芯片型陶瓷半导体电子元件制造技术

本发明专利技术提供一种即便是小尺寸，第1外部电极(3)与第2外部电极(4)的界面(B)也不易剥离的芯片型陶瓷半导体电子元件(10)。芯片型陶瓷半导体电子元件(10)包括：陶瓷坯体(2)，其包含陶瓷半导体，具有第1面(21)和与所述第1面(21)接触的第2面(22)；第1外部电极(3)，其设于所述陶瓷坯体(2)的所述第1面(21)；以及第2外部电极(4)，其覆盖所述第1外部电极(3)，且延伸至所述陶瓷坯体(2)的所述第2面(22)，所述第1外部电极(3)的第1面(35)的面积小于0.17mm2，在所述第1外部电极(3)与所述第2外部电极(4)的界面(B)配置有由比所述第1外部电极(3)硬的材料形成的硬质颗粒(7)。形成的硬质颗粒(7)。形成的硬质颗粒(7)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】芯片型陶瓷半导体电子元件


[0001]本专利技术涉及包含正特性(或正温度系数、PTC)热敏电阻和负特性(或负温度系数、NTC)热敏电阻的热敏电阻、压敏电阻及电容器等芯片型陶瓷半导体电子元件。

技术介绍

[0002]近年来，伴随着电子技术的发展，谋求减小芯片型陶瓷半导体电子元件的电阻值的偏差。
[0003]在专利文献1中公开了一种芯片型陶瓷半导体电子元件，该芯片型陶瓷半导体电子元件包括：陶瓷坯体，其包含陶瓷半导体；一对第1外部电极，其形成于陶瓷坯体的两端面；以及一对第2外部电极，其形成为覆盖第1外部电极且向陶瓷坯体的侧面的一部分延伸。第2外部电极包含导电材料和在500℃以下的温度时固化的热固性树脂。
[0004]在专利文献1所公开的芯片型陶瓷半导体电子元件中，通过使用在比烘烤等热处理时的温度低的温度时能够固化的树脂材料形成第2外部电极，从而能够抑制第1外部电极所包含的金属元素的氧化和/或偏析，其结果，能够减小芯片型陶瓷半导体电子元件的在安装前后的电阻值的变化率的偏差。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：国际公开第2016/042884号

技术实现思路

[0008]专利技术要解决的问题
[0009]专利文献1所公开的芯片型陶瓷半导体电子元件若尺寸变小，则第1外部电极与第2外部电极的接触面积变小，第1外部电极与第2外部电极之间的固着强度易于下降。特别是，在尺寸比尺寸规格1005M(JIS C 5101
‑
21：2014、附录A)小的芯片型陶瓷半导体电子元件中，存在第1外部电极与第2外部电极的界面剥离的隐患。
[0010]本专利技术的目的在于，提供一种即便是小尺寸，第1外部电极与第2外部电极的界面也不易剥离的芯片型陶瓷半导体电子元件。
[0011]用于解决问题的方案
[0012]根据本专利技术的1个主旨，
[0013]一种芯片型陶瓷半导体电子元件，其中，该芯片型陶瓷半导体电子元件包括：
[0014]陶瓷坯体，其包含陶瓷半导体，具有第1面和与所述第1面接触的第2面；
[0015]第1外部电极，其设于所述陶瓷坯体的所述第1面；以及
[0016]第2外部电极，其覆盖所述第1外部电极，且延伸至所述陶瓷坯体的所述第2面，
[0017]所述第1外部电极的第1面的面积小于0.17mm2，
[0018]在所述第1外部电极与所述第2外部电极的界面配置有由比所述第1外部电极硬的材料形成的硬质颗粒。
[0019]专利技术的效果
[0020]根据本专利技术，由于配置于第1外部电极与第2外部电极的界面的硬质颗粒发挥锚固效应，因此第1外部电极与第2外部电极之间的固着强度得到提高。由此，例如即便是尺寸比尺寸规格1005M(JIS C 5101
‑
21：2014、附录A)小的芯片型陶瓷半导体电子元件，也能够使第1外部电极与第2外部电极的界面不易剥离。
附图说明
[0021]图1是本专利技术的第1实施方式的芯片型陶瓷半导体电子元件的概略俯视图。
[0022]图2是图1所示的芯片型陶瓷半导体电子元件的概略局部剖视图。
[0023]图3是图2所示的芯片型陶瓷半导体电子元件中的设于陶瓷坯体的一个端面的第1外部电极和第2外部电极的概略放大图。
[0024]图4是图3所示的芯片型陶瓷半导体电子元件的第1外部电极的概略放大图。
[0025]图5是本专利技术的第2实施方式的芯片型陶瓷半导体电子元件的概略局部剖视图。
[0026]图6是用于说明JIS规格所规定的芯片的尺寸的概略立体图。
[0027]图7是表示在实施例中测量出的、最小固着强度相对于陶瓷坯体的端面面积的变化的图表。
[0028]图8是表示在实施例中测量出的、最小固着强度相对于硬质颗粒的含有率的变化的图表。
具体实施方式
[0029]本专利技术的实施方式的芯片型陶瓷半导体电子元件具有以在陶瓷坯体的端面层叠第1外部电极和第2外部电极方式设置而成的结构，在第1外部电极与第2外部电极的界面配置有包括比第1外部电极硬的材料的硬质颗粒，本专利技术在这一点上具有技术特征。通过配置于第1外部电极与第2外部电极的界面的硬质颗粒发挥锚固效应，从而第1外部电极与第2外部电极之间的固着强度得到提高，能够抑制第1外部电极与第2外部电极的界面处的剥离。特别地，适合显著地体现该效应的小型的芯片型陶瓷半导体电子元件。
[0030]以下，参照附图说明实施方式。
[0031]＜第1实施方式＞
[0032]图1是本专利技术的第1实施方式的芯片型陶瓷半导体电子元件10的概略俯视图。图2是表示图1所示的芯片型陶瓷半导体电子元件10中的第1外部电极3和第2外部电极4的截面的概略局部剖视图。图3是芯片型陶瓷半导体电子元件10中的设于陶瓷坯体2的一个端面21的第1外部电极3和第2外部电极4的概略放大图。
[0033]芯片型陶瓷半导体电子元件10包括陶瓷坯体2、分别设于陶瓷坯体2的彼此相对的端面21、21的一对第1外部电极3、以及覆盖第1外部电极3且延伸至陶瓷坯体2的侧面22的一对第2外部电极4。另外，端面21、21是陶瓷坯体2的第1面。侧面22是与作为第1面的端面21、21接触的、陶瓷坯体2的第2面。
[0034]如图3详细所示，芯片型陶瓷半导体电子元件10还包括由比第1外部电极3硬的材料形成的硬质颗粒7。硬质颗粒7配置于第1外部电极3与第2外部电极4的界面B。
[0035]硬质颗粒7作为接合第1外部电极3和第2外部电极4的锚固件发挥功能，因此能够
提高第1外部电极3与第2外部电极4之间的固着强度。因此，能够抑制第1外部电极3与第2外部电极4的界面处的剥离。第1外部电极3与第2外部电极4之间的固着强度换言之是第1外部电极3与第2外部电极4的界面B的固着强度。
[0036]硬质颗粒7的在第1外部电极3和界面B中的占有率越高，越能提高由硬质颗粒7引起的锚固效应。由硬质颗粒7引起的锚固效应是硬质颗粒7作为接合第1外部电极3和第2外部电极4的锚固件发挥功能的效应，和/或，通过第2外部电极4的成分进入到第1外部电极3与硬质颗粒7之间的微细的间隙从而第2外部电极4的成分作为锚固件发挥功能的效应。
[0037]例如优选的是，第1外部电极3的体积和硬质颗粒7的体积满足下述的式子(1)。
[0038]1.03≥P/V≥0.25
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(1)
[0039]在此，
[0040]P是硬质颗粒7的体积。
[0041]V是包含于从第1外部电极3与第2外部电极4的界面B朝向第1外部电极3的内部直到深度D(图4)为止的范围内的第1外部电极3的体积。
[0042]深度D由1.2
×
硬质颗粒的平均粒径来决定。
[0043]硬质颗粒7的“平均粒径”如下地求出。拍摄包含第1外部电极3与第2外部电极4的界面B的S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种芯片型陶瓷半导体电子元件，其中，该芯片型陶瓷半导体电子元件包括：陶瓷坯体，其包含陶瓷半导体，具有第1面和与所述第1面接触的第2面；第1外部电极，其设于所述陶瓷坯体的所述第1面；以及第2外部电极，其覆盖所述第1外部电极，且延伸至所述陶瓷坯体的所述第2面，所述第1外部电极的第1面的面积小于0.17mm2，在所述第1外部电极与所述第2外部电极的界面配置有由比所述第1外部电极硬的材料形成的硬质颗粒。2.根据权利要求1所述的芯片型陶瓷半导体电子元件，其中，所述第1外部电极包含从由Ag、Ni、Cr、Ti、Zn、V、W构成的组中选择出的一种元素。3.根据权利要求1所述的芯片型陶瓷半导体电子元件，其中，所述第1外部电极具有多层构造，该多层构造包含：第1电极层，其与所述陶瓷坯体接触；以及第2电极层，其作为距所述陶瓷坯体最远的最外层而设置，与所述第2外部电极接触，所述硬质颗粒由比所述第2电极层硬的材料形成。4.根据权利要求3所述的芯片型陶瓷半导体电子元件，其中，所述第2电极层包含从由Ag、Ni、Cr、Ti、Zn、V、W构...

【专利技术属性】
技术研发人员：矶贝佳祐，崎庆伸，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：