一种磨削工作台和晶圆减薄设备制造技术

本发明专利技术公开了一种磨削工作台和晶圆减薄设备，磨削工作台包括由上至下依次叠放的安装盘、支撑环和基座，安装盘用于承载吸盘，支撑环与基座固定连接，安装盘与基座中的驱动机构连接，支撑环内部设有气浮结构，以实现安装盘悬浮于支撑环时在驱动机构的驱动下转动，所述支撑环的上表面具有三个高度完全一致的最高点，使得安装盘抵接于支撑环上表面时保持水平。使得安装盘抵接于支撑环上表面时保持水平。使得安装盘抵接于支撑环上表面时保持水平。

【技术实现步骤摘要】
一种磨削工作台和晶圆减薄设备


[0001]本专利技术涉及晶圆超精密磨削
，尤其涉及一种磨削工作台和晶圆减薄设备。

技术介绍

[0002]目前半导体行业采用在半导体晶圆的表面上形成有IC(Integrated Circuit，集成电路)或LSI(Large Scale Integration，大规模集成电路)等电子电路来制造半导体芯片。晶圆在被分割为半导体芯片之前，通过磨削减薄加工装置来磨削晶圆的背面，该背面是指形成有电子电路的器件面的相反面，也称衬底。晶圆的背面减薄(Grinding)指对封装前的硅晶片或化合物半导体等多种材料进行高精度磨削，使其厚度减少至合适的超薄形态。
[0003]磨削工作台由多层组成，各层的表面平整度或水平度均会影响最上层的表面平整度或水平度，特别是由于磨削工作台的直径很大、周长较长，实际受制于精度能力或安装因素，其上表面精度可能不理想，会出现随机新装的误差，导致不同表面之间处于不稳定接触的状态，最终影响超精密磨削的一致性。

技术实现思路

[0004]本专利技术实施例提供了一种磨削工作台和晶圆减薄设备，旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。
[0005]本专利技术实施例的第一方面提供了一种磨削工作台，包括由上至下依次叠放的安装盘、支撑环和基座，安装盘用于承载吸盘，支撑环与基座固定连接，安装盘与基座中的驱动机构连接，支撑环内部设有气浮结构，以实现安装盘悬浮于支撑环时在驱动机构的驱动下转动，所述支撑环的上表面具有三个高度完全一致的最高点，使得安装盘抵接于支撑环上表面时保持水平。
[0006]在一个实施例中，所述支撑环的上表面的最高点相对最低点高出1～50μm。
[0007]在一个实施例中，三个所述最高点沿支撑环的周向均匀分布。
[0008]在一个实施例中，所述支撑环的上表面的最高点和最低点之间平滑过渡。
[0009]在一个实施例中，所述支撑环的上表面具有起伏的形状。
[0010]在一个实施例中，所述最高点按照靠近磨削工件布置。
[0011]在一个实施例中，所述支撑环外侧壁设有配气接头，支撑环内部有气路，支撑环的上表面设有多个气孔，通过配气接头进气，从气孔出气以利用气压将安装盘连带其上的吸盘一同浮起。
[0012]在一个实施例中，所述支撑环的材料硬度在2.5到5之间。
[0013]在一个实施例中，所述安装盘包括上层和下层，上层包括分隔板和防水罩，下层包括分度盘。
[0014]本专利技术实施例的第二方面提供了一种晶圆减薄设备，包括：
[0015]吸盘，用于保持晶圆并带动晶圆旋转；
[0016]如上所述的磨削工作台，用于承载预设数量的所述吸盘并带动全部吸盘整体旋转；
[0017]磨削工件，用于对晶圆进行磨削减薄处理。
[0018]本专利技术实施例的有益效果包括：能够保证安装盘抵接在支撑环上时保持绝对水平或绝对平整，从而保证良好的接触稳定性与确定性。
附图说明
[0019]通过结合以下附图所作的详细描述，本专利技术的优点将变得更清楚和更容易理解，但这些附图只是示意性的，并不限制本专利技术的保护范围，其中：
[0020]图1示出了本专利技术一实施例提供的晶圆减薄设备；
[0021]图2至图4示出了本专利技术一实施例提供的磨削工作台；
[0022]图5示出了本专利技术一实施例提供的支撑环和分度盘；
[0023]图6示出了本专利技术一实施例提供的支撑环和磨削工件的相对位置。
具体实施方式
[0024]下面结合具体实施例及其附图，对本专利技术所述技术方案进行详细说明。在此记载的实施例为本专利技术的特定的具体实施方式，用于说明本专利技术的构思；这些说明均是解释性和示例性的，不应理解为对本专利技术实施方式及本专利技术保护范围的限制。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。除在此记载的实施例外，本领域技术人员还能够基于本申请权利要求书及其说明书所公开的内容采用显而易见的其它技术方案，这些技术方案包括采用对在此记载的实施例的做出任何显而易见的替换和修改的技术方案。应当理解的是，除非特别予以说明，为了便于理解，以下对本专利技术具体实施方式的描述都是建立在相关设备、装置、部件等处于原始静止的未给与外界控制信号和驱动力的自然状态下描述的。
[0025]此外，还需要说明的是，本申请中使用的例如前、后、上、下、左、右、顶、底、正、背、水平、垂直等表示方位的术语仅仅是为了便于说明，用以帮助对相对位置或方向的理解，并非旨在限制任何装置或结构的取向。
[0026]为了说明本专利技术所述的技术方案，下面将参考附图并结合实施例来进行说明。
[0027]在本申请中，晶圆(wafer)也称为晶片、硅片、基片或基板(substrate)等，其含义和实际作用等同。
[0028]本公开实施例提供的晶圆减薄设备主要应用于晶圆的背面减薄，这里所说的背面是指晶圆未铺设有器件的一面，一般为衬底，衬底材料可以为硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、蓝宝石等。
[0029]图1示出了本专利技术一实施例提供的一种晶圆减薄设备，包括：
[0030]设备前端模块1，用于实现晶圆的进出，设备前端模块1设置在晶圆减薄设备的前端。设备前端模块1是实现将晶圆从外部搬送到设备机台内部的过渡模块，用于实现晶圆进出，以实现晶圆的“干进干出”。
[0031]磨削模块3，用于对晶圆进行磨削，所述磨削包括粗磨削和精磨削，磨削模块3设置在晶圆减薄设备的末端；
[0032]抛光模块2，用于在完成所述磨削之后对晶圆进行化学机械抛光，还具有在此三个模块(设备前端模块1、磨削模块3和抛光模块2)之间传输晶圆的功能，抛光模块2设置在设备前端模块1和磨削模块3之间。
[0033]可以理解的是，图1所示的晶圆减薄设备仅为一种示例，在其他实现方式中也可以去掉抛光模块2，仅保留设备前端模块1和磨削模块3，另外，磨削模块3还可以包括多道磨削，例如3道、4道、5道等。类似这些变形的实施例只要能够实现晶圆的磨削减薄功能均应当落入本申请的保护范围内。
[0034]设备前端模块1：
[0035]设备前端模块1包括晶圆存储单元和第一传输单元。晶圆存储单元设置在晶圆减薄设备的前端一侧，第一传输单元设置在晶圆存储单元和抛光模块2之间，用来实现晶圆在晶圆存储单元与抛光模块2之间的传输。
[0036]晶圆存储单元由多个前开式晶圆传送盒(Front Opening Unified Pod，FOUP)组成，具体地可以为两个、三个等。
[0037]第一传输单元包括取放片机械手。取放片机械手可旋转、伸展或折叠收缩，还可以沿传输轨道移动。取放片机械手可以通过晶圆传送盒的门结构从晶圆存储单元取出待处理的晶圆送入抛光模块2，还可以从抛光模块2接收处理完毕的晶圆放入晶圆传送盒中。
[0038]抛光模块2：
[0039]抛光模块2包括第二传输单元、第三传输单元、化学机械抛光单元和后处理单元。第二传输单本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磨削工作台，其特征在于，包括由上至下依次叠放的安装盘、支撑环和基座，安装盘用于承载吸盘，支撑环与基座固定连接，安装盘与基座中的驱动机构连接，支撑环内部设有气浮结构，以实现安装盘悬浮于支撑环时在驱动机构的驱动下转动，所述支撑环的上表面具有三个高度完全一致的最高点，使得安装盘抵接于支撑环上表面时保持水平。2.如权利要求1所述的磨削工作台，其特征在于，所述支撑环的上表面的最高点相对最低点高出1～50μm。3.如权利要求1所述的磨削工作台，其特征在于，三个所述最高点沿支撑环的周向均匀分布。4.如权利要求1所述的磨削工作台，其特征在于，所述支撑环的上表面的最高点和最低点之间平滑过渡。5.如权利要求1所述的磨削工作台，其特征在于，所述支撑环的上表面具有起伏的形状。6.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德文，刘远航，靳凯强，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：