可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜及制备方法技术

本发明专利技术涉及有机半导体领域，具体涉及一种可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜及制备方法，包括主体材料和客体材料，所述主体材料为第一金属与第一配体、第二配体的配合物，所述客体材料为第二金属与第三配体的配合物。通过构建主体材料和客体材料以及两者配体分子之间的相似性、空间匹配程度、相互作用等方面去制备超分子晶体膜，其掺杂所形成的结晶借助晶格、氢键等相互作用实现局部限域，使得其能实现主体分子和客体分子较强的电子自旋

【技术实现步骤摘要】
可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜及制备方法


[0001]本专利技术涉及有机半导体领域，具体涉及一种可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜及制备方法。

技术介绍

[0002]有机半导体材料根据其外层电子能级的电子配对情况，可分为单重态和三重态属性。基于电子自旋禁阻激发的理论，即由基态直接激发到激发三重态的跃迁过程（S0
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T1）是电子自旋禁阻的，所以目前大部分有机半导体材料采用通过基态（S0）到激发态单重态激发态（Sn）的激发方式吸收能量，也因此传统有机半导体材料无法利用三重态激子，所制备的器件效率难以满足高性能器件的需求。
[0003]目前市面上有少量利用含Ir等贵金属有机配合物以及新型材料能够通过系间窜越过程实现电子自旋禁阻激发来利用三重态激子，实现较高内量子效率的器件。但这些材料体系利用蒸镀方法所形成的无定形膜，对于进行电子自旋禁阻激发的强度较弱，主要原因是其无法形成局部限域作用，难以同时兼顾电子自旋
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轨道作用（SOC）、电子跃迁偶极作用（TDM）以及二者之间的相互耦合。<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜，其特征在于，包括主体材料和客体材料，所述主体材料为第一金属与第一配体、第二配体的配合物，所述客体材料为第二金属与第三配体的配合物；所述主体材料中至少有一类或多类配体分子与客体材料中一类或多类配体分子之间存在空间结构相似、空间匹配或存在相互作用，以通过实现局部限域兼顾主体分子与客体分子较强的电子自旋
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轨道作用、电子跃迁偶极作用以及二者之间的耦合。2.根据权利要求1所述的一种可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜，其特征在于，所述第一金属为Ir、Pt、Os、Er、Ru中的一种，所述第二金属为Al、Ga、Er、In中的一种。3.根据权利要求1所述的一种可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜，其特征在于，所述第一配体为乙酰丙酮类(acac)、吡啶甲酰类(pic)中的一种或多种，所述第二配体为苯基吡啶类(ppy)、噻吩吡啶类(tpy)、酚基吡啶类(hppy)、多联吡啶类(bpy)中的一种或多种，所述第三配体为8
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羟基喹啉类(q)、多联吡啶类(bpy)、噻吩吡啶类(tpy)、酚基吡啶类(hppy)中的一种或多种。4.根据权利要求1
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3任一项所述的一种可进行电子自旋禁阻激发的超分子晶体膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用蒸镀法或溶液法获得主体材料和客体材料的无定形掺杂膜，所述溶液法还包括采用超声分散将主体材料和...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯链宝，毕海，张赫铭，王嘉璇，
申请(专利权)人：季华实验室，
类型：发明
国别省市：