40℃/h，优选第二空冷降本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改性铁钴矾合金磁片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤S1，将铁钴矾合金磁片在还原气氛下进行第一热处理，得到第一热处理后磁片；步骤S2，将所述第一热处理后磁片在氧化气氛下进行第二热处理，得到所述改性铁钴矾合金磁片，其中，所述还原气氛包括氢气和第一惰性气体，所述氢气的体积占比为50～80％，所述第一惰性气体为氩气或氦气。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氧化气氛包括氧气和第二惰性气体，所述第二惰性气体为氩气或氦气。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述氧气的体积占比为3～8％。4.根据权利要求1至3中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一热处理的过程包括：将所述铁钴矾合金磁片从常温下通过第一升温处理升温至850～900℃并保温2～4h后，得到第一处理磁片；将所述第一处理磁片进行第一空冷降温至740～770℃，得到第二处理磁片，将所述第二处理磁片进行第二空冷降温至190～230℃，得到所述第一热处理后磁片，所述第一空冷的降温速率小于所述第二空冷的降温速率。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第一升温处理的速率为300...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘立东，付亚奇，陈新彬，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：